Изследване на електричните и оптичните свойства на напрегнати Si-SiO



Дата15.01.2018
Размер45.66 Kb.
Проекти
Тънкослойни микро и нано - размерни хетероструктури: получаване, характеризиране и свойства, 2000– 2002г., По научно-изследователския план на БАН, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Структура и дефекти в микро и нано-размерни хетероструктури, 2003 – 2005 г., По научно-изследователския план на БАН, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Структура и свойства на микро и нано – размерни полупроводникови хетероструктури, 2006 – 2008 г., По научно-изследователския план на БАН, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Изследване на електричните и оптичните свойства на напрегнати Si-SiO2 наноелектронни структури със свръхтънки диелектрични слоеве,1998-2001, с Институт по Полупроводници на Националната Академия на Науките, Киев, Украйна, рък. ст.н.с. д-р Анна Мария Секереш
Оптични, електрични и микроструктурни изследвания на тънки слоеве за приложение в оптиката и микроелектрониката,1998-2000, с Институт по Физикохимия на Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с. д-р Анна Мария Секереш
Изследване на тънки слоеве и хетероструктури посредством нелинейни оптични методи, 1998 - 2001 г., с Института по обща физика на Руската АН, рък .ст.н.с.д-р С.П.Александрова,
Оптични и електрически изследвания на структури създадени чрез импулсно лазерно отлагане или лазерна повърхностна обработка, 1998-2000г., с Национален Институт по Лазерна, Плазмена и Радиационна Физика, Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Изследване на имплантационни дефекти в аморфен силиций., 2000 г., по линия на Големите съоръжения, 5-та Рамкова Програма,(РП), на Европейския съюз, (ЕС), Изследователски Център, Россендорф, Германия, ръководител : ст.н.с.,д-р П. Данеш,
Изследване на обогатени с водород и азот силициеви структури”, ”., 2000 г. , рък. ст.н.с., д-р Анна Мария Секереш, по линия на Големите съоръжения от 5-та РП на ЕС Изследователски Център, Россендорф, Германия, ръководител : ст.н.с.,д-р, Анна Мария Секереш

Изучаване на радиационно -индуцирани нарушения в полупроводникови хетероструктури облъчени с електрони и йони, 2001 г., с Обединен Институт за ядрени изследвания / ОИЯИ/, Дубна, Русия, рък. ст.н.с., дфн С.Касчиева
Модификация на материалите на ускорителите на Лабораторията по ядрени реакции, 2001 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с., дфн С.Касчиева

Електрофизични и оптични свойства на CNx-Si, WCx-Si, AlNx-Si, SiCx-Si и BNx-Si хетероструктури, 2001 – 2003 г., с Национален Институт по Лазерна, Плазмена и Радиационна Физика, Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Оптични и електрични свойства на полупрозрачни метални слоеве върху полупроводницир 2002 – 2004 г., с Института по физика на полупроводниците, на Националната Академия на Науките, Киев, Украйна, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов
Получаване и изследване на окисни тънки слоеве и полупроводници за целите на микроелектрониката и оптоелектрониката, 2001 – 2004 г., с Институт по Физикохимия на Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с. д-р Анна Мария Секереш
Взаимодействие на дефекти в Si/SiO2 структури, причинени от йонна имплантация и различни високо енергетични лъчения, 2001 – 2003 г., с Изследователски център, Розендорф, Германия, рък. ст.н.с.дфн С. Касчиева
Изследване на структурата, структурните напрежения и свойствата на тънки структури диелектрик – силиций, за целите на микро и наноелектрониката., 2002 – 2005 г., ., с Института по физика на полупроводниците, на Националната Академия на Науките, Киев, Украйна, рък. ст.н.с.д-р А. Секереш
Отгряване на радиационно-индуирани дефекти в полупроводникови хетероструктури, облъчени с високоенергетични електрони, 2002 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с.дфн С. Касчиева
Плазмено хидриране на аморфен силиций, 2002 г. Ръководител : ст.н.с.,д-р П. Данеш, по линия на Големи съоръжения от 5-та Рамкова Програма на ЕС, с Изследователски център Россендорф, Германия

