Програма По дисциплината Полупроводникови елементи и интегрални схеми



Дата16.04.2017
Размер65.62 Kb.
Министерство на образованието и науката

Технически университет – Габрово


Факултет “Електротехника и електроника”
Утвърдил:

Декан:


/доц. д-р инж. Д.Петров/

У Ч Е Б Н А П Р О Г Р А М А

по дисциплината “Полупроводникови елементи и интегрални схеми”,

включена в уч. план на специалностите:

“Комуникационна техника и технологии”

“Компютърни системи и технологии”,

Автоматика, информационна и управляваща техника”

Образователно – квалификационна степен :“Бакалавър”

Проф. квалификация: “Инженер по комуникации”

Компютърен инженер ”

“Инженер по автоматика”

Проф. направление: “Комуникационна и компютърна техника” (шифър 5.3)

Електротехника, електроника и автоматика” (шифър 5.2)

Катедра “Електроника

Габрово, 2003


Извадки от учебния план




Вид на занятието

Семестър

Хорариум


РО

ЗО

РО

ЗО

Специалност “КТТ”“КСТ”, “АИУТ”













Лекции


III

IV

45

21

Семинарни упражнения


III

IV

0

0

Лабораторни упражнения

III

IV

30

15

Изпит

И

И







Заб. РО – редовно обучение, ЗО – задочно обучение


Анотация


    Дисциплината “Полупроводникови елементи и интегрални схеми” е включена в учебния план на специалности ”КСТ”, ”КТТ”, ”АИУТ” в образователно-квалификационната степен “бакалавър”. Има за цел да запознае студентите с принципа на действие, основните характеристики, параметри, еквивалентни схеми и специфични особености на приложение на дискретните полупроводникови и оптоелектронни елементи, както и с интегралните полупроводникови биполярни и MOS активни и пасивни елементи. Студентите се запознават още с микросхемотехниката, основните параметри и характеристики на сериите интегрални логически елементи (биполярни, MOS, СMOS и BiCMOS) и аналогови ИС – диференциални и операционни усилватели.

    По време на лабораторните упражнения студентите придобиват практически навици и умения за измерване и определяне на основни характеристики и параметри на дискретни полупроводникови елементи и универсални интегрални схеми. Освен това се затвърдяват знанията от лекционния материал.

    Входни връзки: Физика – І и ІІ, Химия, Теоретична електротехника – І и II, Материалознание.

    Изходни връзки: всички схемотехнични дисциплини според съответните учебни планове.





II. Съдържание на учебната програма

А. Лекции

Модул 1. БИПОЛЯРНИ ДИСКРЕТНИ ЕЛЕМЕНТИ – 26 Ч. /14+0+12/

Полупроводникови диоди:

PN преход, класификация на диодите, ВАХ на реален диод, видове пробиви, работа на диода като схемен елемент, работа на диода в импулсен режим, еквивалентни схеми, видове диоди : изправителни, високочестотни, импулсни, стабилитрони и диоди на Шотки.



Биполярни транзистори


Класификация, структура, режими на работа, схеми на включване, характеристики, параметри, еквивалентни схеми и модели, динамичен и ключов режим, съставни транзистори.

Тиристори:

Структура, принцип на действие, ВАХ, статични и динамични параметри, видове тиристори.


Модул 2. ПОЛЕВИ ТРАНЗИСТОРИ И ОПТОЕЛЕКТРОННИ ЕЛЕМЕНТИ – 16 Ч. /10+0+6/.

Полеви транзистори – общи сведения и класификация. Полеви транзистор с PN преход и с Шотки преход.

MOS транзистор с вграден и индуциран канал – структури, характеристики, параметри и еквивалентни схеми. Мощни МОS и IGBT транзистори.

Оптоелектронни елементи – светодиоди и течнокристални индикатори, фотоприемници и оптрони.


Модул 3. МИКРОЕЛЕКТРОНИКА. ЕЛЕМЕНТИ НА БИПОЛЯРНИ И MOS ИС – 15 Ч. /11+0+4/.

Основни направления на микроелектрониката и класификация на ИС.

Биполярни интегрални елементи: видове транзистори, диоди, стабилитрони, дифузионни резистори и кондензатори.

MOS интегрални елементи: интегрални MOS транзистори, MOS транзистори с повишено бързодействие и намалена геометрия, MOS транзистори с регулируемо прагово напрежение, MOS резистори и кондензатори.


