1. Устройство – разглеждаме MOS- транзистор с индуциран Р-канал:
В кристал / подложка / с N-тип проводимост са създадени две области с Р+ тип проводимост / много висока концентрация на дупки / на сорса S и дрейна D. При липса на напрежение между тях липсва проводящ Р-канал. Двете Р+ области заедно с N- областта имат свойствата на два насрещно включени РN-прехода. следователно каквото и напрежение да се подаде между сорса S и дрейна D винаги единия преход е включен в обратна посока и ток между S и D не може да протече. / N- областта не притежава свойствата на проводящ канал /.
2. Принцип на действие.
За да протича ток между сорса S и дрейна D е необходимо между тях да се създаде проводящ Р-канал. Това може да стане като към гейта G се приложи отрицателно напрежение UGS с определена големина.
а / при малки отрицателни стойности на UGS – електроните от повърхността на подложката се изтласкват към вътрешността на кристала;
б / когато UGS = Uр /прагово напрежение/, повърхностният слой не притежава свободни електрони;
в / когато UGS > Uр, в повърхностния слой на кристала започва разкъсване на ковалентни връзки. това води до появата на дупки, които създават Р-канал. / Това явление се нарича инверсия. / Колкото е по-голяма стойността на UGS , толкова по-голяма е концентрацията на дупки в Р-канала и дрейновият ток I D също расте.
Тъй като гейта G е изолиран от дрейна D и сорса S със силициев диоксид / SiO2 /, входната верига има свойствата на кондензатор. този кондензатор е особено чувствителен към статично електричество /С=0,1 до 5 рF/. дори много малък електрически заряд от наелектризираната кожа на ръцете може да предизвика пробив между G и S. Затова при работа с MOS-транзистор трябва да се спазват правилата:
а / трябва да се съхраняват с накъсо свързани изводи. Разединяването им става след монтажа;