полупроводниковите материали проявяват проводникови или диелектрични свойства, в зависимост от енергетичното им състояние. Тясната забранена зона е причина за това.
собствени ПП – материали, които нямат примеси и дефекти в кристалната си решетка. Чистотата на ПП кристал се определя с брой примесни атоми в единица обем.
ПП притежават кристална структура с ковалентна връзка: WB – най-високото ниво на ВЗ, WC – най-ниското ниво на СЗ. На мястото на електрона остава некомпенсиран положителен заряд (електронна дупка), чийто физически носител е ядрото на атома.
Генерация – процеса на освобождаване на електрони и дупки. Този процес е обратим, като връщането на ел. в СЗ се нарича рекомбинация.
2. Разпределение на Ферми: P(W)=1/[1+exp((W-WF)/kT)], W. В собствените ПП концентрацията на електроните и дупките е равна, т.е. разпределението на Ферми е симетрично, като нивото на Ферми се намира точно в средата на ЗЗ. ni=pi=√NCNB.exp(-∆W/2kT), ni – концентрация на свободни електрони в собствен ПП; pi – концентрация на дупките в собствените ПП; NC – плътност на енергетичните състояния в СЗ, NB – плътност на енергетичните състояния във ВЗ, ∆W – широчина на ЗЗ.
3. Собствена проводимост – под влияние на ел. поле, свободните електрони се движат в кристала и имаме N-проводимост.
дупките се движат фиктивно, като валентните електрони от съседните ковалентни връзки заемат некомпенсираните положителни заряди (дупки). Тази проводимост е P (positive). σi=nieμn+pieμp=nie(μn+μp), μn- подвижност на електроните, μp – подвижност на дупките.
