Автоматично поелементно тестване на мос транзистор с индуциран n-канал



Дата16.04.2017
Размер42.53 Kb.
Реферат на тема:

Автоматично поелементно тестване на МОС транзистор с индуциран N-канал

, група:34 фак.№:

MOS транзистор се нарича полеви транзистор със структура метал-окис-полупроводник (силиций), и се управлява с напрежение. Разликата между биполярните и полевите транзистори е както в тяхното действие, така и в техните свойства. Полевият транзистор е прибор, действието на който се основава на преместване на основните токоносители. Докато биполярните транзистори се управляват по ток, полевите транзистори се управляват по напрежение.Входното съпротивление на биполярния транзистор е твърде малко и всъщност е съпротивление на отпушен p-n преход, докато входното съпротивление на полевия транзистор е голямо, тъй като входната му верига представлява запушен p-n преход.

Според проводимостта на канала двата типа MOS транзистори се срещат с n-канал или с p-канал.



Символите за MOS транзистори с индуциран канал имат прекъсната линия между сорса и дрейна (липсва технологично създаден канал), докато за транзисторите с вграден канал линията е непрекъсната. За n-каналните транзистори стрелката към p-подложката сочи навътре, докато за p-каналните MOSFET стрелката е навън.



Входни характеристики Изходни характеристики

Поелементното тестване се основава на положението, че ако всички връзки са изправни, всички елементи са монтирани, ориентацията им съответства на електрическата схема и техните параметри са в допустимите граници, тестваният обект ще работи нормално. За проверка на електронните елементи се използва допусков контрол. Чрез него се проверява правилността на монтажа и отклонението на параметрите на електронните елементи от техните предписани стойности. При поелементното тестване последователно се проверява самостоятелно всяка връзка и всеки елемент, като се изключва влиянието на съседните елементи.

За създаването на тестваща апаратура за поелементно тестване трябва да се изпълнят следните задачи:



  • да се разработят специално контактни приспособления за свързване към вътрешни контролни точки на обекта;

  • да се ограничи влиянието на другите елементи при проверката на пасивните елементи

  • да се защитят активните елементи от повреждане;

  • да се автоматизира процесът на тестване – превключване на проверяваните елементи, изработване на тестващите сигнали, измерване и обработка на резултатите;

Организацията на диагностиката на готови изделия може да бъде последователна или паралелна. При последователната организация готовите изделия преминават първо през система за поелементно тестване за откриване на дефектни връзки и елементи. Годните изделия се подават към система за функционално тестване, а негодните – към ремонтна станция. Ремонтната станция е оборудвана с терминал, чрез който се получава информацията за откритите дефекти. След отстраняване на дефектите ремонтираното изделие се връща за повторна проверка от системата за поелементно тестване. Процеса е представен чрез блоковата схема:

При паралелната организация системата за функционално тестване се използва в основната технологична линия, а тази за поелементно тестване – в паралелна на нея. Системата за функционално тестване извършва проверка на принципа „ годен – негоден „. Негодните изделия се подават към система за поелементно тестване, където се определят дефектите. Дефектите се отстраняват на ремонтно място и изделията се връщат към системата за поелементно тестване. Схемата на тази организация е следната:



Диагностичната система за поелементна диагностика на полеви транзистори е предназначена да проверява работоспособността на монтирани върху печатна платка биполярни транзистори. Механичният контакт с изводите на тествания транзистор се осъществява чрез контактна глава с три щифта – по един за сорс, гейт и дрейн изводи на транзистора.

Тестваният транзистор се подлага на функционална проверка чрез измерване на коефициента на усилване по ток в схема ОС. Ако транзисторът не издържи теста, се търсят причините за неработоспособността му. Те могат да бъдат: разменени изводи, късо съединение между изводите, прекъснат извод, монтиран транзистор от друг тип. За разпознаване на причината се проверява съпротивлението между всеки два извода на транзистора дали е голямо или малко. Извършват се две проверки - при „право” и „обратно” свързване на захранващия източник. Резултатът от всяка проверка може да бъде 1 (съпротивлението е малко) или 0 (съпротивлението е голямо). Последователността от битовете, съответстваща на резултатите от последователността от проверки, образува кода на неизправността на тествания транзистор. Този код се сравнява с кодовете в таблицата на възможните неизправности и при съвпадение се визуализира съобщението от съответния ред на таблицата.

За реализирането на горния диагностичен метод ще използваме диагностична система с блокова схема, съдържаща тестваща глава с три извода, комутатор, блок за функционално тестване, блок за проверка наличието на PN-преход, блок за анализ и управление и блок за визуализация.





Избирам схемата на комутатора да е с матрична структура. Предимствата на тази структура са, че може да се осъществи чрез задействане на едно реле връзка между една произволна входна и една произволна изходна точка.



Използват се две групи проводници /шини/ - вертикални и хоризонтални. Вертикалните шини са свързани към тестващата глава – три шини за S, G и D на тествания транзистор, а от хоризонталните шини три са свързани към входните точки на блока за функционално тестване и две към входните точки на блока за проверка на PN-преход. В пресечните точки са свързани контактите на релетата, чрез които се реализират необходимите връзки. Недостатъците са, че има опасност от късо съединение при грешно задействане на повече от едно реле и измервателната верига е натоварена с по-голям паразитен капацитет.


База данных защищена авторским правом ©obuch.info 2016
отнасят до администрацията

    Начална страница