Изпитен Тест



Дата05.03.2018
Размер256.11 Kb.

Изпитен Тест


   1. Дефинирайте понятията генерация и рекомбинация на токоносителите. Илюстрирайте преходите на електроните върху зонната диаграма .
   2. Kонцентрацията на неосновните токоносители в примесен полупроводник зависи от: а) температурата; б) подвижността на токоносителите; в) типа на полупроводниковия материал; г) концентрацията на примесите; д) енергията на активация на примесите.
   3. Начертайте PN преход, поляризиран в права посока. Означете посоките на дифузионния и дрейфов ток, посочете съотношението в големините им и посоката на общия ток през прехода.
   4. Дефинирайте явлението инжекция. Пояснете графично изменението на токоносителите с координатата x.
   5. Напишете уравнението на волтамперната характеристика на идеален диод. Пояснете използваните. Определете аналитичен израз за диференциалното съпротивление на диода.
   6. Начертайте волтамперната характеристика на Si диод в права и обратна посока. Начертайте товарната права при включване на диода в права посока и определете работната точка.
   7. Какви капацитети има PN преходът и какво е тяхното съотношение при свързване в права и обратна посока?
        
   8. Дефинирайте понятието максимално допустима мощност. Дайте аналитичния израз. Посочете условието за възникване на топлинен пробив в диода.
   9. Начертайте формата на изходния сигнал Uизх(t) за схемата от фиг.1 при посочената форма на входния сигнал.
   10. Начертайте волт-амперната характеристика на ценеров диод с Uz = 3 V при две температури, ако T2 > T1. С какъв пробив работи диодът? Дефинирайте температурния коефициент TKUz и го определете от характеристиките.
   11. Начертайте биполярен NPN транзистор, свързан в схема ОB. Означете поляритета на напреженията и посоките на токовете за активен нормален режим. Подредете по големина токовете и посочете връзката между тях.
   12. Напишете уравнението на изходния ток на биполярен транзистор в схема ОЕ. Пояснете използваните означения. Дайте връзка между коефициентите на предаване по ток за схеми OE и OB.
   13. Начертайте семейството входни статични характеристики в схема ОБ. Дефинирайте ефекта на Ърли и пояснете влиянието му върху отместването на характеристиките.
   14. Кои от посочените зависимости са верни?
а) UBRceo > UBRcbo ; б) UBRceo UBRcbo ; д) UBRebo    15. Начертайте изходните характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ. Постройте товарната права по постоянен ток. Изберете работна точка за получаване на максимален неизкривен изходен сигнал.


   16. Определете максималната стойност на Rb за схемата от фиг.2, при която транзисторът ще работи в режим на насищане.
   17. Напишете системата h параметри за биполярен транзистор в схема OB и начертайте еквивалентната схема.
   18. Дефинирайте граничната честота fß . Пояснете графично. Дайте аналитичната зависимост.
   19. Начертайте условното графично означение на полеви транзистор с управляващ PN преход с N канал и постройте изходните му характеристики. Посочете стойности за управляващото напрежение. Определете Rизх.
   20. Напишете условието за работа на MOS транзистор в пентоден режим...
   21. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с N индуциран канал. Дефинирайте понятието стръмност и я определете от характеристиките.
   22. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор.с P вграден канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение за работа в режим на обедняване и обогатяване на канала.
   23. Определете праговото напрежение UT и стръмността S за схемата от фиг.3, ако b= (2/3mA) / V*2 и UD = 5V.
   24. Начертайте CMOS структурата? Кое е основното й предимство?
   25. Кой електрод се използва за управление на яркостта на лъча в ЕЛТ? а) венелтов цилиндър; б) първи анод; в) втори анод; в) отклоняващи пластини.

Полупроводникови диоди 


1. Начертайте формата на изходния сигнал Uизх (t) за схемата от фиг.1, при посочената форма на вх. сигнал Uвх(t).

 

2. Начертайте полупроводников диод, поляризиран в права посока, и със стрелка обозначете посоката на протичаaия през диода ток.


3. Коя компонента на тока (електронна или дупчеста) ще преобладава в PN преход при ниски нива на инжекция, ако е известно че NA >> ND. Изразете коефициента на инжекция ? за този случай. 

