СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ
БЪЛГАРИЯ, СОФИЯ 1164
БУЛ. "ДЖЕЙМЗ БАУЧЪР" 5
ТЕЛ.: +359 2 622 446
ФАКС: + 359 2 962 5276, ТЕЛЕКС: 23296 SUKO BG
|
|
SOFIA UNIVERSITY
FACULTY OF PHYSICS
1164 SOFIA, BULGARIA
5 JAMES BOURCHIER ВLVD.
ТEL.: +359 2 622 446
FAX: +359 2 962 5276, TELEX: 23 296 SUKO BG
|
Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..
Декан:
/доц. д-р Д. Мърваков/
УЧЕБНА ПРОГРАМА
ПО ДИСЦИПЛИНАТА: Електронни и йонно-лъчеви методи за изследване на наноразмерни структури
ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ФИЗИКА
СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: МАГИСТЪР програма Нанооптоелектроника и информационни технологии
Кредити (ECTS): 5
КАТЕДРА: Физика на полупроводниците
ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН
Вид на занятията:
|
Семестър:
|
Хорариум-часа/
седмично:
|
Хорариум-часа
Общо:
| Лекции |
ІІІ
|
2
|
30
|
Семинарни упражнения
|
|
|
|
Практически упражнения
|
ІІІ
|
2
|
30
|
Общо часа:
|
ІІІ
|
4
|
60
|
Форма на контрол:
|
ІІІ
|
|
Т.О.
|
А. АНОТАЦИЯ
В курса се разглеждат най-разпространените електронно- и йонно- и рентгеноволъчеви методи за характеризиране на наноматериали и структури, намиращи приложение в оптоелектрониката. Разглеждат се методи за определяне на основния и примесния състав и структурата, за окачествяване на области с нанометрови размери и на интерфейси в наноструктурите. В практическите занятия се извършва примерно определяне на структура и състав на наноматериали.
Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:
Лекции ( или упражнения)
№
|
Тема, вид на занятието:
|
Брой часове
|
|
ЛЕКЦИИ
|
30
|
1.
|
Увод. Електронни, йонни и рентгенови методи за изследване на структура и състав. Проективни и сканиращи методи- принцип на формиране на образ.
|
2
|
2.
|
Рентгенови дифракционни методи за изследване на структурата и диагностика на качеството.
|
4
|
3.
|
Рентгенови методи за изследване на състава: емисионни и топографски. Сканиране с електронна сонда. Енергиен и вълнов анализ на рентгеновото лъчене.
|
4
|
4.
|
Анализ на състава на наноматериали чрез спектроскопия на емисията на вторични йони.
|
4
|
5.
|
Изследване на кристална структура чрез дифракция на нискоенергетични електронии дифракция и отражение на високоенергетични електрони. Електронография.
|
4
|
6.
|
Трансмисионна електронна микроскопия – проективна и сканираща. Електронна микроскопия с висока разделителна способност. Атомно-силова микроскопия.
|
4
|
7.
|
Сканираща електронна микроскопия. Регистрация на вторични и обратно разсеяни електрони. Комбиниране с микрокатодолуминесценция и рентгенов микроанализ.
|
4
|
8.
|
Спектроскопия на Оже-електрони – топографска и сканираща. Анализ на състава на повърхността. Рентгенова фотоелектронна спектроскопия и електронна спектроскопия за химичен анализ.
|
4
|
|
|
|
|
ПРАКТИЧЕСКИ ЗАНЯТИЯ
|
30
|
1.
|
Рентгенов дифракционен анализ на хетерогенна кристална структура.
|
5
|
2.
|
Рентгенов микроанализ на състав на структури с микронни и субмикронни области.
|
5
|
3.
|
Изследване на хетерогенни структури чрез сканираща електронна микроскопия – режими на топография и на контраст по състав.
|
5
|
4.
|
Изследване на микрокатодолуминесценция на хетероструктури в сканиращ електронен микроскоп.
|
5
|
5.
|
Анализ на повърхности чрез Оже-спектроскопия.
|
5
|
6.
|
Спектроскопия на фотоелектрони.
|
5
|
|
|
|
|
Общо:
|
60
|
В. Формата на контрол е: Текуща оценка. Практическите занятия са задължителни. Оценката се формира от контролни и реферат.
Г. Основна литература:
1. Proc. 9th Winterscool on New Developments in Solid State Physics, Mautedorf, Austria, 19-23 February 1996.
2. Autumn School at the Max Planck Institut of Microstructure Physics on Formation, Properties and Characterization of Nanoscale Structures, Lectures, Halle, 1997.
3. Autumn School at the Max Planck Institut of Microstructure Physics on Electron Micriscopy of Boundaries and Interfaces in Materials Science, Proceedings, Halle, 1994.
4. Лекционни записки
Д. Допълнителна литература:
1. S. P. Harwood, Atomic Force Microscopy on Semiconductor Quantum-Dot Structures for Use with Quantum Information Processing, SPUR 2005.
2. P. Werner, K. Scheerschmidt, N. D. Zakharov, R. Hilldebrand, M. Grundmann, R. Schneider, Quantum Dot Structures in the InGaAs System Investigated by TEM Techniques, Cryst. Res. Technol., 35, 759-768, 2000.
3. M. Yoshita et al, Fabrication and microscopic characterization of a single quantum wire laser with light uniformity, Physica E, 21, 230-233, 2004.
Съставил програмата:
Дата: 03.03.2006. /проф дфн Борис Арнаудов/
Сподели с приятели: |
