2. Метали и сплави за контакти и термо-двойки. Основни изисквания са малко механично износване, висока температура на топене ТТ (да не се запои контакта), добра корозоустойчивост, малко специфично съпротивление ρ, голяма химическа устойчивост и др. В състава им влизат основно метали с висока температура на топене ТТ като W, Mo, Cr, Cd. Основни изисквания към материалите за термо-двойки са да имат голяма стойност на термо ЕДН, висока температурна стабилност на параметрите. Представители: константан, мед и Pt.
3. Сплави с високо съпротивление. - резистивни сплави – използват се за изготвяне на токопровеждащия елемент на резистори. Основни изисквания: голямо специфично съпротивление ρ, добра технологичност, малка стойност на термо ЕДН основно спрямо Cu (обикновено от Cu са изготвени изводите на резистора), висока температурна стабилност на параметрите им (основно малък температурен коефициент на специфично съпротивление αρ). Представители: манганин, константан, сплави на благородни метали.
- топлоустойчиви сплави – използват се за изготвяне на нагреватели. Основни изисквания: голяма работна температура, при която да образуват стабилен косид. Представители са най-разпространени са Cr-Ni сплави (нихром).
Полупроводникови материали – прости полупроводници и полупроводникови химически съединения.
1. Основни попупроводникови материали:
Силиций (Si) – Основни параметри и свойства – относително широка забранена зона ∆W=1,12eV (това определя високата му работна температура), малка подвижност на електроните μn=0,14m2/V.s (което ограничава използването му при високи честоти), висока температура на топене ТТ=1414˚С (трудно се получава и пречиства), образува стабилен оксид SiO2 с отлични диелектрични свойства (това свойство е в основата на планарно-епитаксиалната технология за изготвяне на интеграли схеми). Приложения – интегрални схема, фотоприбори, слънчеви елементи.
Германий (Ge) – Относително тясна забранена зона ∆W=0,72eV (ниска работна температура), голяма подвижност на електроните μn=0,39m2/V.s (работи до високи честоти), ниска температура на топене ТТ=936˚С (лесна технологичност), образува аморфен оксид GeO2, който е разтворим дори във вода (много трудно може да се използва за интегрални схеми). Приложение – високо честотни полупроводникови дискретни елементи (диоди, транзистори), преобразуватели на Хол и др.