4. Големината на дифузния ток през PN преход зависи oт:

            а) oсновните токоносители, преодоляващи потенциалната бариера; 

            б) неосновните токоносители, преминаващи през прехода; 

            в) приложеното напрежение 

            г) температурата.


5. Напишете уравнението на волт-амперната характеристика на реален диод. Пояснете кои фактори отличават тази характеристика от идеалната при право включване на прехода.
6. Начертайте обратната волт-амперна характеристика на Si диод като поясните графично съставките на обратния ток за реален диод.
7. Начертайте резултантната V-A характеристика на два последователно и насрещно свързани ценерови диода.
                                   

8. Дрейфовият ток в диода се формира:


            а) от основни токоносители, преодоляващи височината на потенциалната бариера; 

            б) от неосновни токоносители, преминаващи прехода под действие на градиента на полето; 

            в) при явлението инжекция;

            г) през диода протича само дифузионен ток.

9. Дефинирайте понятието екстракция.
 

10. Напишете уравнението на волт-амперната характеристика на идеализиран диод.


11. Как се изменя правото напрежениe UF на диода при увеличаване на температурата?
            а) увеличава се експоненциално

            б) намалява линейно; 

            в) не зависи от температурата.
12. Посочете факторите, влияещи върху волт-амперната характеристика на реален диод при обратно включване, като за всеки един посочите при кои диоди (Si или Ge) има преобладаващо влияние.
13. В обща координатна система начертайте волт-амперната характеристика на Si диод при право включване за две температури (Т2>Т1). Дефинирайте температурния коефициент на напрежението и пояснете кои фактори го определят.
14. Дефинирайте понятието диференциално съпротивление на диода и пояснете графично как може да се oпредели от характеристиката на диода за дадена работна точка. (Работната точка да се зададе като се построи товарната права в полето на статичната волтамперна характеристика за диода.)
15. Определете еквивалентната статична волт-амперна характеристика за комбинацията от паралелно включен силициев диод и резистор със стойност 1кW.
16. Начертайте волт-амперната характеристика на високоволтов ценеров диод за две температури (Т2>Т1). Как може да се компенсира температурният коефициент на напрежението в областта на пробив?
17. Дифузионен капацитет: дефиниция; заряди, които го формират; кои фактори влияят върху големината му? При кое включване на диода оказава преобладаващо влияние?
18. В обща координатна система начертайте ВАХ на германиев и силициев диод (в права и обратна посока), като посочите числени стойности за напреженията по абцисната ос.

19. Начертайте ВАХ на силициев диод (в права и обратна посока) при две различни температури Т1>Т2.


20. Какво ще бъде показанието на амперметъра от фиг. 1 при посочените стойности на входното напрежение, ако диодът е от Si ?
21. Как се променя пробивното напрежение за ценеров диод с Uz = 12V, при повишаване на температурата?
            а) расте, защото пробивът е тунелен; 

            б) намалява, защото пробивът е тунелен; 

            в) расте, защото пробивът е лавинен; 

            г) намалява, защото пробивът е лавинен; 

            д) не се променя.
22. При обратно включен PN преход :
            а) се увеличава токът от основни токоносители, преодоляващи височината на потенциалната бариера; 

            б) се увеличава токът от неосновни токоносители, преминаващи под действие на градиента на полето; 

            в) настъпва явлението екстракция; 

            г) настъпва явлението инжекция;

23. Дефинирайте понятието инжекция. От какво зависи граничната неравновесна концентрация?
24. В полето на статичната волтамперна характеристика на диода начертайте товарната права и покажете как може да се определи графично диференциалното съпротивление на диода.
25. Избройте компонентите на обратния ток на реален диод, като за всеки един посочите при кой от диодите (Si или Ge) има преобладаващо влияние.
26. Начертайте малосигналната еквивалентна схема на диод.
27. Как се изменя пробивното напрежение за високоволтови ценерови диоди при нарастване на температурата?
            а) расте;
            б) намалява; 

            в) не се изменя при промяна на температурата.


