Вариант 22 дифузионни резистори и кондензатори

Изтегляне 30.29 Kb. Дата 19.01.2020 Размер 30.29 Kb. #111534

Навигация на страницата:

• R = 3 3 Ω ± 20 % ; R s = 7,5 Ω/□ ; P = 0,25 mW ; P 0 = 20 mW/mm 2
• μm . Да се построи топологичен чертеж на проектирания резистор в подходящо подбран мащаб в рамките на полупроводников чип с квадратна форма и площ А
• Да се проектира дифузионен кондензатор, използващ бариерния капацитет на емитерния преход.
• C = 8,5 pF ; U R = 4,5 V ; φ k = 0,55 V ; N A = 2 ,2
• Да се проектира топологията на тънкослоен резистор от МЛТ-3М.
• R = 8,8 kΩ ± 12% ; R s = 275 Ω/□ ; ( ∆ R s / R s ).100 = ± 6% ; P
• 2. Да се проектира тънкослоен кондензатор с диелектрик Ti O 2 ( ɛ r = 42 ).
• C = 9 nF ; U p = 5 V ; E пр = 1.10 6 V/cm ; k 3 = 3 ; k s = 0,9.
• Забележка: Кондензаторът

Вариант 22 ДИФУЗИОННИ РЕЗИСТОРИ И КОНДЕНЗАТОРИ Да се проектира топологията на дифузионен резистор, формиран в емитерната област: Да се определят конструктивните размери и да се избере подходяща конфигурация на резистора при следните изходни данни: R = 33 Ω ± 20% ; Rs = 7,5 Ω/□ ; P = 0,25 mW ; P0 = 20 mW/mm2 ; bтех = 8 μm ; bточн = 10 μm ; ∆ецв = 1 μm ; xj = 1 μm . Да се построи топологичен чертеж на проектирания резистор в подходящо подбран мащаб в рамките на полупроводников чип с квадратна форма и площ АСН = 2,12 mm2 . Да се изчисли активната площ АR на резистора и площта Аtot , заемана от резистора в чипа. Да се проектира дифузионен кондензатор, използващ бариерния капацитет на емитерния преход. Да се изчисли площта на кондензатора при зададени: C = 8,5 pF ; UR = 4,5 V ; φk = 0,55 V ; NA = 2,2.1018 cm-3 ; ɛ0 = 8,85.10-12 F/m ; ɛrSi = 12 ; q = 1,6.10-19 C. Да се начертае вертикалната геометрия на кондензатора при дълбочина на емитерния преход xj = 1,2 μm и хоризонтални размери l = 1,3b. ТЪНКОСЛОЙНИ РЕЗИСТОРИ И КОНДЕНЗАТОРИ Да се проектира топологията на тънкослоен резистор от МЛТ-3М. Да се изчислят конструктивните размери и да се избере конфигурация на резистора при следните изходни данни: R = 8,8 kΩ ± 12% ; Rs = 275 Ω/□ ; (∆Rs / Rs).100 = ± 6% ; PR = 3,5 mW ; P0 = 2 W/cm2 ; bтех = 0,2 mm ; ln = 0,15 mm ; ∆b = 0,02 mm ; ∆l = 0,03 mm . Да се изчисли активната площ АR на резистора. Да се построи топологичен чертеж на проектирания резистор в подходящо подбран мащаб. Да се изчисли общата площ Аtot , заемана от резистора като елемент на слойна ИС върху подложката. 2. Да се проектира тънкослоен кондензатор с диелектрик TiO2 (ɛr = 42). Да се изчислят специфичният капацитет Co и площите на горната и долната плочи на кондензатора, ако е зададено: C = 9 nF ; Up = 5 V ; Eпр = 1.106 V/cm ; k3 = 3 ; ks = 0,9. Да се построи топологичен чертеж на проектирания кондензатор в подходящо подбран мащаб, като се изберат линейните размери на диелектричния слой. Забележка: Кондензаторът от задача 2 и резисторът от задача 1 да се разположат върху обща подложка с размери (18 x 15) mm. Изтегляне 30.29 Kb. Сподели с приятели: