Тема: Енергонезависими памети eeprom и Flash памети. Твърдотелни носители на информация. Системно програмно ссигуряване (memory doc)
Изтегляне 0.69 Mb.
|
- Навигация на страницата:
- Устройство и принцип на действие на EEPROM и Flash паметта
- Fowler-Nordheim tunneling
| Flash Memory
Комбинира големият капацитет на EPROM и препрограмируемостта на EEPROM. За изтриване и препрограмиране се използва нормално напрежение, вместо високо, както е при EEPROM.Недостатък на тази памет е ограничения живот. Flash паметта дебютира при PCMCIA картите, въпреки че е скъпа и с по-малък капацитет от дисковите носители, има ниска консумация на ток, време за достъп около 30ns, висока надеждност и възможност за поддръжка на куплунг тип I &II при портативните компютри. Намират приложение и при принтерите, принтсървърите, хъбове, рутери (софтуер и параметри). Позволява лесен ъпгрейд на BIOS (просто се стартира BIOS ъпгрейд програма). Отлична е за Plug & Play функции, използва се в модеми за запомняне на конфигурацията, някои производители предлагат flash memory RAID. Тя е лесен и бърз за използванеинформационен носител при цифрови камери и конзоли за видеоигри. Използва се като хард диск и RАM. Flash паметта е стабилен носител – няма подвижни части. Най-често се използва за BIOS чипа на компютрите. Flash паметта е вид EEPROM чип. Тя има мрежа от редове (АЛ), и колони (РЛ) с клетката, която има два транзистора на всеки кръстопът. Двата транзистора са разделени помежду си чрез тънък оксиден слой. Единият от транзисторите често е наричан floating gate или плаващ гейт, докато другият транзистор е известен като control gate или контролен вход. Плаващите входове винаги се свързват с редовете чрез контролните входове. Когато има връзка клетката получава стойност 1. За да бъде променена тази стойност на 0, трябва да се изпълни процес, наречен тунелиране на Фаулър и Нордхайм. Тунелирането се използва, за да промени разположението на електроните в плаващия вход. Прилагането му започва от колоната. Това прилагане на електричество помага на плаващия вход да действа като електрически “пистолет”. Заредените електрони се наместват и се заклещват от другата страна на тънкия оксиден слой, като го зареждат отрицателно. Тези негативно заредени електрони действат като бариера между контролния и плаващия вход. Специално устройство наречено клетъчен сензор наблюдава нивото на електричество, преминаващо през плаващия вход. Ако потокът, който преминава през входа е по-голям от 50% от цялостното електричество, той получава стойност 1. Когато електричеството, което преминава спадне под прага на 50%, стойността става 0. Един празен EEPROM е с изцяло отворени входове и всяка клетка в него е със стойнос 1. Електроните от клетките от чип с Flash памет могат да бъдат върнати към тяхната нормална стойност 1 чрез прилагане на електрическо поле или напрежение с по-висок волтаж. Flash паметта използва специфичното in-curcuitсвързване, за да се осъществява прилагането на магнитно поле или на целия чип или на специфични области от него, наречени блокове. Това изтрива дадената област от чипа, която след това може да бъде презаписана. Flash паметта работи много по-бързо, от колкото традиционните EEPROM-и, защото вместо да изтрива по един байт, тя изтрива блок от целия чип и после записва отново в него. Cъществуват няколко причини Flash паметта да се използва вместо хард-диск: тя е безшумна позволява по-бърз достъп до информацията, записана на нея има по-малък размер по - лека е стабилна е Устройство и принцип на действие на EEPROM и Flash паметта Чипът памет съдържа мрежа от колони и редове като на всяко пресичане има клетка, която съхранява един бит. Данните се предават по две шини – шината-ред(word line), която е свързана към управляващия канал на всяка една клетка и шината-колона(bit line), свързана към плаващия канал. Всяка клетка е изградена от два интегрално изградени полупроводникови кристала.
Изтегляне 0.69 Mb. Сподели с приятели:
|