Химична обработка влияние на химичната обработка върху повърхността

ГЛАВА 3

ХИМИЧНА ОБРАБОТКА

В процеса на създаването на полупроводникови прибори многократно се изпълняват разнообразни химични обработки. Те се основават на физико – химичните свойства на полупроводниковия материал и се различават една от друга както по състава на реактивите, така и по предназначение. В полупроводниковата техника повърхностните свойства на полупроводниковите материали отдавна са обект на задълбочени изследвания, тъй като много интересни явления и параметри на приборите не могат да бъдат обяснени само с обемните свойства на материала. С помощта на поток от нискоенергийни електрони 50—500 еV е установено, кристалната структура на повърхността на силиция се различава съществено от тази на обемния материал.

За химико – механично полиране може да се използват и медни йони. В този случай механизмът е електрохимичен:

(3.1) Cu⁺⁺+2e^- Cu ;

Si⁴⁺+6F^-  ;

(3.2) SiSi⁴⁺ +4e^- ;

SiF ^2- +2(NH₄ )⁺ (NH₄)₂ SiF ;

Обмяната на електрони между силициевите и медните йони става в присъствие на амониеви и флуорни йони. Полученият силициево – амониев флуорид е разтворим, а медта се отлага като тънък слой. Недостатък на този метод е необходимостта от пълно пречистване на полупроводниковата повърхност от този слой, за което са разработени специални методи.

Параметрите, от които зависят, скоростта и качеството на полирането, са общи за различните методи. На фиг. 3.2 са показани характерни зависимости за случая на използване на медни йони. Скоростта на снемане на полупроводниковия материал, изразена в m/h, има максимум по отношение на процентното съдържание на компонентите на разтвора амониев флуорид NH₄F и меден нитрат Cu(NO₃)₂, докато зависимостта от количеството азотна киселина HNO₃ в единица разтвор има друг характер. Скоростта на операцията нараства линейно при увеличаване на температурата.

При силиция например се ецват освен чистия материал още Si0₂, Si₃N₄, Аl₂O₃, както и Аl, Мо, Ni, W, Au и други метали. Защитата на тези слоеве един от друг с помощта на фотолак не винаги е възможна, а и не винаги е целесъобразна. Ето защо химичните реактиви, които образуват съответния разтвор, трябва да имат подходящ състав и съотношение на отделните компоненти, които да осигурят селективно действие само върху обработвания слой. В този смисъл конструкторът винаги трябва да отчита влиянието на всяка следваща химична обработка върху резултатите от предишните операции.

Замърсяванията от органичен произход са само привидно електрически неутрални. Те са склонни към поляризация, която изменя енергийната картина на повърхността на пластината. Освен това те изменят физико –химичните параметри, като правят повърхността хидрофобна. Това затруднява отстраняването на абсорбираните йони и атоми на тежки метали. Органичните замърсявания се отстраняват чрез обработка с фреон или чрез изваряване в сярна киселина. Освен тях водородният прекис H₂О₂ има добро въздействие, съчетано с предимството, че позволява да се отстранят някои метални атоми – главно на медта. На фиг. 3.3 е показана ефективността на измиването с H₂O₂ за отстраняване на медни атоми според [174, 175]. Тежък проблем представлява почистването на повърхността от получените в резултат на ецване с флуороводородна киселина йони. Някои автори предлагат обработка с разтвор на йод-метанол за отстраняване на анийоните.

Силициевата повърхност може да се почиства не само в течна среда. Известни са методи за газово почистване чрез химична реакция на силиция и хлороводорода (вж.епитаксия). Някои автори предлагат почистване чрез образуване на стопилка метал – полупроводник. Образуваните твърди разтвори се отстраняват по химичен път.

Основната цел при почистването е “раздвижване” на замърсяванията върху пластината и създаване на възможност за тяхното отстраняване.

Конструкторът е длъжен да отчита влиянието на почистването върху изградената вече част от структура. Затова почистването се извършва по различни начини – почистване преди окисление, почистване за дифузия, почистване за металзация и т. н.

Полупроводниците въпреки общата си прилика имат различни физико – химични свойства. Това води също до съществени изменения в състава на разтворите за почистване.