28. Начертайте времедиаграмите при превключване от право в обратно свързване при работа на диода в импулсен режим. Върху графиката посочете, свързаните с това превключване импулсни параметри.
29. Какви свойства ще има контакт метал - N полупроводник ако отделителната работа на метала е по-малка от тази на полупроводника?
            а) изправящи ;
            б) неизправящи (омичен контакт); 

            в) има по-добри импулсни стойства; 

            г) има по-малък пад в права посока и по-малък обратен ток.
30. При право включен PN преход :
            а) се увеличава токът от основни токоносители, преодоляващи височината на потенциалната бариера; 

            б) се увеличава токът от неосновни токоносители, преминаващи под действие на градиента на полето; 

            в) настъпва явлението екстракция; 

            г) настъпва явлението инжекция;


31. Коя компонента на тока (електронна или дупчеста) ще преобладава в PN преход при ниски нива на инжекция, ако е известно че концентрацията на донорите значително превишава тази на акцепторите. Изразете коефициента на инжекция за този случай.
32. Дефинирайте понятието диференциално съпротивление на диода и пояснете графично неговото изменение от режима и температурата.
33. Избройте факторите, влияещи върху волт-амперната характеристика на реален диод при право включване, като за всеки един посочите при каква големина на токовете има преобладаващо влияние.
34. В обща координатна система начертайте волт-амперната характеристика на Si диод за две температури (Т2>Т1), включително в областта на пробив.
35. Когато диференциалното съпротивление в областта на пробив е по-малко, стабилизиращото действие на ценеров диод е:
            а) по-добро;
            б) по-лошо; 

            в) не се изменя при промяна на диференциалното съпротивление.


36. Начертайте времедиаграмите при установяване на правото напрежение на диода при работа в импулсен режим.
37. Кои са предимствата на Шотки диод спрямо силициев ?

            а) има по-малко време на живот на неосновните токоносители;

            б) няма инжекция на неоснови токоносители; 

            в) няма дифузионен капацитет;


38. Дифузионният ток в диода се формира :
            а) от основни токоносители, преодоляващи височината на потенциалната бариера; 

            б) от неосновни токоносители, преминаващи под действие на градиента на полето; 

            в) при явлението екстракция; 

            г) през диода не протича дифузионен ток, а само дрейфов.


39. Дефинирайте понятието инжекция. Изразете графично изменението на токоносителите като функция на координатата при ниски нива на инжекция.
40. Напишете уравнението на волт-амперната характеристика на реален диод.
41. Посочете факторите, влияещи върху волт-амперната характеристика на реален диод при право включване, като за всеки един посочите при каква големина на токовете има преобладаващо влияние.
42. В обща координатна система начертайте волт-амперната характеристика на Ge диод за две температури (Т2>Т1), включително в областта на пробив.
43. Да се определи еквивалентната статична волт-амперна характеристика за комбинацията от последователно свързан силициев диод и резистор със стойност 1кW.
44. Начертайте волт-амперната характеристика на ценеров диод, посочете основните му параметри и пояснете техния смисъл.
45. Бариерен капацитет: дефиниция; заряди, които го формират; кои фактори влияят върху големината му? При кое включване на диода оказава преобладаващо влияние?
46. Кой диод (силициев или Шотки) има по-добри импулсни свойства при една и съща площ на прехода? 

            а) силициев, защото има по-малко време на живот на неосновните токоносители; 

            б) Шотки, защото няма инжекция на неоснови токоносители; 

            в) Шотки, защото няма дифузионен капацитет; 

            г) Шотки, защото има по-голямо време за разсейване на неосновните токоносители.
47. С какво се обяснява наличието на контактна потенциална разлика на прехода: 

            а) с екстракция на токоносители;

            б) с наличие на външен токоизточник; 

            в) с изменение структурата на кристалната решетка; 

            г) с наличие на двоен обемен заряд от двете страни на прехода; 

            д) с инжекция на токоносители през прехода.


48. В обща координатна система начертайте волт-амперните характеристики на Si и Шотки диод. Сравнете двата диода по UF, IR, CD и коефициент на инжекция. (Използвайте знаци за неравенство > и <).
49. Начертайте правата волт-амперна характеристика на Si диод като поясните графично съставките на тока за реален диод. Напишете уравнението за реален диод.
50. Начертайте резултантната V-A характеристика на два последователно и насрещно свързани Ge диода.
51. Кои процеси са определящи за импулсните свойства на диод при големи токове?
            а) натрупване и разсейване на токоносителите в базата; 

            б) презареждане на бариерния капацитет; 

            в) презареждане на дифузния капацитет.

