Програма по дисциплината: Физика на полупроводниковите прибори



Дата05.03.2018
Размер73.81 Kb.
#60775
ТипПрограма

СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ “СВ. КЛИМЕНТ ОХРИДСКИ”

ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ




Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..

Декан:

/доц. д-р Д. Мърваков/

УЧЕБНА ПРОГРАМА

ПО ДИСЦИПЛИНАТА: Физика на полупроводниковите прибори

ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ИНЖЕНЕРНА ФИЗИКА

СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: БАКАЛАВЪР

КАТЕДРА: Физика на полупроводниците

ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН

Вид на занятията:

Семестър:

Хорариум-часа/
седмично:


Хорариум-часа
Общо:

Лекции


VІІІ

2

30

Семинарни упражнения





VІІІ

1

15

Практически упражнения

VІІІ

2

30

Общо часа:

VІІІ

5

75

Форма на контрол:

ТО








А. АНОТАЦИЯ

В курса са систематизирани и са описани физичните принципи на действие на преобладаващата част от по-разпространените полупроводникови прибори. С това се поставя основа за други специализиращи курсове с подобна тематика. Използва се материалът от предхождащи курсове като увод във физиката на полупроводниците и диелектриците и др.

Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:

Лекции ( или упражнения)



Тема, вид на занятието:

Брой часове




І. Прибори с обемни ефекти




1

Термистори и позистори

2

2

Термоелектрични прибори.

2

3

Варистори и позистори.

2

4

Холотрони, магниторезистори, тензорезистори.


2




ІІ. Униполярни прибори




5

Диоди М-П и М-Д-П. Фоточувствителност.

2

6

Униполярни транзистори с бариер на Шотки, с p-n преход и с изолиран затвор.

Тънкослойни полеви транзистори.

2




ІІІ. Биполярни прибори




7

Изправителни и детекторни диоди

2

8

Варикапи и стабилотрони.

2

9

Тунелни и обърнати диоди.

2

10

Инжекционни светодиоди и лазери.

2

11

Биполярни транзистори. Зонна схема, капацитети и ефекти на обратна връзка. Основни параметри. Шумове.

2

12

Статични и динамични параметри на биполярни транзистори при голям сигнал. Волтамперни характеристики. Импулсен режим.

2

13

Честотни характеристики на биполярни транзистори. Дрейфов транзистор.

2

14

Фотоелементи и фотодиоди. Лавинни фотодиоди. Фототранзистор.

2

15

Динистор, тиристор, триак. Фототиристор. Еднопреходен транзистор.

2




Общо

30












Б. Семинарни занятия








1

Статични волтамперни характеристики на термистор – параметрично представяне.


2

2

Волтамперна характеристика на канален транзистор.





2

3

Волтамперна характеристика на изправителен диод с p-n и p-i-n преходи.

2

4

Анализ на волтамперна характеристика на тунелен диод.

2

5

Коефициент на предаване на биполярен бездрейфов и дрейфов транзистор.

3

6

Капацитети на биполярен транзистор и ефекти на обратна връзка.

2

7

Коефициент на превключване на динистор и тиристор.

2




Общо

15













В. Лабораторни занятия




1

Температурни и волтамперни характеристики на термистори и позистори.

3

2

Волтамперна характеристика в права посока на диод с бариер на Шотки и с p-n преход, температурна зависимост.

3

3

Волтамперна характеристика в обратна посока на диод с бариер на Шотки и с p-n преход, температурна зависимост.

3

4

Характеристики на тунелен и обърнат диод.

3

5

Волтамперни и спектрални характеристики на фотоелемент, фотодиод, фототранзистор и фоторезистор.

3

6

Спектрални и мощностни характеристики на светодиоди.

3

7

Осцилоскопиране на волтамперви характеристики на диоди, транзистори и тиристори.

3

8

Статични волтамперни характеристики на полеви транзистор.

3

9

Статични волтамперни характеристики на биполярен транзистор – схема обща база.

3

10

Статични волтамперни характеристики на биполярен транзистор – схема общ емитер.

3




Общо

30

В. Формата на контрол е: Текуща оценка. Лабораторните занятия са задължителни.

Г. Основна литература:

1. В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин, Полупроводниковые приборы, Москва, Высшая школа, 1981, 1984.

2. С. М. Зи, Физика полупроводниковых приборов, Москва, МИР, 1984.

3. К. С. Ржевкин, Физические принципы действия полупроводниковых приборов, Москва, Изд. Моск. Ун-та, 1986.



4. М. Шур, Физика полупроводниковых приборов, превод от англ., Москва, МИР, 1992.
Съставил програмата: (подпис)

Дата:25.03.2004 г. /доц дфн Б. Арнаудов................/
Каталог: ~semicond -> semicond -> edu -> bakalavri -> blokif
edu -> Sofia university faculty of physics
edu -> Програма по дисциплината: широкозонни полупроводници за
edu -> Sofia university faculty of physics
edu -> Програма по дисциплината: Електронни и йонно-лъчеви методи за изследване на наноразмерни структури
edu -> Sofia university faculty of physics
edu -> Sofia university faculty of physics
bakalavri -> Програма по дисциплината: физика на повърхността и интерфейса в полупроводници
bakalavri -> Програма по дисциплината: компютърно моделиране в оптоелектрониката включена в учебния план на специалност: физика
blokif -> Програма по дисциплината: п олупроводникови излъчватели и приемници за оптоелектрониката


Сподели с приятели:




©obuch.info 2024
отнасят до администрацията

    Начална страница