С развитието на полупроводниковата техника дълбочината на преходите става все по-малка, поради което преходите се проявяват само на опитни образци с много малък ъгъл на на наклона на шлифа от 1⁰ до З⁰.

Никелирането на силиция се предшества от предварителна химична обработка, целяща пълното премахване на SiO, върху повърхността.

Обикновено никелираните пластини се използват в силовото производство. Пластините са механично обработени до механично полиране, така че дефектите служат като катализатори на реакцията (напр. след струйно шлифоване). Тъй като химичното отлагане на никела става без протичане на ток от външен източник, необходимите електрони за редукция на металните йони се получават за сметка на химична реакция на един от компонентите на никеловата “баня”. За разлика от химичното (редуктивно) отлагане при електрохимичното това става за сметка на разтварянето на металните атоми. Това означава, че при никелирането се осъществява размяна на електрони между компонента и метала, при което значение има отношението между техните електрохимични потенциали. При никела като редуктиращ компонент се използва натриев хипофосфат. Получените слоеве съдържат 6 – 7% фосфор – аморфна структура. След темпериране до 600 ⁰С слоят съдържа до 35% Ni₃P и 65% Ni.Toвa води до намаляване на специфичната електрична проводимост с около 14% по отношение на обемния материал.

Обикновено никелирането предшества електрохимичното отлагане на злато, като адхезията на слоевете зависи от дебелината им.

Примерният състав на никеловата “баня" е следният:

Баня А – 25 g никелов хлорид, 35 g амониев хлорид, 42 g амониев цитрат, 30 g натриев хипофос­фат, 62 ml амоняк в един литър дестилирана вода. Тази баня има рН=8, работна температура 92°С, скорост на отлагане 16 m/h, съдържание на фосфор 9,2%.

Баня Б – 30 g никелов хлорид, 45 g амониев хлорид, 98 g натриев цитрат, 10 g натриев хипофосфат, 30 ml амоняк в литър дестилирана вода, рН=9,15, температура 92⁰С, скорост 12 m/h, съдържание на фосфор 6%.

Прибавеният натриев цитрат и редуктивният компонент са в определено съотношение. При по-голямо количество на нитрата скоростта на реакцията се забавя. Изравняването й става чрез увеличаване на съдържанието на втория компонент, което води до нарастване на съдържанието на фосфор. Препоръчва се загряването на пластината в защитна атмосфера до температурата на банята непосредствено преди потопяването й. Това предотвратява получаването на пасивиращи слоеве на повърхността. Позлатяването се извършва електрохимично в следната баня: 21 g Au —калиев цианид (68,4% Аu), 14 g калиев цианид, 10 g калиева основа, 6 g кисел фосфат в литър дестилирана вода, температу­ра. 60 ⁰С, скорост 10 m/h при 0,004 A/cm².

Обикновено в полупроводниковата техника се използват слоеве с едрозърнеста структура за пo-добро бондиране.
3.2. Механизъм на химичната обработка
Използването на всеки вид химична обработка е свързано с постигане на определени параметри, които от своя страна са залегнали в технологичната схема на прибора. Гарантирането на тези параметри е възможно само при добро познаване на механизма на химичната обработка. За инженерно приложение най-добра информация за този механизъм в течна среда дават Гибсон и Бургес.
3.2.1. Химична обработка в течна среда
При химичното ецване в течна среда една от съставките е винаги окислител, а другата – разтворител на получените междинни продукти. Към тях обикновено се прибавят и други съставки, чието предназначение е да изменят скоростта на реакцията и някои други параметри. В зависимост от полупроводниковия материал се избират и отделните компоненти. Така за силиций като окислител се използва азотна киселина, а при германия и галиевия арсенид – водородният прекис. Разбира се, има и други окислители, като йод, бром, етилдиамин, амониев хипофосфат, които са включени в различните рецепти.