52. Какво ще е показанието на волтметъра на фиг.1а и фиг.1б, ако диодът е от Si ?


    

53. Какво ще е показанието на волтметъра на фиг.2а и фиг.2б, ако диодът е от Si ?



    

54. Начертайте изходния сигнал при посочената на граф.1 форма на входния сигнал за фиг.3, фиг.4, фиг.5 и фиг.6.





    

    

55. Определете показанията на волтметъра от фиг.7а и фиг.7б, ако Uz = 5.6V



    

56. Определете показанията на волтметъра от фиг.8а и фиг.8б, ако Uz = 5,6V.



    

57. Начертайте изходният сигнал на фиг.9, фиг.10 и фиг.11, при посочената на граф.2 форма на входния сигнал.





 

    

58. Ценеров диод е свързан по посочената на фиг.14 схема. Да се определят допустимите стойности за токоограничаващия резистор R, ако: Е=15V±10%, Uz=10V, Rт=(1÷10)kΩ, Izmin=3mА и Izmax=30mA.


Биполярни транзистори 


1. Напишете уравнението на изходния ток на биполярен транзистор в схема ОБ. Пояснете използваните означения.

 

2. В полето на изходните статични характеристики на биполярен транзистор, свързан в схема ОЕ, начертайте товарните прави по постоянен и променлив ток. Посочете отрезите от координатните оси, стойността на rT и  jT.



 

3. Подредете по големина динамичните коефициенти на усилване по ток Ki и напрежение Ku за схеми ОЕ, ОБ и ОК. 

 

4. Начертайте в.ч. еквивалентна схема на Джаколето за биполярен транзистор. Пояснете използваните означения. 



 

5. Дефинирайте условието за насищане на биполярен транзистор. Дайте изрази за ICsat и IBsat

 

6. Кои от посочените зависимости са верни? 



 

            а) a = ß/(1 + ß

            б) a = (1 + ß)/ß 

            в) ß = a /(1 - a)

            г)  ß = (1 - a)/a

            д) ß = a /(1 + a)

7. О
пределете максималната стойност на Rb за схемата от фиг.1, при която транзисторът ще работи в режим на насищане. 

 

8. При честота f = fß биполярен транзистор има коефициент на предаване по ток ß = 70. Да се определи стойността на ß, ако честотата се повиши два пъти. 



 

9. Начертайте графичното означение на биполярен NPN транзистор и означете поляритета на приложените напрежения за работа в активен нормаен режим. Посочете със стрелки посоките на токовете и напишете връзката между тях. 

 

10. Кои от посочените зависимости са верни? 



 

            а) a  > ß


            б) a  < ß
            в) » ß
            г) » 1
            д) ß » 1

11. Начертайте семейството входни статични характеристики на биполярен NPN транзистор, включен в схема ОЕ, и посочете как от тях ще се определи входното съпротивление. 

12. Сравнете схеми ОЕ и ОБ по коефициент на предаване по ток, пробивно напрежение и гранична честота. 

13. Биполярен транзистор е свързан в схема обща база. Да се определи изходният ток IC, ако е известно, че входният ток IE = 10mA, ß = 99 и ICEO = 100 µA. 

14. Подредете по големина пробивните напрежения UBRebo, UBRcbo, UBRceo

15. Дефинирайте граничната честота fß. Дайте аналитична зависимост и пояснете графично. 

16. Времето за изключване toff на биполярен транзистор зависи от: 

            а) времето за разнасяне на токоносителите

            б) времето на живот на токоносителите

            в) степента на насищане

            г) стойността на пробивното напрежение UBRebo

            д) максимално допустимата мощност на колекторния преход

17. Биполярен транзистор може да разсее максимална мощност 1W при температура на околната среда Ta = 25 оC. Да се определи каква мощност може да разсее транзисторът при Ta = 40 оC, aко Тjmax = 125 оC. 

18. Начертайте биполярен NPN транзистор, свързан в схема ОB. Означете поляритета на напреженията и посоките на токовете за активен нормален режим. Подредете по големина токовете и посочете връзката между тях. 

19. Напишете уравнението на изходния ток на биполярен транзистор в схема ОЕ. Пояснете използваните означения. Дайте връзка между коефициентите на предаване по ток за схеми OE и OБ. 

