Катедра Физика на Полупроводниците, Физически факултет, бул



Дата05.08.2017
Размер65.32 Kb.
#27297



автобиография





Лична информация




Име




Светла Лазарова Ценева

Адрес




Катедра Физика на Полупроводниците, Физически факултет, бул. Джеймс Баучър 5, гр. София 1164, България

Телефон




сл. (02) 8161 831

Факс







E-mail




tzeneva@phys.uni-sofia.bg




Националност




българка



Дата на раждане




19.10.1956




Трудов стаж



• Дати (от-до)




юли 1980 - сега



• Име и адрес на работодателя




СУ «Св. Кл. Охридски» - Физически факултет, бул. «Джеймс Баучър» Nо 5, гр. София 1164

• Вид на дейността или сферата на работа




Образование и наука

Заемана длъжност




физик

• Основни дейности и отговорности




  1. Участие в подготовката и провеждането на семинарни и лабораторни занятия, възложени ми от Катедрения съвет под ръководството на титулярния преподавател на съответната дисциплина;

  2. Участие в разработването и развитието на учебни пособия и лабораторна база към възложените ми от катедрения съвет дисциплини;

  3. Участие в научно-изследователска и/или приложна дейност

  4. Технически секретар на катедрата;






Научни публикации




Приложение 1



Образование и обучение



• Дати (от-до)




септември 1974 – март 1980

• Име и вид на обучаващата или образователната организация




Санкт Петербургски електротехнически университет, Електрофизически факултет

• Основни предмети/застъпени професионални умения




Математика – анализ I, II, Линейна алгебра, Обща физика – I, II, II, Физика на полупроводниците, Физика на полупроводниковите прибори, Технология на полупроводникови материали и прибори и др.

• Наименование на придобитата квалификация




инженер-физик по Физика и техника на полупроводникови материали и прибори

• Ниво по националната класификация (ако е приложимо)











магистър




• Дати (от-до)




септември 1971 – март 1974

• Име и вид на обучаващата или образователната организация




23 гимназия «Фредерик Жулио Кюри»

• Основни предмети/застъпени професионални умения




общобразователни предмети за средното образование

• Наименование на придобитата квалификация




средно образование




Лични умения и компетенции

Придобити в жизнения път или в професията, но не непременно удостоверени с официален документ или диплома.




Майчин език




български



Други езици









руски

• Четене




отлично

• Писане




отлично

• Разговор




отлично









английски

• Четене




добро

• Писане




основно

• Разговор




основно



Социални умения и компетенции

Съвместно съжителство с други хора в интеркултурно обкръжение, в ситуации, в които комуникацията и екипната работа са от съществено значение (например в културата и спорта) и др.




Способност за работа в екип, придобита по време на участие в научни проекти, свързани с получаване и характеризиране на полупроводникови материали и прибори




Технически умения и компетенции

Работа с компютри, със специфично оборудване, машини и др.




Вакуумни технологии - работа с апратура за конвенционално вакуумно изпарение, йонно ецване

Фотолитографски процеси

Израстване на епитаксиални слоеве А3В5 от течна или газова фаза

характеризиране на материали и прибори – електрически и оптически измервания



Работа с компютри - Windows, Word, Excel, Origin





Други умения и компетенции

Компетенции, които не са споменати по-горе.




организационен опит, придобит в процеса на работа като технически секретар на катедра Физика на полупроводниците




Свидетелство за управление на МПС




Категория В




Приложение 1




Публикации

Статии





  1. A. Popov, Sv. Zeneva, S. Nicolova, V. Gaudarova, The Investigation of (Au+Ge)-GaAs Contact by Auger Spectrometry, Ann. de l’ Universite de Sofia, livre 1, “Physique at Technologie des Semiconducteurs”, t. 80 (1986) p. 137

  2. A. Popov, S. Zheneva, I. Ivanov, L. Papadimitriu and C.A. Dimitridis, Deep levels in Polycrystalline Silicon Solar Cells, Phys. Stat. Sol (a) 103,1987 K99

  3. A. S. Popov, A. M. Koinova, S. L. Tzeneva: “Low Temperature Liquid Phase Epitaxial Growth of InAsSb – InAs Heterostructures”, Proc. 9th Int. School on Condesed Matter Physics (ISCMP), Varna, 9-13 Sept. 1996 Electronic & Electrical Eng. Res. Studies, Electronic Materials Studies “Future Direction in Thin Film Science and Technology”, Ed. J.M.Marshall, N. Kirov, A. Vavrek, J. M. Maud, WORLD SCIENTIFIC (Singapore, New Jersey, London, Hong Kong), pp. 526-539 (1996)

  4. A. S. Popov, A.M. Koinova, S. L. Tzeneva, Extremely Low-Temperature In-As-Sb Phase Diagrams, 17th Bulg.-Greek Symp.on Semiconductor and Solid State Physics, Sofia, June 7-9, 1997; in Semiconductor Physics and Technology’17, ed. By D. Kushev, Heron Press Sci. Series B, 1998 p. 34-38.