Разтворителите са обикновено флуороводородна киселина за силиций и калиева и натриева основа за германий и за галиев арсенид. Допълнителни съставки, които се използват най-често, са оцетната киселина и дейонизирана вода. Под химично ецване трябва да се разбира спонтанното разтваряне на полупроводниковия материал в окислителна среда. Процесът на разтваряне зависи от много фактори, като вида на полупроводника, строежа на кристалната решетка и броя на дефектите й, състава на разтворите, температурата и кинетиката на процеса над границата твърдо тяло – разтвор [155159, 171182].

Химичното ецване се описва от електрохимични закони и общият резултат се получава от сумирането на катодната и анодната реакция. Кинетиката на процеса се описва от „микрокатоди" и „микроаноди", които се намират в съседство с повърхността, която се обработва. При полупроводниците прилагането на общата електрохимична теория за разтваряне трябва да отчита особеността, пораждаща се от съществуването на два вида токоносители. Тъй като полупроводниковата повърхност може да бъде различно заредена, се получават допълнителни условия за промяна на параметрите на процеса. Основните уравнения, които описват ецването на полупроводника, са:

(3.3) М^0М^n+ne^- (окисление)

N+ne^-N^-n (редукция),

където с М^0 е означено началното (нулевото) състояние на полупроводника, с N – окислителят, с n — броят на електроните. Тези реакции протичат на фазовата граница твърдо тяло – електролит и се обединяват чрез

(3.4) М^0+NМ^n+N^-n

Количествено това уравнение може да бъде ограничено от скоростта на протичане на едната или другата реакция или от двете едновременно. В този случай се говори за електрохимичен контрол на процеса, съответно аноден или катоден. Ако двете реакции (3.3) протичат много бързо, може да се стигне до случая, когато лимитиращ става потокът окислител към повърхността, т. е. транспортът на окислителя към твърдото тяло. В тези случаи се говори за дифузен контрол, като механизмът на пренасянето се приема за дифузен. При сложните полупроводници са възможни повече от една окислителна реакция, но принципите остават същите дотогава, докато в разтвора протичат окисление и редукция [10].

Приема се, че окислителната реакция се осъществява на „микроанода" и затова тази реакция се нарича анодна, а другата реакция – катодна. На практика “микроанодът" и “микрокатодът" образуват една локална електролитна клетка. 0собено интересно е влиянието на свойствата на полупроводника върху анодната реакция. Полупроводникът с Р-проводимост се разтваря без ограничение. Опитът показва.че при N-полупроводник реакцията е склонна към насищане, когато започва да се чувства липсата на дупки. Най-труден етап от анодната, реакция е отделянето на силициевия атом от повърхността, свързано с разкъсване на връзка, за което е необходима дупка. Уравнения (3.3) и (3.4) за германий и силиций изглеждат по следния начин:

1. 
   Ge, окислител фероцианид Fe (CN)
   

(3.5) Ge+3H₂0=H₂GeO₃+4H⁺-4n_ae⁺+4(1-n_a)e^-.

Отделянето на n_а електрони означава, че в полупроводника е съставен следният баланс – във валентната зона са получени n_a, дупки, а в зоната на проводимостта са останали (1— n_a) електрони.

Катодна реакция

(3.6 4Fe(CN)+4(1-n_k)e^-= 4Fe(CN)+4n_ke⁺ .

Приемането на n_k, електрони за редуциране па окислителя означава, че отново е нарушен балансът на токоносителите в полупроводника – иззети са n_k електрони, т. е. в зоната на проводимост са останали (1-n_k) електрони, а във валентната зона са получени n_k дупки. От (3.5) и (3.6) следва общият баланс:

(3.7) Ge+3H₂O+4Fe(CN)=H₂GeO₃+4Fe(CN)+4(n_k-n_a)e⁺.

2. 
   Si, окислител азотна киселина HNO₃
   

8. 
   Si+2H₂O=SiO₂+4H⁺-4n_ae⁺+4(1-n_a)e^-_;
   
9. 
   SiO₂+6HFH₂SiF₆+2H₂;
   
10. 
    HNO₃+2H⁺+(1-n_k)e^-=HNO₂+H₂O+n_ke⁺.
    

Общото време за протичане на реакцията се определя от най-бавната реакция. Очевидно генерацията на токови носители, специфичното съпротивление, повърхностният заряд и рекомбинацията оказват съществено влияние върху кинетиката на химичната обработка. Влиянието на всеки един от тези фактори трябва да се отчита по отношение на механизма на обработка. Например леснообяснимо е, че при осветяване скоростта на ецване нараства. Същото се отнася и за температурата и е свързано с генерацията на носители [1116].