20. Начертайте семейството входни статични характеристики в схема ОБ. Дефинирайте ефекта на Ърли и пояснете влиянието му върху отместването на характеристиките. 

21. Кои от посочените зависимости са верни? 

            а) UBRceo > UBRcbo

            б) UBRceo < UBRcbo

            в) UBRceo  » UBRcbo

            г) UBRebo > UBRcbo

            д) UBRebo < UBRceo

22. Начертайте изходните характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ. Постройте товарната права по постоянен ток. Изберете работна точка за получаване на максимален неизкривен изходен сигнал. 

23. Напишете системата h параметри за биполярен транзистор в схема OB и начертайте еквивалентната схема. 

24. Начертайте биполярен NPN транзистор, свързан в схема ОЕ. Означете поляритета на напреженията и посоките на токовете за активен нормален режим. Подредете по големина токовете и посочете връзката между тях. 

25. Напишете уравнението на изходния ток на биполярен транзистор в схема ОБ. Пояснете използваните означения. 

26. Начертайте семейството входни статични характеристики в схема ОБ. Дефинирайте параметъра h11, пояснете физическия му смисъл и покажете как може да се определи от характеристиките. 

27. Кои от посочените зависимости са верни? 

            а) Iceo = (ß + 1)Icbo;

            б) Icbo = (ß + 1)Iceo

            в) Iceo = Icbo

            г) Iceo = (a + 1)Icbo

            д) Icbo = (a + 1)Iceo 

28. Начертайте семейството изходни статични характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ. Постройте областта на безопасна работа, като означите от кои величини се ограничава тя. 

29. Дефинирайте условието за насищане на биполярен транзистор. Каква е стойността на токовете IBsat и ICsat

30. Дефинирайте понятието максимално допустима мощност. Кое е условието за настъпване на топлинен пробив? 

31. Начертайте условното графично означение на биполярен NPN транзистор в схема ОБ и посочете поляритета на приложенените напрежения и посоките на токовете за работа в активен нормален режим Подредете по големина токовете в биполярен транзистор при нормален активен режим на работа. 

32. Начертайте семейството изходните статични характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване OБ. Означете областите на насищане, отсечка и активен нормален режим. 

33. Дефинирайте граничната честота на коефициента на предаване по ток при схема OБ. Напишете формулата и пояснете графично. 

34. Начертайте биполярен NPN транзистор, свързан в схема ОБ. Означете поляритета на напреженията и посоките на токовете за активен нормален режим. Подредете по големина токовете и посочете връзката между тях. 

35. Начертайте семейството входни статични характеристики в схема ОЕ. Дефинирайте понятието диференциално съпротивление и покажете как може да се определи от характеристиките . На кой h параметър съответства? 

36. Начертайте семейството изходни статични характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ. Постройте товарните прави за постоянен и променлив ток. 

37. Сравнете по големина динамичните параметри (kU, kI, Rвх, Rизх ) за схеми на включване ОЕ и ОБ. 

38. Напишете системата уравнения с h параметри в схема ОБ и начертайте еквивалентната схема? 

39. На кои явления се основава принципът на действие на биполярен транзистор? 

40. Подредете по големина токовете в биполярен транзистор при нормален активен режим на работа. 

41. Начертайте изходните характеристики на биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ и посочете областта на безопасна работа. 

42. Как се изменя коефициентът на усилване по ток за биполярен транзистор при нарастване на времето на живот на токоносителите? 

            а) расте
            б) намалява
            в) не се променя

43. Напишете h-системата уравнения и начертайте еквивалентната схема с h-параметри за транзистор в схема ОЕ. 

44. Подредете по големина граничните честоти за биполярен транзистор 

45. За даден транзистор отношението на обратните токове Iceo/Icbo = 101. Какъв ток ще протече през емитерната верига на транзистора, свързан в схема ОЕ, ако базовият ток Ib = 50 µА и обратният колекторен ток Icbo = 100 nA? 

46. Напишете h-системата уравнения за биполярен транзистор при схема на свързване ОЕ. Начертайте съответната еквивалентна схема. 

47. Сравнете схема ОЕ и схема ОБ по динамични параметри (kU, kI, kP, Rвх, Rизх), пробивни напрежения, гранични честоти и стойността на обратния колекторен ток 

48. През транзистор, свързан в схема ОЕ, тече колекторен ток Ic = 2, 51 mA, при Ib=25 µA , и ток Ic = 4,51 mA, при Ib=45 µA. 

