Тема: Енергонезависими памети eeprom и Flash памети. Твърдотелни носители на информация. Системно програмно ссигуряване (memory doc)



страница1/7
Дата24.09.2022
Размер0.69 Mb.
#115127
  1   2   3   4   5   6   7
EEPROM и FlASH-Курсов Проект

Курсов Проект
По
Компютърна Периферия

Тема:Енергонезависими памети EEPROM и FlASH памети . Твърдотелни носители на информация . Системно програмно ссигуряване (memory.doc)


Изработил: Проверил:
Галина Георгиева Сергеева
КСТ 3курс 3група /Гл. Ас. Сава Иванов/
фак. Номер : 096052

Съдържание:


Енергонезависими памети
EEPROM
Flash
Устройство и принцип на действие на EEPROM и Flash памети
Твърдотелни носители на информация
Твърдотелни дискове SSD
Compact Flash
Memory Stick
Flash Drive
Други видове твърдотелни памети
Програмно осигуряване на компютърните системи
Системно програмно осигуряване
Трипластов модел на КС
BIOS
Използвана Литература
Енергонезависими памети

Паметите, които съхраняват записаната информация при липса на захранващо напрежение, са две основни групи - постоянни памети и репрограмируеми памети. Микроелектронните постоянни памети се отнасят към паметите с произволен достъп. При тях времето за достъп до дадена запомняща клетка не зависи от нейното разположение и от избора на другите клетки. Информацията е постоянна, еднократно записана и може да се чете многократно, но не може да бъде изменена (Read Only Memory - ROM). Блок схемата на постоянните памети е аналогична с тази на оперативните памети, с изключение на схемите за запис. В зависимост от режима на работа на периферните схеми, постоянните памети се подразделят на статични, статични с режим на намалена консумация и статични с динамични периферни схеми и външен тактов сигнал. Според начина на реализиране на еднократния неизтриваем запис, постоянните памети се разделят на:



  • маск-програмируеми - при тях записа се осъществява от производителя по време на технологичния цикъл с помощта на определен фотошаблон;

  • програмируеми от потребителя по електрически път (Programmable Read Only Memories).

При производството на маск-програмируеми ROM в практиката са се наложили два вида:

При първия случай съдържанието на запомнящата клетка (логическа 0 или 1) се определя от това дали в съответната транзисторна структура има тънък подгейтов окис (активен транзистор) или в областта между сорса и дрейна е оформен дебел окис (пасивен транзистор). Транзисторите с тънък подгейтов оксид имат ниско прагово напрежение и се активизират при подаване на адресния сигнал. При транзисторите с дебел оксид праговото напрежение е по-високо от това на адресния сигнал и те остават отпушени - на входа на усилвателя за четене се появява логическа 1 – фиг.1


Фигура 1



Сподели с приятели:
  1   2   3   4   5   6   7




©obuch.info 2024
отнасят до администрацията

    Начална страница