От уравнение (3.53.10) се вижда, че скоростта на генериране на електрони и дупки е равна на (n_k-n_a) пъти броя на разтворените атоми от полупроводниковия материал. Ако, се тьрсят количествени зависимости, трябва да се разграничат двата случая – n_k >n_a и n_ka. В единия случай се осъществява аноден контрол на обработката, а в другия – катоден контрол. Ако концентрацията на дупки по време на анодната реакция превишава тяхната генерация по време на катодната реакция, термогенерацията и дифузията на дупките към повърхността ще бъдат определящи за скоростта на обработката в случай на N-полупроводник. Съответно, ако концентрацията на електрони при катодната реакция превишава тяхната генерация при анодната реак­ция, определящ става потокът от електрони за случая на Р-полупроводник.

Може да се запише, че

(3.12) (n_a-n_k)J=J_p+(g_s-R_s);

(n_a-n_k)J=J_a+(g_s-R_s).

В тези уравнения левите страни представляват консумацията на дупки и електрони, изразена като брой разменени заряди на единица площ и за единица време [N/cm²s]. В десните страни J_p и J_a. са съответно плътността на потоците дупки и електрони, движещи се чрез дифузия към повърхността, а изразите в скобите – разликата между генерацията g, и рекомбинацнята R_а. Известно е, че;

(3.13) J_p=₀

J_p=n₀

В уравн. (3.13) р₀ и n₀, ca равновесните концентрации на неосновните носители. Ако се приеме, че генерацията е незначителна, от (3.12) и (3.13) следва, че при електрохимичен контрол на химичната обработка

(3.14 J=

за N-материал

и J=

за P материал.

Скоростта нa обработките за двата материала ще бъде еднаква, но зависи от концентрацията на материала.

Вторият възможен вариант е дифузният контрол на реакцията. В този случай кинетиката се определя от транспорта на окислителя от обема на разтвора към повърхността за разтваряне, изразена като брой разтворени атоми за единица време на единица площ:

(3.15) J=,

където D е дифузионният коефициент на окислителя, с – концентрацията,  - дебелината на приповърхностния слой, А – площта. В равновесното състояние може да се приеме, че D/_i=const, т. е. кинетиката ще се определя до голяма степен от дебелината на приповърхностния слой. Дебелината е силно зависима от механичното разбъркване на разтвора и от отделянето на газове по време на обработката. Според [174], ако отделянето на газ достигне стойност 10 cm³/cm² min, за приповърхностния слой се получава =3 m. За сравнение механична бъркалка с 21,7 s^-1 осигурява =6 m.

При дифузионен контрол различните материали имат еднаква скорост на ецване при използване на еднакъв окислител.

Факторите, които влияят върху химичното ецване, могат да се разделят на две групи – фактори, които са определящи по отношение на макроскопичните параметри (например, скорост на ецване), и фактори, които са отговорни за микроскопични параметри (например, повърхностна структура). В много случаи няколко фактора имат общо комплексно влияние върху обработката.

Влиянието на ориентацията е свързано с плътността на съответната кристалографска плоскост. Колкото е по-плътна кристалната решетка, толкова по-бавна е химичната обработка.

Влиянието на ориентацията е констатирано и описано от различни автори за германий,силиций и сложни полупроводници.

При последните допълнително влияние оказва наличието на А- и B-равнини, като различният строеж води до следното подреждане по скорост на ецване:

В (111) (100) (110) А (111).

Съществено влияние върху скоростта на ецване има и наличието на повърхностни напрежения и дефекти. Тяхното влияние е подобно на влиянието на ориентацията, тъй като те са свързани с нарушаване на кристалната решетка и разкъсване на валентните връзки.

При определяне на рецептите за химичната обработка се отчитат количествените съотношения между отделните компоненти. Основното изискване към тях е чистотата. Наличието на примеси води до изменение на кинетиката на ецването, като намиращите се в разтвора йони могат да ускоряват или забавят неконтролируемо реакцията.

