СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ
БЪЛГАРИЯ, СОФИЯ 1164
БУЛ. "ДЖЕЙМЗ БАУЧЪР" 5
ТЕЛ.: +359 2 622 446
ФАКС: + 359 2 962 5276, ТЕЛЕКС: 23296 SUKO BG
|
|
SOFIA UNIVERSITY
FACULTY OF PHYSICS
1164 SOFIA, BULGARIA
5 JAMES BOURCHIER ВLVD.
ТEL.: +359 2 622 446
FAX: +359 2 962 5276, TELEX: 23 296 SUKO BG
|
Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..
Декан:
/доц. д-р Д. Мърваков/
УЧЕБНА ПРОГРАМА
ПО ДИСЦИПЛИНАТА: ОПТОЕЛЕКТРОННИ ПРИЛОЖЕНИЯ НА НЕКРИСТАЛНИ ПОЛУПРОВОДНИЦИ
ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ:ИНЖЕНЕРНА ФИЗИКА
СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: магистър, програма ИНТЕГРАЛНА И ДИСКРЕТНА ОПТОЕЛЕКТРОНИКА
КРЕДИТИ (ECTS): 4.5
КАТЕДРА:Физика на полупроводниците
ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН
Вид на занятията:
|
Семестър:
|
Хорариум-часа/
седмично:
|
Хорариум-часа
Общо:
| Лекции | І |
3
|
45
|
Семинарни упражнения
|
|
|
|
Практически упражнения
|
І
|
1
|
15
|
Общо часа:
|
І
|
4
|
60
|
Форма на контрол:
|
изпит
|
|
|
А. АНОТАЦИЯ
В предложения курс се разглежда приложението на некристални полупроводници (аморфни, стъклообразни, органични, течни и др.) в оптоелектронни прибори – спонтанни и кохерентни излъчватели на светлина, приемници, слънчеви елементи, оптоелектронни сензори, преобразователи. Отделено е внимание и на приложението на некристалните полупроводници в съвременните влакнесто оптични системи за връзка, в системи за запис и съхраняване на информация, в системи за формиране и обработка на изображения, в дисплеи и други.
Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:
Лекции ( или упражнения)
№
|
Тема, вид на занятието:
|
Брой часове
|
|
ЛЕКЦИИ
|
45
|
І.
|
ОПТОЕЛЕКТРОННИ ПРИЛОЖЕНИЯ НА АМОРФНИ ПОЛУПРОВОДНИЦИ
|
15
|
І.1
|
Слънчеви елементи – елементи с бариер на Шотки, с p-n и p-i-n преходи, с преходи МДП, с хетеропреходи, с многопроходни елементи. Голямоплощни слънчеви елементи. Фотоприемници. Детектори на рентгенови лъчи.
|
5
|
І.2
|
Тънкослойни полеви транзистори и интегрални схеми за управление на дисплеи
|
4
|
І.3
|
Линейни сензори на образ и прибори със зарядна връзка
|
1
|
І.4
|
Активна среда за оптичен запис на информация
|
2
|
І.5
|
Приложение в електрофотографията
|
1
|
І.6
|
Други приложениЯ – превключватели, газови индикатори, вълноводи
|
2
|
ІІ.
|
ОПТОЕЛЕКТРОННИ ПРИЛОЖЕНИЯ НА ХАЛКОГЕНИДНИ СТЪКЛА
|
15
|
ІІ.1
|
Приложение в електрофотографията
|
3
|
ІІ.2
|
Приложение в системи за оптичен запис и четене на информация – системи на основата на фазов преход и на термичен метод
|
4
|
ІІ.3
|
Превключватели
|
1
|
ІІ.4
|
Влакнести световоди и вълноводи в ИЧ диапазон
|
2
|
ІІ.5
|
Влакнесто оптични сензори на физични величини – налягане, температура
|
1
|
ІІ.6
|
Оптична херметизация на светодиоди и други полупроводникови прибори. Създаване на просветляващи покрития на оптични елементи
|
2
|
ІІ.7
|
Други приложения
|
2
|
ІІІ.
|
ОПТОЕЛЕКТРОННИ ПРИЛОЖЕНИЯ НА ОРГАНИЧНИ ПОЛУПРОВОДНИЦИ И БИОПОЛИМЕРИ
|
15
|
ІІІ.1.
|
Електролуминесцентни тънки слоеве за дисплеи. Органични светодиоди
|
3
|
ІІІ.2.
|
Молекулярни преобразователи на слънчева енергия с използване на контакта метал – органичен полупроводник (молекулярни слънчеви елементи). Полимерни йонноселективни датчици
|
4
|
ІІІ.3
|
Фотодетектори до далечната ИЧ област. Дозиметри на УВ излъчване
|
2
|
ІІІ.4.
|
Фоторезисти за фотолитография
Активна среда за лазери
|
1
|
ІІІ.5
6.
|
Биопреобразователи, биочипове, биокомпютри
|
1
|
ІІІ.6
|
Хибридни тънкослойни органични – неорганични структури в опто – и микроелектрониката
|
2
|
ІІІ.7
|
Други приложения – диоди, нелинейни съпротивления, тензодатчици, терморезистори, термоелектрични генератори и хладилници, катализатори, модулатори, превключватели, дефлектори, сензори, нелинейни оптични прибори.
|
2
|
|
|
|
|
ЛАБОРАТОРНИ УПРАЖНЕНИЯ
|
15
|
1.
|
Основни параметри на слънчеви елементи
|
5
|
2.
|
Основни параметри на дисплеи
|
5
|
3.
|
Физика на моделни и биологични мембрани
|
5
|
|
|
|
|
Общо
|
60
|
В. Формата на контрол е: Изпит
Студентите подготвят реферат по зададена тема, който представят пред останалите студенти от групата. В края на курса се провежда препитване. При формиране на оценката се отчита и активността на студентите по време на лекциите и практическите занятия.
Г. Основна литература:
-
“The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon”,ed. D. Joannopolous and G. Lucovsky, Ser. Topics in Applied Physics, v. 55 and 56, Springer – Verlag Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1984)
-
А. Меден, М. Шо, “Физика и применение аморфных полупроводников”, М., Мир (1991№
-
С. Свечников, В. Хаминец, Н. Довгошей, “Сложные некристаллические халькогениды и их применение в оптоэлектронике”, Кьев, Наукова думка (1992)
-
“Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. Хамаковы, М., Металлургия (1986)
-
“Биосензоры: основы и приложения”, под ред. Э. Тернер,..., М., Мир (1992)
-
Ж. Симон, Ж. Андре, “Молекулярные полупроводники”, М., Мир (1988)
7. Введение в молекулярную электронику”, под ред. Н. Лидоренко, М., Энергоатомиздат (1984)
Д. Допълнителна литература:
-
“Electronic, Optoelectronic and Magnetic Thin Films” (Proc. 8th Intern. School on Condensed Matter. Physics (ISCMP), Varna’94, ed. J.P. Marshall…, Res. Studies Press LTD (1995) p.3)
-
“Future Directions in Thin Film Science and Technology”, Proc. 9th Intern. School on Condensed Matter. Physics (ISCMP), Varna’96, ed. J.P. Marshall…, World Scientific (1997)
-
Е.В. Кучис, “Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования”, гл. 3, М., Радио и связь (1990)
-
М. Шур, “Физика полупроводниковых приборов”, М., Мир (1992)
-
S. Forrest, P. Burrows, M. Thompson, Laser Focus Worldq 99 (1995)
Съставил програмата:
Дата: 25.05.2004 г. /доц. д-р Светла Евтимова./
Сподели с приятели: |
