СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИЧЕСКИ ФАКУЛТЕТ
БЪЛГАРИЯ, СОФИЯ 1164
БУЛ. "ДЖЕЙМЗ БАУЧЪР" 5
ТЕЛ.: +359 2 622 446
ФАКС: + 359 2 962 5276, ТЕЛЕКС: 23296 SUKO BG
|
|
SOFIA UNIVERSITY
FACULTY OF PHYSICS
1164 SOFIA, BULGARIA
5 JAMES BOURCHIER ВLVD.
ТEL.: +359 2 622 446
FAX: +359 2 962 5276, TELEX: 23 296 SUKO BG
|
Утвърдена с Протокол на ФС N: …../ ……..
Декан:
/доц. д-р Д. Мърваков/
УЧЕБНА ПРОГРАМА
ПО ДИСЦИПЛИНАТА: СПЕЦИАЛИЗИРАЩ ПРАКТИКУМ
ВКЛЮЧЕНА В УЧЕБНИЯ ПЛАН НА СПЕЦИАЛНОСТ: ИНЖЕНЕРНА ФИЗИКА
СТЕПЕН НА ОБУЧЕНИЕ: МАГИСТЪР, програма ИНТЕГРАЛНА И ДИСКРЕТНА ОПТОЕЛЕКТРОНИКА
КРЕДИТИ (ECTS): 3
КАТЕДРА: Физика на полупроводниците
ИЗВАДКИ ОТ УЧЕБНИЯ ПЛАН
Вид на занятията:
|
Семестър:
|
Хорариум-часа/
седмично:
|
Хорариум-часа
Общо:
| Лекции |
|
|
|
Семинарни упражнения
|
|
|
|
Практически упражнения
|
ІІ
|
2
|
30
|
Общо часа:
|
ІІ
|
2
|
30
|
Форма на контрол:
|
то
|
|
|
А. АНОТАЦИЯ
Целта на специализиращия практикум е да запознае студентите от магистърската степен по Интегрална и дискретна оптоелектроника с епитаксиални методи за получаване на тънки слоеве и полупроводникови хетероструктури от групите А3В5 и А4В6. С технологичните упражнения и непосредствената работа в специализирани лаборатории се придобиват технологични умения по основни операции в полупроводниковото производство. Измервателните упражнения дават възможност да се характеризират свойствата на получените слоеве чрез микроскопски, оптични, електрични, фотоелектрични и други методи и да се свържат с основните физични явления и принципи на действие на полупроводниковите прибори за оптоелектрониката, които се изучават в лекционните курсове.
Предоставя се възможност на студентите да изберат 30 часа (2 практикума) от преложените 105 часа (7 практикума).
Б. СЪДЪРЖАНИЕ НА УЧЕБНАТА ПРОГРАМА:
Упражнения
№
|
Тема, вид на занятието:
|
Брой часове
|
1.
|
Получаване и характеризиране на изотипни полупроводникови хетероструктури – I вариант
-
Израстване на изотипен хетеропреход на n-GaInAs/n-GaAs чрез епитаксия от газова фаза. Този етап включва запознаване с технологичната инсталация, подготовка на експеримента, провеждане на експеримента.
-
Нанасяне на омови контакти към хетерструктурата чрез термично изпарение. Този етап включва запознаване с инсталацията, зареждане на образци. Маски и метални източници. Провеждане на изпарението.
-
Провеждане на фотоволтаичен анализ при стайни и азотни темепратури. Получаване и анализ на спектъра на компютеризирана инсталация за снемане на спектри за фотопроводимост.
|
15
|
2.
|
Получаване и характеризиране на изотипни полупроводникови хетероструктури – I I вариант
-
Получаване на епитаксиален слой от GaInAs върху подложка от GaAs. В този етап се включва запознаване с инсталацията за епитаксия от газова фаза, подготовка и провеждане на експеримента.
-
Отлагане на Шотки контакт върху епитаксиален слой. Снемане на волтамперна характеристика.
-
Снемане и обработка на DLTS спектри и обработка на спектрите за регистрация на дълбоки нива. Използва се компютеризирана установка.
|
15
|
3.
|
Получаване и характеризиране на изотипни полупроводникови хетероструктури – I I I вариант
-
Израстване на епитаксиален слой на твърд разтвор GaInAs върху подложка от галиев арсенид с използване на преходна област с променлив състав. В този етап се включва запознаване с инсталацията за епитаксия от газова фаза, подготовка и провеждане на експеримента.
-
Микроскопско изследване на повърхностната морфология на получените образци.
-
Фотолуминесцентен аналаиз на епитаксиалния слой при стайни и азотни температури. Получаване и анализ на фотолуминесцентни спектри. Използва се компютеризирана инсталция за фотолуминесценция.
|
15
|
4.
|
Получаване и изследване на епитаксиални структури с основа галиев арсенид.
-
Израстване на епитаксиални слоеве за холотрони от галиев арсенид, нанасяне на омови контакти и изследване на чувствителност и линейност. Оценяване на концентрацията на основните и неосновните примеси.
-
Епитаксиално израстване на светодиодни и лазерни хетероструктури с основа галиев арсенид и негови твърди разтвори, нанасяне на контактни слоеве и измерване на основни електрични и излъчвателни характеристики.
|
15
|
5.
|
Параметри на полупроводникови лазери
-
Измерване на спектрални и мощностни характеристики, прагови токове и модова структура на полупроводникови лазери с различна технология и дебелина на активната област, с различно съдържание на примесите и включително – изработени в ЛФТП.
-
Измерване на кинетиката по спектъра на спонтанно и стимулирано излъчената от полупроводниковите лазери светлина.
|
15
|
6.
|
Излъчвателна рекомбинация в примесни полупроводници с преки междузонни преходи.
-
Измерване на фотолуминесцентни спектри на образци от обемен и епитаксиален галиев арсенид и индиев фосфид с различна концентрация на основните примеси.
-
Моделиране на спектъра на спонтанна луминесценция и определяне на концентрацията на носителите и примесите от измерените луминесцентни спектри.
|
15
|
7.
|
Получаване на наноразмерни епитаксиални структури от оловни халкогениди.
|
15
|
|
Общо:
|
30
|
В. Формата на контрол е: текуща оценка
Г. Основна литература:
Д. Допълнителна литература:
Съставил програмата:
/проф. дфзн Ангел Попов/
Дата: 08.06.2004 /доц дфзн Борис Арнаудов/
/доц. д-р Нели Желева/
Сподели с приятели: |