Освен това скоростта на ецване има максимум по отношение на процентното съдържание на един от компонентите. На фиг. 3.5 са показани диаграмите на постоянна скорoст на ецване за силиций. Влияние оказват и адсорбираните на повърхността примеси, водещи в някои случаи до създаване на слоеве от различен характер. Това се изразява особено силно при обработката на пластинки, стояли при нетехнологични условия.
3.2.2. Химична обработка в газова среда
В основата на газовата химична обработка стои образуването на газообразни междинни продукти при реакция на полупроводниковия материал с пари на F₂, Сl₂, Вr₂, HF, HCl, пари на водата и т. н. Технологията на тази обработка има много общо с високотемпературните процеси – епитаксия, дифузия и окисление.

Съоръженията за тази обработка са принципно различни от тези на течната обработка.

Тъй като механизмът на обработката е тясно свързан с механизма на епитаксията, дифузията и окислението, разгледан в гл. 8, тук се разглеждат само особеностите на газовото ецване.

Използването на газовата обработка е ограничено поради изискването да се получават газообразни продукти по време на реакцията и поради високите температури. Високотемпературните обработки са свързани с изменения в кристалната решетка, които от своя страна водят до промяна в параметрите.

От друга страна обаче, газовата обработка е единственият метод за почистване непосредствено в кварцовата система преди процеси, като епитаксия и окисление. Чрез подходящ избор на ецващия газ може да се постигне анизотропност при обработката, Според [174, 173] при температура до 777°С хлорът може да бъде използван за проявяване на дефекти на опаковката, дислокации и др.

Критерий за качеството на газовата обработка е състоянието на повърхността след химичната обработка, а основно изискване към този метод е чистотата на газовете. Някои автори съобщават за нарушаване на плоскопаралелността в резултат на завихряния в потоците, преминаващи през кварцовата система.

Струйната обработка е известна отдавна. С помощта на такава обработка са били изготвяни опитни образци полеви транзистори (повърхностнобариерни транзистори). При производството на микросплавни и дифузни транзистори също е бил използван този метод. На фиг. 3.6 е показан принципът на струйната обработка, както е била използувана в началото. Чрез подходящ избор на разтвора по отношение на полупроводника се получава само локално разтваряне.

Голямото приложение на струйното ецване е свързано с повърхностната обработка на големи пластини от полупроводник. Образецът и дюзата се привеждат във възвратно-постъпателно движение един спрямо друг, поради което се осъществява обливане на цялата повърхност. Струята преминава многократно, като оставя гладка повърхност с минимална дълбочина на нарушения слой и почти идеална плоскопаралелност. Обикновено извършената по този начин електрополировка става с помощта на разтвор на сярна киселина с малка прибавка на флуороводородна и азотна киселина за силиций и флуороводородна киселина за германий,

Някои производители на силициеви пластини използват образуването на легирани слоеве на повърхността за отстраняване на повърхностния слой. В зависимост от диаграмите на състоянието на двукомпонентната система се избира температура на сплавяне. Полученият рекристализационен слой се разтваря по химичен път.

Съвременната полупроводникова технология разполагаща с ецващи разтвори за всеки тип полупроводник.

Обикновено процентното съдържание е следното: HF – 48%, HNO₃ – 70% (концентрирана), HNO₃ – 90% (димяща), H₂O₂ – 30%, HCl – 36%, CH₃COOH –98%, H₂SO₃ – 97%, NH₄OH – 30% и т. н. При изчисляване на обемните части се използват молярните процентни съотношения.
Si – SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃

