II случай. Приложена е потенциална разлика обратна на
контактната Uk , т.е. минусът е на n- полупроводника, а плюсът на р-полупроводника, фиг.9.31. Това води до намаляване височината на потенциалната бариера с qUk и тя е равна на q(Uk - U). Тогава потокът на електрони е от ляво на дясно и се увеличава exp(qU/kT) пъти.
фиг 9.32. Волт-амперна характеристика на диод
Резултантният ток е насочен от дясно на ляво през контактен слой с намалена дебелина ∆2 и е равен на
In=Is[exp( (9.6)
където In е диоден ток, А;
IS - обратен ток, А;
U - напрежение, V;
q - елементарен товар, As;
k - константа на Боцман, J/К
Т- температура, К.
Този поляритет на потенциалната разлика от външния източник води до отпушване на прехода и се нарича отпушващ.
Типична волт-амперна характеристика на p- n- преход е дадена на фиг.9.32.