            а) Определете a  и Icbo

            б) какъв ток ще протече в колекторната верига на същия транзистор, свързан в схема ОБ, при входен ток Iе = 5 mA 

49. Ефект на Ьрли. Същност. Следствия. Отражение в уравнението на колекторния ток 

50. Сравнете схема ОЕ и схема ОБ по: динамични параметри, пробивно напрежение и гранични честоти на коефициента на предаване по ток. (Използвайте знаците >, < ) 

51. Начертайте еквивалентната схема на транзистор в режим на насищане 

52. Постройте товарната права по постоянен ток в полето на статичните характеристики на тразистор в схема ОЕ. Посочете от какво се ограничава максимално неизкривената амплитуда на сигнала 

53. Как ще се измени времето за изключване на транзистора toff при работа в импулсен режим, ако се увеличи токът в базата при право включване. 

            а) ще нарастне
            б) ще намалее

            в) не зависи от тока при право включване

            г) ще се намали времето, за което токът спада от 0,9 до 0,1 от установената си стойност

54. Изразете графично зависимостите на коефициента на усилване по ток в схема ОЕ от режима (Ic, Uce) и температурата? 

55. В полето на изходните статични характеристики на биполярен транзистор в схема ОЕ означете областите на отсечка, насищане и активен режим. Постройте товарните прави за постоянен и променлив ток. 

56. Сравнете по големина динамичните параметри (kI , kU , kP , Rвх , Rизх) за схеми ОЕ и ОК. 

57. Дефинирайте граничната честота на преминаване (транзитна честота). Сравнете я по големина с fa  и f ß 

58. Влияе ли капацитетът на емитерния преход върху честотните свойства на транзисора?

            а) влияе, защото е необходимо време за презареждането му

            б) не влияе, защото емитерният преход е отпушен и съпротивлението му е малко

            в) не влияе, защото емитерният капацитет е дифузен

59. Сравнете по големина динамичните параметри за схеми ОЕ и ОК . 

60. Начертайте малосигналната еквивалентна схема за биполярен транзистор, свързан в схема ОБ. 

61. Ако се намали времето на живот на неосновните токоносители в биполярен транзистор се:

            а) подобряват усилвателните свойства

            б) намалява коефициентът на усилване по ток

            в) подобряват се импулсните стойства

            г) подобряват се честотните свойства

            д) увеличава се обратният ток

            е) влошават се импулсните и честотни параметри

62. Дефинирайте граничната честота на коефициента на усилване по ток в схема ОЕ. Пояснете графично. 

63. Постройте товарната права по постоянен ток в полето на статичните характеристики на тразистор в схема ОЕ. Посочете от какво се ограничава максимално неизкривената амплитуда на сигнала. 

64. Кога биполярният транзистор работи в схема с общ емитер? Посочете поляритетът на напрежението и посоката на токовете за NPN транзистор, работещ в активен нормален режим. 

65. Изведете зависимостта Iизх f(Iвх) за схема на включване ОК. 

66. Сравнете по големина динамичните коефициенти на усилване по ток и напрежение за трите схеми на включване. 

67. Дефинирайте зависимостта между токовете в транзистора, за да навлезе в насищане. Как се определят коефициента и степента на насищане? 

68. Кога биполярният транзистор работи в схема с общ колектор? Какъв коефициент на усилване по напрежение има тази схема? 

69. Изведете зависимостта Iизхf(Iвх) за схема на включване ОЕ. Как в полученото уравнение може да се отрази влиянието на ефекта на Ерли?

70. С какво се обяснява протичането на колекторен ток след смяна на полярността на входния сигнал за запушване на транзистора при работа в импулсен режим? 

            а) генерация на токоносители на колекторния преход

            б) инжекция на неосновни токоносители от колектора в базата

            в) разряд на бариерния емитерен капацитет

            г) преминаване на натрупаните в базата токоносители през колекторния преход

71. Кога биполярният транзистор работи в схема с общ колектор? Какъв коефициент на усилване по напрежение има тази схема? 

72. Начертайте еквивалентната схема на биполярен транзистор с физически параметри в схема ОБ. 

