Изследване на характеристиките на mos транзистор



Дата16.04.2017
Размер78.73 Kb.
#19287

Изследване на характеристиките на MOS транзистор

I.Задание


1.Да се снемат семейството изходни статични характеристики ID = f(UDS) при UGS = const.

2.Да се снемат предавателните характеристики ID=f(UGS) , при UDS=const.

3.Да се определи праговото напрежение на изследвания MOS транзистор

4.Да се построят графично снетите характеристики.

5.От изходните статични характеристики да се определи динамичното изходно съпротивление rDS, при работа на транзистора в линейната област и в областта на насищане, за две различни напрежения UGS (напр. 6V и 7V).

6.От предавателните характеристики да се определи стръмността на MOS транзистора. Стръмността се определя от зависимостта S=dID/dUGS ≈ ∆ID/∆UGS, при UDS = const.


II.Указания за работа


1.Изходните харакpтеристиките се снемат при шест стойности на напрежението гейт-сорс UGS = 3V, 4V, 5V, 6V, 7V и 8V. То се задава посредством потенциометъра P1, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UGS. След задаване на напрежението UGS се задават различни стойности на напрежението UDS (от табл.1) и за всяка от тях се измерва стойността на дрейновия ток ID. Напрежението UDS се задава посредством потенциометъра P2, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UDS.Стойностите на ID се отчитат с цифров амперметър на обхват 20mA. Резултатите се нанасят в табл. 1.

Табл. 1 Изходни статични характеристики



UDS, V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

ID, mA

UGS=3V








































UGS=4V








































UGS=5V








































UGS=6V








































UGS=7V








































UGS=8V








































2.Предавателните характеристиките се снемат при четири стойности на напрежението дрейн-сорс UDS=1V, 2V, 5V и 10V. То се задава посредством потенциометъра P2, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UDS. След задаване на напрежението UDS се задават различни стойности на напрежението UGS (от табл.2) и за всяка от тях се измерва стойността на дрейновия ток ID. Напрежението UGS се задава посредством потенциометъра P1, а стойността му се отчита от измервателната система обозначена с UGS. Стойностите на ID се отчитат с цифров амперметър на обхват 20mA. Резултатите се нанасят в табл. 2.

Табл. 2 Предавателни характеристики



UGS, V

0

1

1.5

2

3

4

5

6

7

8

9

10

ID, mA

UDS=1V





































UDS=2V





































UDS=5V





































UDS=10V





































3.За определяне на праговото напрежение UТ на MOS транзистора първо­начално се задава UDS = 10V посредством P2. След това плавно се увеличава стой­ността на UGS , посредством P2 и се следят стойностите на ID . Стойността на UGS , при която ID=10A е праговото напрежение UТ .

4.Изходните и предавателните характеристики се построяват на ръка върху мм.хартия.

5.Динамичното изходно съпротивление се определя от зависимостта , при UGS=const.

6. Стръмността се определя от зависимостта , при UDS = const.


III.Протокол


1.Задание.

2.Експериментални резултати - таблиците с измерените стойности на тока и напрежението.

3.Графична част - Да се построят графично снетите характеристики.

4.Изчислителна част - Изчисленията за определяне на динамичното изходно съпротивление rDS, праговото напрежение и стръмността на MOS транзистора.

5.Изводи

Изводи:


1.С какъв канал (вграден или индуциран) е изследваният MOS транзистор. Обосновете отговора си.

2.По ток или по напрежение се управлява MOS транзисторът. От какъв порядък е входното му съпротивление ?

3. От какъв порядък е стойността на диференциално изходно съпротивление при ра­бо­та в пентоден режим ? Пoсочете примерно приложение на MOS транзитора от гледна точка на стойността на изходното му съпротивление.

4.При работа в линейната област или в областта на насищане диферен­ци­алното изходно съпротивление има по-голяма стойност .



5.При работа в линейната област или в областта на насищане стръмността S на MOS транзистора има по-голяма стойност.




Сподели с приятели:




©obuch.info 2022
отнасят до администрацията

    Начална страница