Изследване на характеристиките на mos транзистор
Изтегляне 78.73 Kb.
|
- Навигация на страницата:
- II.Указания за работа
- III.Протокол
- Изводи
Изследване на характеристиките на MOS транзисторI.Задание1.Да се снемат семейството изходни статични характеристики ID = f(UDS) при UGS = const. 2.Да се снемат предавателните характеристики ID=f(UGS) , при UDS=const. 3.Да се определи праговото напрежение на изследвания MOS транзистор 4.Да се построят графично снетите характеристики. 5.От изходните статични характеристики да се определи динамичното изходно съпротивление rDS, при работа на транзистора в линейната област и в областта на насищане, за две различни напрежения UGS (напр. 6V и 7V). 6.От предавателните характеристики да се определи стръмността на MOS транзистора. Стръмността се определя от зависимостта S=dID/dUGS ≈ ∆ID/∆UGS, при UDS = const. II.Указания за работа1.Изходните харакpтеристиките се снемат при шест стойности на напрежението гейт-сорс UGS = 3V, 4V, 5V, 6V, 7V и 8V. То се задава посредством потенциометъра P1, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UGS. След задаване на напрежението UGS се задават различни стойности на напрежението UDS (от табл.1) и за всяка от тях се измерва стойността на дрейновия ток ID. Напрежението UDS се задава посредством потенциометъра P2, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UDS.Стойностите на ID се отчитат с цифров амперметър на обхват 20mA. Резултатите се нанасят в табл. 1. Табл. 1 Изходни статични характеристики
2.Предавателните характеристиките се снемат при четири стойности на напрежението дрейн-сорс UDS=1V, 2V, 5V и 10V. То се задава посредством потенциометъра P2, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UDS. След задаване на напрежението UDS се задават различни стойности на напрежението UGS (от табл.2) и за всяка от тях се измерва стойността на дрейновия ток ID. Напрежението UGS се задава посредством потенциометъра P1, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UGS. Стойностите на ID се отчитат с цифров амперметър на обхват 20mA. Резултатите се нанасят в табл. 2. Табл. 2 Предавателни характеристики
3.За определяне на праговото напрежение UТ на MOS транзистора първоначално се задава UDS = 10V посредством P2. След това плавно се увеличава стойността на UGS , посредством P2 и се следят стойностите на ID . Стойността на UGS , при която ID=10A е праговото напрежение UТ . 4.Изходните и предавателните характеристики се построяват на ръка върху мм.хартия. 5.Динамичното изходно съпротивление се определя от зависимостта 6. Стръмността се определя от зависимостта III.Протокол1.Задание. 2.Експериментални резултати - таблиците с измерените стойности на тока и напрежението. 3.Графична част - Да се построят графично снетите характеристики. 4.Изчислителна част - Изчисленията за определяне на динамичното изходно съпротивление rDS, праговото напрежение и стръмността на MOS транзистора. 5.Изводи
2.По ток или по напрежение се управлява MOS транзисторът. От какъв порядък е входното му съпротивление ? 3. От какъв порядък е стойността на диференциално изходно съпротивление при работа в пентоден режим ? Пoсочете примерно приложение на MOS транзитора от гледна точка на стойността на изходното му съпротивление. 4.При работа в линейната област или в областта на насищане диференциалното изходно съпротивление има по-голяма стойност . 5.При работа в линейната област или в областта на насищане стръмността S на MOS транзистора има по-голяма стойност. Каталог: ppe -> files -> 2010 2010 -> Изследване на схеми с диоди Задание 2010 -> Изследване на практически схеми с диоди и на импулсните свойства на полупроводникови диоди 2010 -> Ту-софия фетт, катедра „Електронна техника” 2010 -> Полупроводникови диоди 2010 -> Ту-софия фетт, катедра „Електронна техника” Изтегляне 78.73 Kb. Сподели с приятели:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
, при UGS=const.
, при UDS = const.