ТАБЛИЦА — МЕТОДИ ЗА НАНАСЯНЕ НА ПОКРИТИЯ — БЕЛЕЖКИ

1. Терминът „процес на нанасяне на покритие“ включва възстановяването и подновяването на покритието, както и първоначалното му нанасяне.

2. Терминът „покритие от сплавени алуминиди“ включва единични или многостепенни покрития, при които даден елемент или елементи се отлагат преди или по време на полагането на алуминидното покритие, дори и ако тези елементи се отлагат чрез друг процес на нанасяне на покритие. Това не включва обаче многократното прилагане на едноетапни процеси на твърда циментация за получаване на сплавени алуминиди.

3. Терминът „покритие с алуминиди, модифицирани с благородни метали“ включва многоетапни покрития, при които благородният метал или благородните метали се полагат с някакъв друг процес на нанасяне на покритие преди нанасянето на алуминидното покритие.

4. Терминът „смеси от горните“ включва инфилтрирани материали, калибровани смеси и многослойни отлагания и се получават чрез един или повече от процесите на нанасяне на покритие, описани в таблицата.

5. „MCrAlX“ обозначава сплав за покритие, където М означава кобалт, желязо, никел и съчетания от тях, а Х означава хафний, итрий, силиций и тантал във всякакви количества или други нарочно привнесени добавки от над 0,01 тегловни проценти в различни пропорции и съчетания, освен:

a. CoCrAlY покрития, съдържащи по-малко от 22 тегловни процента хром, по-малко от 7 тегловни процента алуминий и по-малко от 2 тегловни процента итрий;

b. CoCrAlY покрития, съдържащи от 22 до 24 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,5 до 0,7 тегловни процента итрий; или

c. NiCrAlY покрития, съдържащи от 21 до 23 тегловни процента хром, от 10 до 12 тегловни процента алуминий и от 0,9 до 1,1 тегловни процента итрий.

6. Терминът „алуминиеви сплави“ се отнася до сплави, имащи максимална якост на опън от 190 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).

7. Терминът „стомана, устойчива на корозия“, се отнася до серията 300 на AISI (Американски институт по желязото и стоманата) или стомани отговарящи на еквивалентни национални стандарти.

8. „Огнеупорни метали и сплави“ включва следните метали и техните сплави: ниобий (колумбий), молибден, волфрам и тантал.

9. „Материали за сензорни отвори“, както следва: двуалуминиев триоксид, силиций, германий, цинков сулфид, цинков селенид, галиев арсенид, диаманти, галиев фосфид, сапфир и техните метални халогениди: материали за сензорни отвори с диаметър повече от 40 mm за циркониев флуорид и хафниев флуорид.

10. „Технологиите“ за едноетапно твърдо циментиране на твърди профили за обтичане на криле не се контролират от категория 2.

11. „Полимери“, както следва: полиимид, полиестер, полисулфид, поликарбонати и полиуретани.

12. „Модифициран цирконий“ се отнася до добавки на оксиди на други метали (т.е. калций, магнезий, итрий, хафний, оксиди на лантаниди) към циркония, за да се стабилизират определени кристалографски фази и фазови състави. Топлинните предпазни покрития, направени от цирконий, изменен с калций и магнезий чрез смесване или сплавяване, не са обект на контрол.

13. „Титанови сплави“ се отнася да авиокосмически сплави, имащи максимална якост на опън от 900 MPa или повече, измерени при 293 К (20 °C).

14. „Стъкла с нисък коефициент на разширение“ се отнася до стъкла, които имат коефициент на топлинно разширение от 1 × 10^-7 K^-1 или по-малко, измерено при 293 К (20 °C).

15. „Диелектрични слоеве“ са покрития, състоящи се от многослойни изолиращи материали, при които свойствата за смущения на конструкцията, съставена от материали с различни индекси на рефракция, се използват за отразяване, предаване или поглъщане на различни обхвати на дължините на вълните. Диелектрични слоеве се отнася до повече от четири диелектрични пласта или „композитни“ пластове диелектрик/метал.

16. „Циментиран волфрамов карбид“ не включва материали за режещи и формоващи инструменти, състоящи се от волфрамов карбид/(кобалт, никел), титанов карбид/(кобалт, никел), хромов карбид/никел-хром и хромов карбид/никел.

