№
|
Тема, вид на занятието:
|
Брой часове
|
|
І. Прибори с обемни ефекти
|
|
1
|
Термистори и позистори
|
2
|
2
|
Термоелектрични прибори.
|
2
|
3
|
Варистори и позистори.
|
2
|
4
|
Холотрони, магниторезистори, тензорезистори.
|
2
|
|
ІІ. Униполярни прибори
|
|
5
|
Диоди М-П и М-Д-П. Фоточувствителност.
|
2
|
6
|
Униполярни транзистори с бариер на Шотки, с p-n преход и с изолиран затвор.
Тънкослойни полеви транзистори.
|
2
|
|
ІІІ. Биполярни прибори
|
|
7
|
Изправителни и детекторни диоди
|
2
|
8
|
Варикапи и стабилотрони.
|
2
|
9
|
Тунелни и обърнати диоди.
|
2
|
10
|
Инжекционни светодиоди и лазери.
|
2
|
11
|
Биполярни транзистори. Зонна схема, капацитети и ефекти на обратна връзка. Основни параметри. Шумове.
|
2
|
12
|
Статични и динамични параметри на биполярни транзистори при голям сигнал. Волтамперни характеристики. Импулсен режим.
|
2
|
13
|
Честотни характеристики на биполярни транзистори. Дрейфов транзистор.
|
2
|
14
|
Фотоелементи и фотодиоди. Лавинни фотодиоди. Фототранзистор.
|
2
|
15
|
Динистор, тиристор, триак. Фототиристор. Еднопреходен транзистор.
|
2
|
|
Общо
|
30
|
|
|
|
| Б. Семинарни занятия
|
|
1
| Статични волтамперни характеристики на термистор – параметрично представяне. |
2
|
2
| Волтамперна характеристика на канален транзистор.
|
2
|
3
|
Волтамперна характеристика на изправителен диод с p-n и p-i-n преходи.
|
2
|
4
|
Анализ на волтамперна характеристика на тунелен диод.
|
2
|
5
|
Коефициент на предаване на биполярен бездрейфов и дрейфов транзистор.
|
3
|
6
|
Капацитети на биполярен транзистор и ефекти на обратна връзка.
|
2
|
7
|
Коефициент на превключване на динистор и тиристор.
|
2
|
|
Общо
|
15
|
|
|
|
|
В. Лабораторни занятия
|
|
1
|
Температурни и волтамперни характеристики на термистори и позистори.
|
3
|
2
|
Волтамперна характеристика в права посока на диод с бариер на Шотки и с p-n преход, температурна зависимост.
|
3
|
3
|
Волтамперна характеристика в обратна посока на диод с бариер на Шотки и с p-n преход, температурна зависимост.
|
3
|
4
|
Характеристики на тунелен и обърнат диод.
|
3
|
5
|
Волтамперни и спектрални характеристики на фотоелемент, фотодиод, фототранзистор и фоторезистор.
|
3
|
6
|
Спектрални и мощностни характеристики на светодиоди.
|
3
|
7
|
Осцилоскопиране на волтамперви характеристики на диоди, транзистори и тиристори.
|
3
|
8
|
Статични волтамперни характеристики на полеви транзистор.
|
3
|
9
|
Статични волтамперни характеристики на биполярен транзистор – схема обща база.
|
3
|
10
|
Статични волтамперни характеристики на биполярен транзистор – схема общ емитер.
|
3
|
|
Общо
|
30
|
В. Формата на контрол е: Текуща оценка. Лабораторните занятия са задължителни.
Г. Основна литература:
1. В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин, Полупроводниковые приборы, Москва, Высшая школа, 1981, 1984.
2. С. М. Зи, Физика полупроводниковых приборов, Москва, МИР, 1984.
3. К. С. Ржевкин, Физические принципы действия полупроводниковых приборов, Москва, Изд. Моск. Ун-та, 1986.