Sofia university faculty of physics



Дата05.06.2017
Размер49.31 Kb.
#22750
ТипЛекции

СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ

ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ

БЪЛГАРИЯ, СОФИЯ 1164

БУЛ. "ДЖЕЙМЗ БАУЧЪР" 5

ТЕЛ.: +359 2 622 446

ФАКС: + 359 2 962 5276, ТЕЛЕКС: 23296 SUKO BG




SOFIA UNIVERSITY

FACULTY OF PHYSICS

1164 SOFIA, BULGARIA

5 JAMES BOURCHIER ВLVD.

ТEL.: +359 2 622 446



FAX: +359 2 962 5276, TELEX: 23 296 SUKO BG


Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..

Декан:

/доц. д-р Д. Мърваков/

УЧЕБНА ПРОГРАМА

ПО ДИСЦИПЛИНАТА: ОПТОЕЛЕКТРОННИ ПРОЦЕСИ В СИСТЕМИ С КВАНТОВИ ТОЧКИ

ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ФИЗИКА

СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: МАГИСТЪР програма Нанотехнологии за квантоворазмерни системи за оптоелектрониката

КРЕДИТИ (ECTS): 4.5

КАТЕДРА: Физика на полупроводниците

ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН

Вид на занятията:

Семестър:

Хорариум-часа/
седмично:


Хорариум-часа
Общо:

Лекции


ІІ

3

45

Семинарни упражнения

ІІ

1

15

Практически упражнения










Общо часа:

ІІ

4

60

Форма на контрол:

ІІ

И




А. АНОТАЦИЯ

В курса се разглеждат някои особености на електронния транспорт (статични волтамперни характеристики, резонансно тунелиране, преходни характеристики) на структури с квантови точки и острови, както и на основни оптични процеси в тях – поглъщане и излъчване на фотони. Свойствата на системите се разглеждат свързани с особеностите на нанотехнологичните методи на тяхното получаване.

Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:

Лекции ( или упражнения)



Тема, вид на занятието:

Брой часове




ЛЕКЦИИ

45

1.

Увод. Видове системи с квантови точки според формата, обкръжението и начина на получаването им.

4

2

Особености на енергетичния спектър на квантовите точки.

2

3.

Статично зарядово поведение и волт-амперни характеристики на структури с квантови точки.

6

4.

Електронен транспорт в системи с квантови точки. Резонансно тунелиране.

6

4.

Фотонно-индуцирано тунелиране през квантови точки.

6

5.

Електронен транспорт в бариерни структури с квантови точки.

6

6.

Преходни характеристики на бариерни структури с квантови в едноелектронен режим.

5

7.

Поглъщане на фотони от системи с квантови точки. Оптично изследване на енергетичната им структура.

5

8.

Излъчване на фотони от системи с квантови точки. Оптично изследване на енергетичната им структура.

5













СЕМИНАРНИ ЗАНЯТИЯ

15

1.

Тунелни волт-амперни характеристики на системи с квантови точки.

5

2.

Преходни характеристики на бариерни структури с квантови точки.

5

3.

Спектри на поглъщане и излъчване на фотони и електронна структура на системи с квантови точки.

5













Общо:

60

В. Формата на контрол е: ИЗПИТ. Семинарните занятия са задължителни. Крайната оценка се формира от събеседване и участието в семинарните занятия.

Г. Основна литература:

1 Proc. 9th Winterscool on New Developments in Solid State Physics, Mautedorf, Austria, 19-23 February 1996, Sec. 2,3,5, Semicond. Sci. Technol., 11S (1998).

2 Topical Review “Self-organized growth of quantum-dot Structures”, Ricjard Nötzel, Semicond. Sci. Technol., 11 (1998), 1365.

Д. Допълнителна литература:

1. R. A. Suris, Prospects for Quantum Dot Structures Applications in Electronics and Optoelectronics, in “Future Trends in Microelectronics”, Ed. Luryi et al, 197-208, 1996 Kluver Academic Publishers, Printed un the Netherlands.

2. D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, “Quantum Dot Heterostructures”, ISBN: 0-471-97388-2, 1998.



Съставил програмата:

Дата: 18.05.2004. /проф дфн Борис Арнаудов/
Каталог: ~semicond -> semicond -> edu -> magistri -> ntkrso
magistri -> Sofia university faculty of physics
magistri -> Sofia university faculty of physics
magistri -> Sofia university faculty of physics
magistri -> Програма по дисциплината: широкозонни полупроводници за
magistri -> Програма по дисциплината: Електронни и йонно-лъчеви методи за изследване на наноразмерни структури
ntkrso -> Sofia university faculty of physics
magistri -> Sofia university faculty of physics
magistri -> Програма по дисциплината: некристални полупроводници
magistri -> Програма по дисциплината: оптоелектронни приложения на некристални полупроводници


Сподели с приятели:




©obuch.info 2024
отнасят до администрацията

    Начална страница