Sofia university



Дата25.10.2018
Размер67.57 Kb.
#97544
ТипЛекции

СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ

ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ

БЪЛГАРИЯ, СОФИЯ 1164

БУЛ. "ДЖЕЙМЗ БАУЧЪР" 5

ТЕЛ.: +359 2 622 446

ФАКС: + 359 2 962 5276, ТЕЛЕКС: 23296 SUKO BG




SOFIA UNIVERSITY

FACULTY OF PHYSICS

1164 SOFIA, BULGARIA

5 JAMES BOURCHIER ВLVD.

ТEL.: +359 2 622 446



FAX: +359 2 962 5276, TELEX: 23 296 SUKO BG


Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..

Декан:

/доц. д-р Д. Мърваков/

УЧЕБНА ПРОГРАМА

ПО ДИСЦИПЛИНАТА: НАПРЕГНАТИ НИСКОРАЗМЕРНИ СТРУКТУРИ

ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ФИЗИКА

СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: МАГИСТЪР, програма Нано- И ИНФОРМАЦИОННИ технологии за оптоелектрониката

КРЕДИТИ (ECTS): 6

КАТЕДРА:Физика на полупроводниците

ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН

Вид на занятията:

Семестър:

Хорариум-часа/
седмично:


Хорариум-часа
Общо:

Лекции


ІІ

3

45

Семинарни упражнения





ІІ

2

30

Практически упражнения










Общо часа:

ІІ

5

75

Форма на контрол:

ТО







А. АНОТАЦИЯ

В курса се разглеждат основните физични явления и особености в напрегнати нискоразмерни структури – полупроводникови хетеропреходи, единични и свързани квантови ями и свърхрешетки. В уводната част се описват условията за получаване на структури с механични напрежения, породени от разликите в параметрите на решетката на отделните слоеве, в които е предотвратено образуването на дислокации на несъответствие. Прави се сравнителен преглед на изопараметрични двумерни слоеве, на двумерни несъгласувани по параметър на решетката слоеве при отсъствие и присъствие на пиезоелектрично поле, както и влиянието на външни електрични полета и механични напрежения. Отделно се разглеждат изброените ефекти в мулти-квантови ями и свърхрешетки. Прави се преглед на технологичните методи за получаване на напрегнати нискоразмерни структури и на тяхното приложение в оптоелектронни прибори от широкозонни и теснозонни полупроводници. В семинарните занятия се разглеждат примери и се моделират напрегнати нискоразмерни структури за съвременните оптоелектронни прибори.

Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:

Лекции или упражнения



Тема, вид на занятието:

Брой часове




ЛЕКЦИИ

45

1.

Увод. Механични напрежения на границата на два полупроводника, породени от разликата в параметрите на кристалните им решетки. Еластични деформации. Дислокации на несъответствие.

4

2.

Механични напрежения в тънки полупроводникови слоеве поради несъгласуване на кристалните им решетки. Критична дебелина за образуване на дислокации на несъответствие. Бездислокационни нискоразмерни структури.

4

3.

Зонна схема на изорешетъчни двумерни структури – единични и свързани квантови ями и свърхрешетки.

4

4.

Влияние на механичната деформация върху зонната схема на полупроводника. Ефекти при свиване и разтягане.

4

5.

Зонна схема на напрегнати двумерни структури без вътрешно пиезоелектрично поле. Анизотропия.

3

6.

Зонна схема и оптични свойства на напрегнати нискоразмерни структури с вътрешно пиезоелектрично поле.

3

7.

Ефект на външна едноосна деформация върху напрегнати нискоразмерни структури.

3

8.

Ефект на външно електрично и магнитно поле върху напрегнати нискоразмерни структури. Оптични и електрооптични ефекти.

4

9.

Рекомбинационни свойства на напрегнати нискоразмерни структури. Индиректни екситони в свързани квантови ями. Квантови каскади в свърхрешетки.

4

10.

Технология на изготвяне на нискоразмерни напрегнати структури при значително несъответствие на параметрите на кристалната решетка. Съвременни епитаксиални техники. Методи за контрол на структурните параметри.

4

11.

Напрегнати нискоразмерни структури от полупроводници от ІV група, съединения АІІІВV, АІІВVІ и АІVВVІ.

4

12.

Приложение на напрегнатите нискоразмерни структури в оптоелектронни излъчватели и приемници на свeтлина като активни области, хетеро-епитаксиални интерфейси и оптични елементи (огледала и покрития).

4




СЕМИНАРНИ ЗАНЯТИЯ

30

1.

Напрегнати единични и свързани квантови ями от АІІІВV за оптоелектрониката в късовълновия и близкия инфрачервен диапазон. Моделиране на енергетичния спектър.

5

2.

Напрегнати свърхрешетки от АІІІВV за хетероинтерфейси и многослойни оптични елементи.

5

3.

Напрегнати нискоразмерни структури от АІІВVІ за излъчватели и приемници на светлина за видимата област.

5

4.

Напрегнати нискоразмерни структури от АІVВVІ за излъчватели и приемници на светлина в дълговълновата инфрачервена област.

5

5.

Мултиквантови ями - активни области в излъчватели на светлина в ултравиолетовия, видимия и близкия инфрачервен диапазон.

5

6.

Напрегнати хетероструктури с приложение за MODFET. Образуване на 2DEG на интерфейса.

5




Общо:

75

В. Формата на контрол е: ТЕКУЩА ОЦЕНКА. Семинарните занятия са задължителни. Оценката се формира от контролно и реферат по зададена тема.

Г. Основна литература:



1. C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures – Fundamentals and Applications, Academic Press Inc., Boston, 1991

  1. H. Morkoc, B. Sverdlov, G.B. Gao, Review on Strained-Layer Heterpstructures, Proc. IEEE, 81, 493 (1993)

  2. D.L.Smith, C. Mailhiot, Theory of Semiconductor Superlattice Electronic Structure, Rev. Modern Phys., 62, No 1, 173 231 (1990)

  3. Two Dimensional Systems, Heterostructures and Superlattices, Ed. G. Bauer, F. Kuchmar, H. Heinrich, Springer Series in Solid State Science, 53 (1981)

  4. J. H. Davies. The Physics of Low-Dimensional Semiconductors, An Introduction. Cambridge University Press 1998

  5. Д J.J.Coleman, B. J. Miller, Guest-Editors, Special Issue on Strained Layer Optoelectronic Materials and Devices, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 348-590 (1994)

Допълнителна литература:

  1. K.H. Ploog, Molecular Beam Epitaxy – Fundamental Growth Aspects and Selected Contributions to Physics and Applications of Low – Dimensional Semiconductors, in Fabrication, Properties and Applications of Low Dimensional Semiconductors, Ed. M. Balkanski, I.Y. Yanchev, NATO ASI Series, 3. High Technology, Vol. 3 (1995)

  2. Devices Based on Low – Dimensional Semiconductor Structures, Ed. M. Balkanski, NATO ASI Series, 3. High Technology, Vol. 14 (1996)

Съставил програмата:

Дата: 25.05.2004 г. /доц д-р Светла Евтимова/


Сподели с приятели:




©obuch.info 2024
отнасят до администрацията

    Начална страница