Полупроводникови материали от типа AIIIBV(индексът с римска цифра представлява валентната група на съответния елемент). За елемента AII се използват Al, Ga и In, а за BV– P, As и Sb. Класифицират се по металоодният елемент, т.е. фосфиди (AlP, GaP, InP), арсениди (AlAs, GaAs, InAs) и антимониди (AlSb, GaSb, InSb). Типичен представител е (галиев арсенид), чиито основни свойства са относително широка забранена зона, голяма подвижност на електроните. Основното му приложение е за високочестотни схеми и прибори.
Полупроводникови материали от типа AIIBVI. За елемента AII се използват Zn, Cd, Hg, а за BVI– S, Se, Te. Те също се класифицират по металоодния елемент, т.е. сулфиди, селениди и телъриди. Основните им приложения са за фотоприбори и полупроводникови лазери.
Методи за обработка на полупроводниковите материали.
Най-широко разпространени са методите чрез изтегляне на монокристал от стопилка (метод на Чохралски), зонно топене и безтиглово зонно топене.
Метод за изтегляне на монокристал от стопилка –бавно изтегляне на ос, на чийто край е закрепен монокристален зародиш от стопилката. По този начин стопилката започва бавно да кристализира върху монокристалния зародиш, който извършва въртеливо движение по време на изтеглянето. Скоростта на кристализация се регулира чрез температурата на стопилката и количеството изгубена топлина вследствие на топлопроводността на кристала и по оста на излъчването от повърхността на стопилката. Скоростта на изтегляне и въртене определя диаметъра на кристала.
При метода на зонното топене чрез ултразвуково нагряване се оформя тясна зона от стопилка, която се придвижва бавно по дължината на слитъка от полупроводников материал. Така по посока на движението се получава разтопяване на материала, а в края на разтопената зона започва кристализацията. При постепенната кристализация материалът се пречиства. Чистотата след еднократна процедура зависи от концентрацията на примесите и няма да е еднаква по дължината на слитъка. Процесът се повтаря няколко пъти до постигането на необходимата чистота и разпределение на примесите по дължината на кристала. Скоростта на движение на разтопената зона е в границите от 15-20μm/s.