73. Начертайте времедиаграмите, характеризиращи преходните процеси при превключване на биполярен транзистор в схема ОЕ. Посочете импулсните параметри. 

74. Сравнете схема ОЕ и схема ОБ по: динамични параметри, пробивно напрежение и гранични честоти на коефициента на предаване по ток. 

75. Да се определи граничната честота за схема общ емитер, ако модулът на коефициента на усилване по ток за честота f1=2MHz e ß1=38, a за честота f2 = 4MHz e ß2 = 20.7. 

76. При кой режим на транзистора коефициентът на усилване по ток ß е по-голям? 

            а) нормален активен


            б) инверсен активен

            в) стойността на коефициента ß не зависи от режима на работа на транзистора

            г) промяната на режима на работа води до изменение само на коефициента ß

77. Начертайте малосигналната еквивалентна схема с физически параметри за биполярен транзистор, свързан в схема ОБ. 


Полеви транзистори 


1. Начертайте структурата на полеви транзистор с управляващ PN преход с N канал и постройте семейството предавателни характеристики. Посочете примерни стойности за UDS.

2. Дефинирайте понятието прагово напрежение за MOS транзистор с индуциран канал.

3. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с Р вграден канал. Дефинирайте понятието стръмност и я определете от характеристиките.

4. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор с N индуциран канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение. Дефинирайте Rизх и посочете как се определя от характеристиките.

5. FAMOS транзистор:

            a) се използва като елемент памет

            б) записва и изтрива информация по електрически път

            в) записва информация по електрически път и я изтрива с UV лъчи

            г) има регулируемо прагово напрежение

            д) има нищожна консумация

            е) съхранява информацията и при изключване на захранването

6. В какви режими може да работи MOS транзистор с N -индуциран канал?

            а) инверсен активен режим
            б) режим на обогатяване

            в) режим на обедняване


            г) режим на обогатяване и режим на обедняване

            д) няма верен отговор

7. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с N индуциран канал и дефинирайте понятието стръмност.

8. Начертайте семейството изходни статични характеристики на MOS транзистор с P-вграден канал и означете триодната и пентодната област.

9. Начертайте условното графично означение на полеви транзистор с управляващ PN преход с N канал и постройте изходните му характеристики. Посочете стойности за управляващото напрежение.

10. Дефинирайте условието за работа на MOS транзистор в пентоден режим.

11. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с N вграден канал. Дефинирайте понятието стръмност и я определете от характеристиките.

12. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор с P индуциран канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение. Означете триодната и пентодна област на работа.

13. MNOS транзистор:

            a) се използва като елемент памет

            б) записва и изтрива информация по електрически път

            в) записва информация по електрически път и я изтрива с UV лъчи

            г) има регулируемо прагово напрежение

            д) има нищожна консумация

            е) съхранява информацията и при изключване на захранването

14. Начертайте условното графично означение на полеви транзистор с управляващ PN преход с Р канал и постройте изходните му характеристики. Посочете стойности за управляващото напрежение. Определете Rизх.

15. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с N индуциран канал. Дефинирайте понятието стръмност и я определете от характеристиките. 

16. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор с P вграден канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение за работа в режим на обедняване и обогатяване на канала. 

17. Начертайте CMOS структурата? Кое е основното й предимство? 

18. Какъв поляритет има праговото напрежение на MOS транзистор с N индуциран канал ?

            а) положителен
            б) отрицателен
            в) нула

19. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор.с P индуциран канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение. Означете триодната и пентодна област на работа. 

20. Начертайте структурата на MNOS транзистор? За какво се използва? 

21. Начертайте структурата на полеви транзистор с управляващ PN преход с P канал и посочете полярността на приложените напрежения за правилната му работа. 

22. Дефинирайте понятието прагово напрежение за MOS транзистор с вграден канал. 

23. Начертайте предавателните характеристики на MOS транзистор с N индуциран канал за две температури T2 > T1

24. Начертайте семейството изходни характеристики на MOS транзистор с P вграден канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение. Обозначете триодната и пентодна област на работа. 

25. Дефинирайте условието за работа на MOS транзистор в триоден режим

26. Какъв поляритет има праговото напрежение на MOS транзистор с P индуциран канал ? 