  5. A. S. Popov, A.M. Koinova, E. P. Trifonova, S. L. Tzeneva, K.S. Varblianska, Investigation of Composition and Microhardness Distribution Across the Thickness of LPE InAs1-xSbx Layers, 17th Bulg.-Greek Symp.on Semiconductor and Solid State Physics, Sofia, June 7-9, 1997; in Semiconductor Physics and Technology’17, ed. By D. Kushev, Heron Press Sci. Series B, 1998 p. 46-49.

  6. A. S. Popov, A.M. Koinova, S. L. Tzeneva: The In–As-Sb Phase Diagram and LPE Growth of InAsSb Layers on InAs at Extremely Low Temperatures, J. Cryst. Growth 1998, v.186, p. 338-343.

  7. A.S. Popov, A.M. Koinova, E. P. Trifonova, S. L. Tzeneva “Thick LPE Layers of InAs1-xSbx for 3-5 m Optoelectronic Аpplications”, Crystal Research and Technology, 1998, v. 33, p. 737-743.

  8. A.S. Popov, A.M. Koynova, K.S. Varblianska and S. L. Tzeneva, Doped InAsSb Layers Grown by Low Temperature LPE on InAs Substrate, Proc. 19th Bulg.-Greek Symp.on Semiconductor and Solid State Physics, Dec. 15-16, 2000, Sofia, Bulgaria

  9. A.S. Popov, K.S. Varblianska, A.M. Koynova and S. L. Tzeneva, Pd/Ge/Au Based Ohmic Contacts to InAs1-xSbx Solid Solutions, Proc. 19th Bulg.-Greek Symp.on Semiconductor and Solid State Physics, Dec. 15-16, 2000, Sofia, Bulgaria.

  10. A.Popov, K. Varblianska, S. Tzeneva, Ohmic contacts for InAs Sb Epitaxial Layers, Doped with Group IV Elements, Годишник на СУ “Св. Кл.Охридски”, Физически факултет, том 95 (2002) p.83

  11. A.S. Popov, S.L.Tzeneva, A.M.Koinova, K.S.Varblianska, Thick LPE layers of InAsSb for 3-5µm optoelectronic applications, Proc. of the 12th Intern. School on Cond. Matter Phys. (ISCMP), Varna, Sept. 3-8 2002, “Modern Trends in Condensed Matter Science and Technology”, accepted for publication in J. of Material Science - Materials in Electronics

Научни доклади

1. А. Попов, Д. Кушев, Н. Желева, И. Иванов, А. Бахнев, С. Николова, С. Ценева,Р. Атанасова, "Червеноизлъчващи светодиоди от GaAsP", III-ти Нац. симпозиум с межд. учстие "Физика и електронизация", 1-3 ноември 1984 г, гр. Пловдив, София, 1985 г. 431


2. А. Попов, Д. Кушев, И. Иванов, Р. Атанасова, А. Бахнев, С. Ценева, А.Койнова, М. Копринарова, Н. Желева, "Петразрядни седемсегментни цифрови индикатори от галиевоарсенид фосфид", III-ти Нац. симпозиум с межд. учстие "Физика и електронизация", 1-3 ноември 1984 г, гр. Пловдив, София, 1985 г 437



стр.


Автобиография

Светла Лазарова Ценева









Каталог: var -> ezwebin site -> storage -> original -> application
application -> Литература на народите на Европа, Азия, Африка, Америка и Австралия
application -> Издадена от министъра на труда и социалната политика, обн., Дв, бр. 102 от 22. 12. 2009 г., в сила от 01. 2010 г
application -> Програма за Климентови дни 21 ноември – 02 декември 21 ноември Час: 08: 00
application -> Автобиография Лична информация
application -> Автобиография Лична информация
application -> Автобиография Лична информация
application -> Програма за държавен изпит за специалност
application -> Автобиография Лична информация
application -> Автобиография Лична информация


Сподели с приятели:




©obuch.info 2024
отнасят до администрацията

    Начална страница