Състав	Скорост/време	Предназначения забележки
1	2	3
NH4OH:H2O2:H2O=1:1:3 HCl:H2O2:H2O=1:1:3 HF:H2O=1:10	10’ – изваряване 15’ – измиване 10’ – изваряване 15’ – измиване 15’’ – изваряване 15’ – измиване	почистване
HNO3 HF:H2O=1:10	10’ – изваряване 15’’ – измиване	освежаване
H2SO4(150-200)0C HNO3 (кипяща) HF:H2O/NH4OH:H2O=1:10	10’ – изваряване 15’ – измиване 5’ – изваряване 10’ – измиване 6’’ – изваряване 20’ – измиване 10’ – измиване с ацетон	почистване от органични замърсявания, отстраняване на сулфатните групи, отстраняване на SiO2
HNO3:HF:CH3COOH:Br=45,45:27,27:27,27+0,5 mlBr/100 ml (об%)	0,15 m/min за T=230C	полиращо действие (СРЧ) HF – 40%, HNO3 – концентрирана CH3COOH – 98%
HNO3:HF:CH3COOH=45,45:27,27:27,27	10 m/min за T=230C	полиращо действие (СР6)
HNO3:HF:CH3COOH:Br=25:25:50+0,75 ml Br/100ml	0,18 m/min за T=230C	структуриращо действие HF – 40%, HNO3 – 56%
HNO3:HF:CH3COOH:J=38,9:19,2:42,3+1g J/100 ml	12 m/min за T=230C	полиращо действие
HNO3:HF:CH3COOH:J=48,1:9,6:42,3+0,1g J/100 ml	1,2 m/min за T=230C	полиращо действие
HNO3:HF:CH3COOH=21,4:7,2:71,4	0,13 m/h за T=230C	структуриращо действие (проява на дислокации)
HNO3(дим 86%): H2:CH3COOH=2:1:1 HF(48%):CH3COOH (98%)	15 m/min за T=230C	полиращо действие
HNO3 конц. 16,67% HNO3 димяща 27,78% HF 40% 11,11% CH3COOH 44,44%	3 m/min за T=230C	полиращо действие
HNO3 конц. 74,63% HF 10,45% CH3COOH 7,46% HCIO (перхлорат) 7,46%	1 m/min за T=230C	полиращо действие
HNO3 конц. 400ml HF 48% 10ml I AgNO3 1%р-р10ml Пропиленгликол 200ml H2O II 200ml	0.1m/min за Т=23 C	Ецване на силиций с фотолак,компонент I и компонент II се смесват непосредствено преди обработката,съхранява се в полиетиленов съд
HNO3 конц. 0,5% HF 48% 99,5%		Проявяване на PN преход
HNO3 конц. HF 48% Cu(NO3)2 10% CH3COOH 98% Br 1,8 ml/100ml	31% 43,4% 17,7% 7,9%	Проявяване на PN преход и плътност на дефектите
CuSO4 .5H2O (20-200)g/l HF 48% 1%		Проявяване на PN преход
HNO3 67% 50% HF 49% 49,9% H2O 0,1%		Проявяване на PN преход
NH2(CH2)2NH2 8ml C6H4(OH)2 17ml H2O 3g	[1 1 1]-3m/h [1 1 0]-30m/h [1 1 0]-50m/h T=98C	Селективно ецване на силиций в затворена система (защитен газ)
HNO3 70% 30части HF 48% 20части C6H5NH2(анилин) 1част CH3COOH	40g -12m/min 50g –8- 10m/min 70g -4m/min 90g -2m/min за Т=23С	Полиращо действие
HF 48% 97% тегл. KMnO4 3% тегл.	-	Проявяване на PN преход
NH4F 200g HF 48% 68ml H2O 150ml Разтвор:H2O=1:1	0,1m/min за Т=23С	Ецване на SiO2
NH4F 200g HF 48% 70ml H2O 300ml Разтвор: H2О=1:8,5(1:10)	0,07m/min за T=23C	Ецване на SiO2
NH4F HF 48% H2O Разтвор:H2O=1:6		За SiO2 без съдържание на P