            а) положителен


            б) отрицателен
            в) нула

27. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с P вграден канал. Дефинирайте понятието стръмност и я определете от характеристиките. 

28. Начертайте структурата на полеви транзистор с управляващ PN преход с N канал и посочете полярността на приложените напрежения за правилната му работа. 

29. Начертайте семейството предавателни характеристики на MOS транзистор с P индуциран канал. 

30. Начертайте семейството изходните характеристики на MOS транзистор.с N вграден канал. Посочете примерни стойности за управляващото напрежение. Обозначете триодната и пентодна област на работа. 

31. Динамичното изходно съпротивление на MOS транзистора е по-голямо? 

            а) в триоден режим
            б) в пентоден режим

            в) при двата режима има една и съща стойност

32. При MNOS структура информацията се: 

            а) записва и изтрива по електрически път

            б) записва чрез подаване на голямо обратно напрежение на дрейна

            в) изтрива с UV лъчи

            г) чете поради промяната на праговото напрежение при запис

            д) се съхранява и при изключване на захранването

33. В какъв режим може да работи MOS транзистор с P-индуциран канал? 

            а) в инверсен активен режим


            б) само в режим на обогатяване

            в) само в режим на обедняване


            г) в никой от посочените

34. Начертайте изходната волт-амперна характеристики на MOS транзистор с Р-вграден канал. Дефинирайте понятието изходно съпротивление и посочете как може да се определи от характеристиката. 

35. В обща координатна система начертайте преходните характеристики на MOS транзистор с N-индуциран канал за две температури (Т2 > Т1). Пояснете факторите за температурното изменение. 

36. Начертайте CMOS структура. Koe е основното й предимство? 

37. Протича ли дрейнов ток през MOS транзистор с N вграден канал, ако UGS  = 0V? 

            а) не протича, тъй като транзисторът е запушен

            б) ток протича само ако UDS  > UT

            в) ток протича при UDS  различно от нула

38. Какъв ток ще протече в дрейновата верига на MOS транзистора от фиг.3, ако UT = 3 V и b = 0.5 mA/V2 . Пояснете. 

39. Начертайте предавателните характеристики на MOS транзистор с P индуциран канал при температури T2 > T1. Кои фактори оказват влияние? 

40. Koи фактори влияят върху честотните свойства на MOS транзистор? 

            а) дължината на канала

            б) времето на живот на неосновните токоносители

            в) подвижността на основните токоносители

            г) капацитетите на припокриване

            д) праговото напрежение

41. Начертайте структурата на FAMOS транзистор. За какво се използва? 

42. CMOS схемите се характеризират с: 

            а) малка консумация
            б) добра шумоустойчивост

            в) по-ниска степен на интеграция спрямо NMOS

            г) силна зависимост от промяната на захранващото напрежение

43. При MOS транзисторите с къс канал: 

            а) праговото напрежение зависи от стойността на дължината и ширината на канала

            б) дрейфовата скорост на носителите се насища

            в) размерите на канала не изменят параметрите им

            г) дрейновото напрежение влияе върху стойността на праговото напрежение

44. Напишете условието за работа на MOS транзистор в триоден режим. 

45. Насищането на дрейновият ток на MOS транзистор се дължи на: 

            а) увеличаване на напрежението UGS

            б) увеличаване на напрежението UDS

            в) вътрешен пад в канала, причинен от нарастване на ID

            г) поради навлизането на транзистора в инверсен активен режим

46. Протича ли дрейнов ток през MOS транзистор с P вграден канал, ако напрежението UGS = 0V? 

            a) не, тъй като транзисторът е запушен

            б) ток протича само, ако напрежението е по-голямо от праговото

            в) ток протича при дрейново напрежение UDS различно от нула

47. MOS транзисторът 

            а) се управлява по напрежение

            б) се управлява по ток

            в) има високо Rвх

            г) работи само с основни токоносители

            д) работи с основни и неосновни токоносители

48. От какъв порядък е входният гейтов ток на MOS транзистор?

            а) десетки милиампери


            б) стотици микроампери

            в) едимици микроампери


            г) наноампери и по-малък

49. Изведете израз за стръмността на MOS транзистор, работещ в линейният участък от волт-амперната си характеристика.



Поделитесь с Вашими друзьями:


База данных защищена авторским правом ©obuch.info 2019
отнасят до администрацията

    Начална страница