Конспект по схемотехника на интегралните схеми

1. 
   Елементна база на интегралната схемотехника - модели на интегралните биполярни и MOS елементи.
   
2. 
   Основни принципи при проектирането на интегрални схеми.
   
3. 
   Токови огледала.
   
4. 
   Задаващи източници на ток.
   
5. 
   Вериги за установяване на постояннотоковия режим.
   
6. 
   Източници на опорно напрежение.
   
7. 
   Стъпала с динамичен товар.
   
8. 
   Каскодни усилвателни стъпала.
   
9. 
   Интегрални диференциални усилватели.
   
10. 
    Операционни усилватели на проводимост.
    
11. 
    Стандартни операционни усилватели.
    
12. 
    Операционни усилватели на ток.
    
13. 
    Оразмеряване и симулационно тестване на CMOS усилвателни стъпала.
    
14. 
    Схеми с комутируеми кондензатори и FPAA.
    
15. 
    CMOS логически елементи.
    
16. 
    Генератор на двуфазна тактова поредица.
    
17. 
    Интегрални температурни датчици.
    

Манолов, Е. Д. Аналогови интегрални схеми: схемотехника и проектиране. С., Изд. на ТУ, 2002 г.

1. 
   Напишете уравнението на волт-амперната характеристика на интегрален диод.
   
2. 
   Начертайте еквивалентната схема на BJT по постоянен ток.
   
3. 
   Напишете уравнението на колекторния ток за схема с ОБ.
   
4. 
   Напишете уравнението на колекторния ток за схема с ОЕ.
   
5. 
   Напишете условията за работа на BJT в режим на насищане и в режим на отсечка.
   
6. 
   Начертайте физичната еквивалентна схема на BJT при малък променлив сигнал (за схема с ОЕ).
   
7. 
   Напишете формулата за входното съпротивление на BJT при малък променлив сигнал (за схема с ОЕ).
   
8. 
   Начертайте физичната еквивалентна схема на BJT при малък променлив сигнал (за схема с ОБ).
   
9. 
   Напишете формулата за входното съпротивление на BJT при малък променлив сигнал (за схема с ОБ).
   
10. 
    Напишете формулата за стръмността на BJT.
    
11. 
    Напишете формулата за диференциалното изходно съпротивление и диференциалната изходна проводимост на BJT.
    
12. 
    Напишете условията за работа на MOS транзистора в режим на силна и слаба инверсия.
    
13. 
    Начертайте изходната характеристика на MOS транзистор в режим на силна инверсия и означете линейната област и областта на насищане.
    
14. 
    Напишете условието за работа на MOS транзистора в линейната област и уравнението за дрейновия ток.
    
15. 
    Напишете условието за работа на MOS транзистора в областта на насищане и уравнението за дрейновия ток.
    
16. 
    Начертайте променливотоковата еквивалентна схема в областта на насищане на MOS транзистора (схема с ОС).
    
17. 
    Дефинирайте и изразете стръмността на МOS транзистора в областта на насищане и линейната област.
    
18. 
    Дефинирайте и изразете диференциалното изходно съпротивление и диференциалната изходна проводимост на МOS транзистора.
    
19. 
    Начертайте променливотоковата еквивалентна схема в областта на насищане на MOS транзистора (схема с ОГ).
    
20. 
    Начертайте схемите на транзистор с ООВ по ток (с резистор в емитера или сорса) и напишете израза за изходното съпротивление
    
21. 
    Начертайте схемите на усилвател по схема общ емитер (общ сорс) с динамичен товар и напишете формулите за коефициента на усилване.
    
22. 
    Начертайте схемите на каскоден усилвател по схема ОЕ-ОБ (Общ Сорс-Общ Гейт) с динамичен товар и напишете обобщен израз за коефициента на усилване
    
23. 
    Схема, основни параметри, характеристики и зависимости в простите токови огледала с CMOS транзистори.
    
24. 
    Схема, характеристики и зависимости при токовото огледало на Уилсон.
    
25. 
    Схема, характеристики и зависимости при Band-gap BiCMOS източник на опорно напрежение.
    
26. 
    Схема, характеристики и зависимости при трите основни типа диференциални усилватели.
    
27. 
    Схема, характеристики и зависимости при CMOS OTA на Милер.
    
28. 
    Схема, характеристики и зависимости при CMOS каскодни ОТА.
    
29. 
    Схема, характеристики и зависимости при CMOS ОТА с прегънат каскод.
    
30. 
    Схема, характеристики и зависимости при CMOS стандартни ОУ.
    
31. 
    Схема, характеристики и зависимости при CMOS стандартни ОСА.
    
32. 
    Схема и принцип на действие на входно диференциално стъпало с повишен размах на входния сигнал..
    
33. 
    Схема и времедиаграми на SC инвертиращ усилвател.
    
34. 
    Схема и времедиаграми на SC интегратор.
    
35. 
    Схема и времедиаграми на SC усилвател със смяна на знака на предавателната функция.
    
36. 
    Зависимост на праговото напрежение от напрежението между сорса и подложката.
    
37. 
    Принцип при изграждане на температурни датчици.
    
38. 
    CMOS статичен логически елемент – зависимост на предавателната характеристика от размерите на транзисторите.
    
39. 
    Динамичен CMOS логически елемент – предимства и недостатъци пред статичния.
    
40. 
    Генератор на двуфазна тактова поредица.
    

Изпитният тест включва 10 от горните въпроси. Всеки верен отговор на въпрос носи 2 точки. (максималният брой точки от изпитния тест е 20).

Пълният отговор на всеки от въпросите включва:

-ясно и точно записване на дефиницията, съответната зависимост и/или изчертаване на графиката или еквивалентната схема с точното означение на параметрите и дименсиите;

-пояснение за всички използвани символни означения и зависимости;

-пояснение за всички използвани елементи на еквивалентните схеми;

Всяка грешка намалява оценката на въпроса минимум с 1 точка. Тестът е преминат, ако се получат минимум 15 точки, в противен случай окончателната оценка от изпита е слаб (2).

Точките, получени на теста, се прибавят към точките от лабораторните упражнения (максимум 24т.) и от изпитните задачи (максимум 16 т.).

Среден (3): от 20 до 30 точки; Добър (4): от 31 до 40 точки;