1.Предимсвта на SRAMпредDRAM -SRAM- Какви са предимствата на SRAM пред DRAM SRAM-кратко време за достъп ta~5x10ms,
-голям брой транзистори на 3Е.-по-голяма повърхност заемана от елемента
-по-малка информационна плътност.
-по висока относителна цена
-стабилна рабута в широк температурен обхват
Независимо от по високата цена SRAM тя е мн подходящя при полевите цифрови с-ми,за космически и военни цели,в автомобилни и морси комп системи
2. Изключващо ИЛИ – това е функцията XOR (Exclusive OR) f=a(+)b f=0, само когато двете променливи са еднакви, а при различаващи се f=1
3.Какви са основните недостатъци на биполярните транзисотри като градивни елементи на ЦИС? – Изходното ниско ниво на UOLне може да отпуши сигурно следващия ЦЕ, а високото ниво UOH се снижава чувствително при по нискоомни товари..Недостатъците се отсраняват като към общата точка на диодите се вкл.буферна схмеа-инвертор.Получава се DTL с лог.функция И-НЕ.
4. Запис в паралелните регистри- Паралелните регистри имат самостоятелни входове и изходи за всяка клетка. Всички данни постъпват едновременно и се извеждат паралелно. Паралелния регистър-памет освен тригерите , съдържа 2 групи разрешаващи врати. Едната от тях разрешава синхонизиран запис, а втората – четенето от регистъра
5.От какво се определя статичната токова консумация на CMOSЦЕ?-определя се от крайните състояния по време на CMOS ключа.Интервал 1,отговарящ на низко входно ниво NMOST е запушен,а PMOST проводящ.Изх напреж Uo=Udd.Интервал 2 отговарящ на високо вх ниво.NMOST е проводящ, а PMOST е запушен изх напр Uo=0V
