Загуби от електропроводимост: Тези загуби при добрите диелектрици са малки. Характеризират се с това, че не зависят от честотата. Изолационното съпротивление е омнично (не зависи от честотата на полето). Активните загуби от електропроводимост: P=U2/Rиз, където U e напрежението, Rиз- изолационното съпротивление. Загубите от електропроводимост са основен вид диелектрични загуби в постоянно електрическо поле. Те са температурно зависими, защото изолационното съпротивление зависи от температурата. Rиз=1/σ.d/S, където σ – специфична електропроводимост на материала; d -дебелина на образеца; S-сечение на образеца. Rиз=1/Aexp(-b/T).d/S=A’exp(b/T) -> изолационното съпротивление намалява по експоненциална крива при повишаване на температурата. P=U2/A’exp(-b/T).
Йонизационни загуби:наблюдават се в газообразни или твърди диелектрици с газова фаза (порести). Pйон=Bf(U-Uйон)3, където B-коефициент, f – честотата на приложеното напрежение, U – приложеното напрежение, Uйон-йонизационно напрежение; U>Uйон. При високи честоти йонизационните загуби в порестите материали могат да бъдат толкова големи, че да предизвикат недопустимо нагряване на материала.
Последователна еквивалентна схема:При тази схема активното съпротивление, еквивалентно на диелектричните загуби, е включено последователно на капацитета. tgδ=Ur/UCs=Ir/(I/ωCs)=ωrCS и P=UI=I2r=U2r/[(1/ωCS)2+r2]=U2ωCStgδ/1+tg2δ, където CS-капацитета на диелектричния образец в последователна схема, r-еквивалентно загубно съпротивление. Диелектричните загуби в материалите се определят от структурата им и околните условия и не могат да зависят от субективния избор на еквивалентната схема. Задължително трябва да бъдат изпълнени условията: (tgδ)пар=(tgδ)посл и (Р)пар=(Р)посл.
1/ωCR=ωCSr и U2ωCtgδ=(U2ωCStgδ)/(1+tg2δ); C=CS/(1+tg2δ) и R=r(1+1/tg2δ).