Генерация на втора хармонична в тънки полупроводникови и оптоелектронни хетеростуктури, 2002 – 2004 г., с Института по обща физика на Руската АН, рък .ст.н.с.д-р С.П.Александрова


Изследване на полупроводникови структури, 2002 – 2004 г., с Института по физика на металите, РАН, Екатеринбург, Русия, рък. ст.н.с.1 ст., дфн С. Касчиева
Изследване на дефекти в полупроводникови структури с двойно облъчване, 2002 – 2004 г., ., с Института по физика на полупроводниците, на Националната Академия на Науките, Киев, Украйна, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
Изследване преразпределениеето на примесите в йонно-имплантирани полупроводникови хетероструктури, облъчени с високоенергетични електрони, 2003 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
Изследвание измененията в концентрацията на кислорода в имплантирани структури SiO2/Si след облъчване с високоенергетични електрони, 2004 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
„Микро- и Нано-технологии за Източна Европа чрез създаване на мрежи”, MINAEAST-NET, 2004-2006, Договор No. INCO CT-2004-510470, 6 РП на ЕС , контрактор: ст.н.с. д-р А. М. Секереш

Оптични, магнитни и електрични свойства на наноструктурирани слоеве, получени чрез импулсно лазерно отлагане, 2004- 2006 г., с Национален Институт по Лазерна, Плазмена и Радиационна Физика, Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с.д-р С.С. Симеонов


Структурни, оптични и електрични свойства на наноструктури, 2004 – 2007 г., с Университета Л. Етвеш, Будапеща, Унгария, рък. ст.н.с.д-р А. Секереш
Поверхностни и интерфейсни свойства на тънкослойни полупроводникови хетероструктури: изследване посредством нелинейно-оптически методи, 2005 - 2007, с Института по обща физика на Руската АН, рък .ст.н.с.д-р С.П.Александрова
Изследване процесите на отгряване на радиационни дефекти в полупроводникови структури, подложени на високоенергетично облъчване, 2005 – 2007, с Института по физика на полупроводниците, на Националната Академия на Науките, Киев, Украйна, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
Влияние на облъчването с високоенергетични електрони върху характеристиките на МОС структури с тънки SiO2 слоеве, 2005 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
Изследване на наноструктури от легирани оксидни слоеве за целите на околната среда, 2005 – 2008 г., с Институт по Физикохимия на Румънската Академия, Букурещ, Румъния, рък. ст.н.с. д-р Анна Мария Секереш
Изследване на нано- образованията в Si-SiO2 структури, облъчени с високоенергетични електрони, 2006 г., с ОИЯИ, Дубна, Русия, рък. ст.н.с 1 ст., дфн С. Касчиева
Получаване на наноструктурирани тънки диелектрични слоеве на базата на Si и изследване на структурата и свойствата им за целите на микро- и наноелектрониката, Институт по физика на полупроводници, НАНУ, Киев, Украйна, 2006-2009, ръководител: ст.н.с. д-р А. М. Секереш.
Каталог: lab
lab -> Преимуществата на управлението на веригата за доставки. Обучението беше съвместна инициатива на Проект „Пазар на труда”
lab -> Гарантирани вземания на работниците и служителите
lab -> I общи разпоредби Ч
lab -> Наредба за установяване, разследване, регистриране и отчитане на трудовите злополуки
lab -> Решение №1020 на мс от 28. 12. 2015 г за определяне на дните за религиозни празници на вероизповеданията, различни от източноправославното, през 2016 г
lab -> I. наименование на административната услуга извършване на лабораторни анализи и дейности, поискани от физически и юридически лица
lab -> Наредба №10 от 7 декември 2004 г за осигуряване на здравословни и безопасни условия на труд при работа с електрокари и мотокари


Поделитесь с Вашими друзьями:




База данных защищена авторским правом ©obuch.info 2020
отнасят до администрацията

    Начална страница