HF:H2O=1:99 (тегл. %)	0,008m/min	Ецване на SiO2
KOH: H2O 5%разтвор 100%разтвор 20%разтвор 40%разтвор	1-2m/min	Матова блестяща силно изразена микроструктура (фиг. 3.7)
NaOH:H2O като при KOH	1-2m/min	Като при KOH
NaOH (30%)	75C/15’	Проявяване на ориентировъчни фигури [1 1 1]
KOH (30%)	Вряща/30’	[1 0 0]
HNO3 (68%) 715cm2 HF (38 –40%) 887cm2 CH3COOH 1000сm2	23C/10’-15’	Полиращо ецване
HF (38-40%) 265cm2 CrO3 100cm2 H2O 200cm2	23C/10’	Проявяване на дислокации [1 1 1]
HF (38-40%) 355cm2 CrO3 100cm2 H2O 200cm2	23C/25’	Проявяване на дислокации [1 0 0]
HNO3 концентрирана 25 HF 48% 50 Cu(NO2)3 10% р-р 25	1,5m/min за Т=23С	Полиращо действие
H2O2 30% 1 част HF 48% 1 част H2O 4 части	3min	Проявяване на дефекти структуриращо действие(фиг. 3.8)
HNO3 70% 5части HF 48% 10части CH3COOH 98% 11части J2 30mg	4min	Полиращо действие
1	2	3
HF 48% 97% тегл. KMnO4 3% тегл.	-	Проявяване на PN преход
NH4F 200g HF 48% 68ml H2O 150ml Разтвор:H2O=1:1	0,1m/min за Т=23С	Ецване на SiO2
NH4F 200g HF 48% 70ml H2O 300ml Разтвор: H2О=1:8,5(1:10)	0,07m/min за T=23C	Ецване на SiO2
NH4F HF 48% H2O Разтвор:H2O=1:6		За SiO2 без съдържание на P
HF:H2O=1:99 (тегл. %)	0,008m/min	Ецване на SiO2
KOH: H2O 5%разтвор 100%разтвор 20%разтвор 40%разтвор	1-2m/min	Матова блестяща силно изразена микроструктура (фиг. 3.7)
NaOH:H2O като при KOH	1-2m/min	Като при KOH
NaOH (30%)	75C/15’	Проявяване на ориентировъчни фигури [1 1 1]
KOH (30%)	Вряща/30’	[1 0 0]
HNO3 (68%) 715cm2 HF (38 –40%) 887cm2 CH3COOH 1000сm2	23C/10’-15’	Полиращо ецване
HF (38-40%) 265cm2 CrO3 100cm2 H2O 200cm2	23C/10’	Проявяване на дислокации [1 1 1]
HF (38-40%) 355cm2 CrO3 100cm2 H2O 200cm2	23C/25’	Проявяване на дислокации [1 0 0]
HNO3 концентрирана 25 HF 48% 50 Cu(NO2)3 10% р-р 25	1,5m/min за Т=23С	Полиращо действие
H2O2 30% 1 част HF 48% 1 част H2O 4 части	3min	Проявяване на дефекти структуриращо действие(фиг. 3.8)
HNO3 70% 5части HF 48% 10части CH3COOH 98% 11части J2 30mg	4min	Полиращо действие
Al HF:H2O=1:1 HNO3:CH3COOH: Ортофосфорна: H2O3=2ml:5ml: 80ml:10ml		Ецва се още от:NaOH,HCl,FeCl3
Cr HCl:H2O2=3:1 HCl:H2O=1:1 Ce(SO4)2:H2O: H2SO4=20g:0,5l: 50mg		HNO3,FeCl3,HCl,Fe(CN)6,NaOH
Ковар CrO3+H2SO4		FeCl3
Au HCl:HNO3=3:1		HCl:HNO3­=1:3
Mo HCl:H2O2=1:1 H3PO4:CH3COOH: HNO3:H2О= 70:15:3:5		K3Fe(CN)6+NaOH H2SO4:HNO3: H2O=1:1:3
Ni HNO3:CH3COOH: Ацетон=1:1:1		FeCl3 HNO3:HCl:H2O=1:1:2
Fe2O3 H3(PO4) HCl:FeCl3:H2O CuJ:HCl:H2O= 0,5g:1l:1l		80C
Pd HCl:HNO3=1:3		Гореща баня 60-80C
Pt HCl:HNO3=3:1 NH4OH:H2O=1:1 HF:HNO3=1:1 HNO3:HF:H2O=50:1:1 H2O2:HF:H2O=20:1:1		Гореща баня 60-80C HF:H2O=1:9 HF:HNO3 голяма скорост