Параметри на SDRAM паметта. Модули памети – 168 pins DIMM. SRAM

   Възможността на статичната памет да запазва съдържанието си позволява добавянето на нови данни в електронния бележник, да се изключва, но въпреки това съответния файл да остане запазен в паметта, когато отново включите своя компютър. Синхронизираната SRAM позволява по–бърз поток от данни понеже ползва свой часовник (clock), който регулира потока от информацията и оптимизира работата на чипа. Поради цената си SRAM се използва главнo като свръхбързодействащи буферни подсистеми /Cасhе памет/.

*БърЗОДЕЙСТВИЕ– високо спрямо DRAM паметта с възможност за работа на честотата на съвременните процесори.

*време за достъп– не повече от 2 ns, което дава възможност на паметта да работи синхронно с процесори с честота 500 МHz или повече.

Използва транзистори без участието на кондензатори, което довежда и до липсата на регенерация. Когато се подаде захранване, SRAMще помни това което е съхранено.

      Недостатък - Не се използва за цялата системна памет защото, в сравнение с DRAM бързодействието й е много голямо, но плътността и е много малка, а цената й е достатъчно голяма.

Паметта се произвежда в различни физически форми и размери - приема формата на малки платки с интегрални схеми, наречени SIMM (Single In-Line Memory Module – еднореден модул памет) и DIMM (Dual In-line Memory Module - модул памет с двойно разположение на изводите).

Модул DIMM има 168 контакта, които са разположени от двете страни на платката и са разделени с изолатор. Стандартни се явяват небуферизираните (unbuffered) модули с напрежение на захранване 3,3V. Небуферизирания модул DIMM може да съдържа микросхеми памет от типа FPM DRAM, EDO DRAM, SDRAM. Модулите имат 64 бит или 72 бит (контрол по четност) организация. Конструкцията на модулите предвижда автоматичното им разпознаване от компютъра.