Модул 4. ИНТЕГРАЛНИ ЛОГИЧЕСКИ ЕЛЕМЕНТИ, ИНТЕГРАЛНИ ДИФЕРЕНЦИАЛНИ И ОПЕРАЦИОННИ УСИЛВАТЕЛИ - 18 Ч. / 10+0+8/
Параметри и характеристики на ИЛЕ. Серии биполярни логики – ТТЛ, ЕСЛ и И2Л. Серии MOS логики: статични и динамични NMOS схеми, СMOS интегрални логически елементи и BiСMOS. Галиевоарсенидни логически елементи.

Интегрални диференциални усилватели – общи сведения, основни параметри и характеристики.

Операционни усилватели – схемотехнични особености на поколенията ОУ, основни параметри и характеристики, специални видове ОУ.

Б. Лабораторни упражнения

1. Изследване на полупроводникови диоди и стабилитрони 2 ч.

2. Изследване на преходни процеси в полупроводников диод 2 ч

3. Изследване статични характеристики на биполярен транзистор 2 ч.

4. Изследване h-параметри на биполярен транзистор 2 ч.

5. Изследване динамичен режим на работа на биполярен транзистор 2 ч.

6. Изследване на тиристори 2 ч.

7. Изследване статични характеристики на полеви транзистори 2 ч.

8. Изследване ключов режим на биполярни и полеви транзистори 2 ч.

9. Изследване на фототранзисторен оптрон 2 ч.

10. Изследване на биполярни интегрални транзистори и диоди 2 ч.

11. Изследване на MOS интегрални резистори 2 ч

12. Изследване на ТТЛ и ЕСЛ логически елементи 2 ч

13. Изследване на СMOS логически елементи 2 ч.

14. Изследване на интегрален диференциален усилвател 2 ч.

15. Изследване параметри на ОУ. 2 ч.
III. Форма на контрол

Преди започване на лабораторното упражнение се проверява подготовката на студентите по теоретичния материал и методиката за провеждане на изследването. За всяко лабораторно упражнение се изготвя протокол, който се защитава пред ръководителя



    По време на семестъра се провеждат две писмени контролни работи (като едната е писмен тест от 15 въпроса с по 4 отговора), а в края на семестъра се оформя още една оценка от защита на протоколите. От трите оценки се оформя една текуща оценка (ТО) като средноаритметична.

    Изпитът е писмен, като всеки билет включва 6 въпроса. Това са части от въпросите на конспекта от всички раздели.

    Крайната оценка се оформя според формулата: Оц = 0,4 ТО + 0,6 И, като ТК – текуща оценка, И – оценка от изпита.

    След кратко устно препитване окончателната оценка се закръгля.

    Студентите с текуща оценка над 5 се освобождават от изпит, като окончателната им оценка се оформя след устно препитване в края на семестъра.




IV. Литература

1. Вълков, Ст. и др. Електронни и полупроводникови елементи и интегрални схеми, Техника, София, 1992

2. Атанасов, А. Основи на микроелектрониката, Техника, София, 1992 /1987/

3. Александров А. Дискретни полупроводникови елементи. Унив. издателство “В. Априлов”, Габрово, 2002

4. Станев, Ст. Елементи на интегралните схеми, Унив. издателство “В. Априлов”, Габрово, 2000

5. Станев С., А. Александров. Ръководство за лабораторни упражнения по “Полупроводникови елементи”. Унив. издателство “В. Априлов”, Габрово, 2002



    6. Тодоров П.Ж., А.Т. Александров, В.Д. Тодорова. Ръководство за лабораторни упражнения по “Микроелектроника”. Унив. изд. “В.Априлов” – Габрово, 2000

Съставили:

/доц. д-р инж.П.Жечев/

/доц. д-р инж.А. Александров/

Програмата е приета от КС на катедра “Е” с протокол № …../ …………..

Р-л катедра “Е”:

/доц. д-р инж. М.Симеонов/

Програмата е приета от КС на катедра “КТТ” с протокол № 8 / 07.04.03

Р-л катедра “Е”:

/доц. д-р инж. К.Койчев/


Програмата е приета от КС на катедра “КСТ” с протокол № … / ……….

Р-л катедра “Е”:

/доц. д-р инж. Л. Цеков/
Програмата е приета от КС на катедра “АИУТ” с протокол № …. / ………

Р-л катедра “Е”:

/доц. д-р инж. Р. Радев/

Програмата е утвърдена на заседание на ФС на Ф “ЕЕ” с Протокол № …./ …………



Зам.Декан УР:…………………

/доц. д-р инж. П.Жечев/


База данных защищена авторским правом ©obuch.info 2016
отнасят до администрацията

    Начална страница