17. „Технологии“, специално проектирани за нанасяне на диамантоподобен въглерод върху което и да е от изброените по-долу, не е обект на контрол:

магнитни дискови устройства и глави, оборудване за производство на материали за еднократна употреба, вентили за водопроводни кранове, акустични диафрагми за високоговорители, части за двигатели на автомобили, режещи инструменти, комбинирани щанци, оборудване за автоматизация на офиси, микрофони или медицински устройства или матрици за отливане или оформяне на пластмаси, произведени от сплави със съдържание на берилий, по-малко от 5 %.

18. „Силициев карбид“ не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.

19. Керамичните субстрати, така както се използват тук, не включват керамични материали, съдържащи 5 % в тегловно отношение или повече, глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.

Процесите, описани в колона 1 от таблицата, се дефинират, както следва:

a. Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нанасяне на многослойни покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, „композитен материал“, диелектрик или керамика се нанася върху нагрят субстрат. Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на даден субстрат, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен материал върху субстрата. Енергията за такова разлагане или процеса на химическа реакция е за сметка на загряване на субстрата, на отделяща тлеещ разряд плазма или от „лазерно“ облъчване.

N.B.1 НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно CVD(НПХСП), топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне CNTD(ТОКК), засилени или подпомогнати от плазма процеси на CVD(НПХСП).

N.B. 2 Циментация означава субстрат, потопен в прахообразна смес.

N.B. 3 Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че субстратът, който следва да бъде покрит, не влиза в контакт с прахообразната смес.

b. Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФОП-ТИ) е систематизиран процес на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия. Този процес води до кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени субстрати.

Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.

Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на покритието, е също така обикновено видоизменение на тази техника. Използването на монитори за измерване и контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се използва в тези процеси.

Специфичните процеси ТЕ-PVD(ФОП-ТИ) са, както следва:

1. ФОП по електроннолъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който образува покритието;

2. ФОП по метода на йонно съпротивително загряване използва източници на омическо нагряване в съчетание с бомбардиращ(и) йонен(ни) поток(ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от изпареното вещество за покритие;

3. „Лазерното“ изпаряване използва лъчи или от импулсен „лазер“, или от такъв с непрекъсната вълна за изпаряване на материала, който образува покритието;

4. Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се образува покритието, и се извършва разреждане на дъгата върху повърхността чрез моментен допир до заземен тригер. Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до образуване на силно йонизирана плазма. Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията на катода посредством изолатор, или камерата. За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне на субстрата.

N.B. Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени субстрати.

5. Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФОП-ТИ/ТЕ-PVD, при който източник на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен, и при субстрата се използва отрицателен наклон за улесняване отделянето на веществото от плазмата. Въвеждането на веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени модификации на тези процеси.

c. Твърдата циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстратът се потопява в прахообразна смес (циментиращо вещество), състояща се от:

1. Металите на прах, които трябва да се отложат (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);

2. Възбудител (обикновено халогенид); и

3. Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.

Субстратът и прахообразната смес се поставя в реторта, която се нагрява до температури между 1030 K (757 °C) и 1375 K (1102 °C) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.

d. Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие, стопява и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие. Разпръскването на плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.

e. Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване на необходимото покритие.

f. Отлагане на разпрашени вещества е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция, при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материала за покритие). Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.

N.B. 1 Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане на разпрашени вещества, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане, както и към отлагане на разпрашени вещества, подсилено с радиочестоти (RF), използвано за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.

N.B. 2 Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 kЕV) могат да се използват за задействане на отлагането.

g. Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част на субстрата. Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо отлагане на пари с използване на електронен лъч или чрез отлагане на разпрашени вещества.

3A001 Електронни компоненти и специално проектирани компоненти за тях, както следва:

a. Универсални интегрални схеми, както следва:

Бележка 1: Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно параметрите от 3A001.a.

Бележка 2: Интегралните схеми включват следните видове:

• 
  „Монолитни интегрални схеми“;
  

„Многочипови интегрални схеми“;

„Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху сапфир;

„Оптични интегрални схеми“;

„Триизмерни интегрални схеми“.

1. Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви да издържат на някое от изброените по-долу:

a. Обща доза от 5 × 10³ Gy (силиций) или по-голяма;

b. Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 × 10⁶ Gy (силиций)/s или по-голямо; или

c. Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 × 10¹³ n/cm² или повече върху силиций, или равностойни на него материали;

Бележка: 3A001.a.1.c. не контролира метал-изолатор-полупроводници (МИП/MIS).

2. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони за програмиране, интегрални схеми по поръчка, при което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на Фурие (FFT/БПФ), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (ЕЕPROM/ЕИПП), свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (SRAM/СППД), отговарящи на някои от изброените по-долу:

a. Предназначени за работа при околна температура над 398 К (125 °C);

b. Предназначени за работа при околна температура под 218 К (-55 °C); или

c. Предназначени за работа в целия температурен диапазон на околната среда от 218 K (-55 °C) до 398 K (125 °C);

Бележка: 3A001.a.2. не контролира интегрални схеми за граждански автомобили или приложения при железопътни влакове.

3. „Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“ и микроконтролерни микросхеми, произведени от съставни полупроводници и работещи при синхронизирана (тактова) честота над 40 MHz;

4. Не се използва;

5. Аналогово-цифрови преобразувателни (АЦП/ADC) и цифрово-аналогови преобразувателни (ЦАП/DAC) интегрални схеми, както следва:

a. Аналогово-цифрови преобразуватели (АЦП/ADC), притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:

1. Разделителна способност 8 бита или повече, но по-малка от 10 бита с изходяща скорост, по-голяма от 1000 милиона цикъла за секунда;

2. Разделителна способност 10 бита или повече, но по-малка от 12 бита с изходяща скорост, по-голяма от 300 милиона цикъла за секунда;

3. Разделителна способност 12 бита с изходяща скорост, по-голяма от 200 милиона цикъла за секунда;

4. Разделителна способност повече от 12 бита, но по-малка или равна на 14 бита, с изходяща скорост, по-голяма от 125 милиона цикъла за секунда; или

5. Разделителна способност повече от 14 бита с изходяща скорост, по-голяма от 20 милиона цикъла за секунда;

b. Цифрово-аналогови преобразуватели (ЦАП/DAC), имащи следните характеристики:

1. Разделителна способност 10 бита или повече, с „коригирана скорост на обновяване“, по-голяма от 3500 MSPS; или

2. è₁ Разделителна способност 12 бита или повече, с „коригирана скорост на обновяване“, по-голяма от 1250 MSPS и с някоя от следните характеристики: ç

a. Време за установяване, по-малко от 9 ns до 0,024 % от времето, необходимо за една пълна стъпка; или

b. „Динамичен обхват без изкривявания“ (SFDR), по-висок от 68 dBc (носител) при синтезиране на аналогов сигнал от 100 MHz по цялата скала или на най-високата честота на аналогов сигнал по цялата скала, определен под 100 MHz.

• 
  входяща честота на данните
  

6. Електрооптични и „оптични интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

a. Един или повече от един вътрешен „лазерен“ диод;

b. Един или повече от един вътрешен светлочувствителен елемент; и

c. Оптични вълноводи;

7. „Логически устройства със зона за програмиране“, имащи някоя от изброените по-долу характеристики:

a. Максимален брой едностранни цифрови входове/изходи повече от 700; или

b. „Максимална сумарна скорост на еднопосочния поток на предаване на данни“ от 500 Gb/s или повече;

8. Не се използва;

9. Интегрални схеми с невронна мрежа;

10. Поръчкови интегрални схеми, за които на производителя е неизвестна или функцията им, или статутът на контрол на оборудването, в което ще се използват интегралните схеми, имащи някои от изброените по-долу характеристики:

a. Повече от 1500 извода;

b. Нормално „време за задържане (забавяне) на разпространението в основния пропускащ елемент“, по-малко от 0,02 ns; или

c. Работна честота над 3 GHz;

11. Цифрови интегрални схеми, различни от описаните в 3A001.a.3. до 3A001.a.10. и 3A001.a.12., базирани на съставни полупроводници и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:

a. Еквивалентен брой ключове над 3000 (2 входни ключа); или

b. Гранична честота на превключване, надхвърляща 1,2 GHz;

12. Процесори, използващи бързо преобразуване на Фурие (БПФ/FFT), имащи стандартно време за изпълнение при N-точков комплекс, използващ БПФ/FFT, с брой на точките по-малък от (N log₂ N) /20480 ms, където N е броят точки;

Техническа бележка:

Когато N е равно на 1024 точки, формулата в 3A001.a.12. дава време за изпълнение 500 μѕ.

13. Интегрални схеми за директни цифрови синтезатори-(DDS), притежаващи някоя от следните характеристики:

a. Синхронизирана (тактова) честота на цифрово-аналогов преобразувател (ЦАП/DAC) 3,5 GHz или по-голяма и разделителна способност на ЦАП/DAC 10 бита или повече, но под 12 бита; или

b. Синхронизирана (тактова) честота на ЦАП/DAC 1,25 GHz или повече и разделителна способност на ЦАП/DAC 12 бита или повече;