Списък на изделия с двойна употреба

b. Компоненти, работещи в микровълновия или милиметровия диапазон, както следва:

1. Вакуумни електронни лампи и катоди, както следва:

a. Лампи с бягаща, импулсна или непрекъсната вълна, както следва:

1. Лампи, работещи при честоти, надхвърлящи 31,8 GHz;

2. Лампи, снабдени с катоден нагревателен елемент с време за достигане до номиналната RF мощност, по-малко от 3 секунди;

3. Лампи със свързани резонатори или техни производни, с „относителна широчина на честотната лента“ над 7 % или върхова мощност, надминаваща 2,5 kW;

4. Спираловидни лампи или техни производни, имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:

a. „Моментна широчина на честотната лента“ над една октава и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 0,5;

b. „Моментна широчина на честотната лента“ от една октава или по-малко и средна мощност (изразена в kW), умножена по честотата (изразена в GHz) над 1; или

c. Класифицирани като „предназначени за използване в Космоса“;

b. Усилвателни лампи с кръстосано поле, с коефициент на усилване над 17 dB;

c. Импрегнирани катоди, проектирани за електронни лампи, произвеждащи непрекъсната плътност на тока на емисията при номинални работни условия над 5 A/cm²;

2. Усилватели на мощност с микровълнови „монолитни интегрални схеми“ (MMIC), притежаващи която и да е от следните характеристики:

a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15 % и някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 75 W (48,75 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;

2. Върхова изходна мощност на насищане над 55 W (47,4 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;

3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или

4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;

b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 16 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 10 W (40 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително; или

2. Върхова изходна мощност на насищане над 5 W (37 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 16 GHz включително;

c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 3 W (34,77 dBm) при честоти над 16 GHz и до 31,8 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;

d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;

e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;

f. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 31,62 mW (15 dBm) при честоти над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;

g. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 10 mW (10 dBm) при честоти над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или

h. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 90 GHz;

3. Дискретни микровълнови транзистори, притежаващи някоя от следните характеристики:

a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 400 W (56 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;

2. Върхова изходна мощност на насищане над 205 W (53,12 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;

3. Върхова изходна мощност на насищане над 115 W (50,61 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или

4. Върхова изходна мощност на насищане над 60 W (47,78 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;

b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително и притежаващи някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;

2. Върхова изходна мощност на насищане над 15 W (41,76 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;

3. Върхова изходна мощност на насищане над 40 W (46 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или

4. Върхова изходна мощност на насищане над 7 W (38,45 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;

c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;

d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 1 W (30 dBm) при честота над 37 GHz и до 43,5 GHz включително;

e. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честоти над 43,5 GHz;

Бележка 1: Контролният статут на транзистор, чиято работна честота включва честоти, посочени в повече от един честотен диапазон, както е определено от 3A001.b.3.a. до 3A001.b.3.e., се определя от най-ниското ниво на върхова изходна мощност на насищане.

Бележка 2: 3A001.b.3. включва непокрити транзисторни чипове, транзисторни полупроводникови чипове, монтирани на носители или монтирани в корпуси. Някои обособени транзистори също могат да бъдат отнесени като усилватели на мощност, но техният статус е определен в 3A001.b.3.

4. Микровълнови полупроводникови усилватели и микровълнови комплекти/модули, съдържащи микровълнови полупроводникови усилватели, притежаващи някоя от следните характеристики:

a. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и до 6,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 15 % и някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 500 W (57 dBm) при честота над 2,7 GHz и до 2,9 GHz включително;

2. Върхова изходна мощност на насищане над 270 W (54,3 dBm) при честота над 2,9 GHz и до 3,2 GHz включително;

3. Върхова изходна мощност на насищане над 200 W (53 dBm) при честота над 3,2 GHz и до 3,7 GHz включително; или

4. Върхова изходна мощност на насищане над 90 W (49,54 dBm) при честота над 3,7 GHz и до 6,8 GHz включително;

b. Предназначени за работа на честоти над 6,8 GHz и до 31,8 GHz включително, с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 % и някоя от следните характеристики:

1. Върхова изходна мощност на насищане над 70 W (48,54 dBm) при честота над 6,8 GHz и до 8,5 GHz включително;

2. Върхова изходна мощност на насищане над 50 W (47 dBm) при честота над 8,5 GHz и до 12 GHz включително;

3. Върхова изходна мощност на насищане над 30 W (44,77 dBm) при честота над 12 GHz и до 16 GHz включително; или

4. Върхова изходна мощност на насищане над 20 W (43 dBm) при честота над 16 GHz и до 31,8 GHz включително;

c. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 0,5 W (27 dBm) при честота над 31,8 GHz и до 37 GHz включително;

d. Предназначени за работа с върхова изходна мощност на насищане над 2 W (33 dBm) при честоти над 37 GHz и до 43,5 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;

e. Предназначени за работа на честоти над 43,5 GHz и притежаващи някоя от следните характеристики:

1. Максимална изходна мощност на насищане над 0,2 W (23 dBm) при честота над 43,5 GHz и до 75 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 10 %;

2. Максимална изходна мощност на насищане над 20 mW (13 dBm) при честота над 75 GHz и до 90 GHz включително, и с „относителна широчина на честотната лента“ над 5 %; или

3. Върхова изходна мощност на насищане над 0,1 nW (-70 dBm) при честота над 90 GHz; или

f. Предназначени за работа на честоти над 2,7 GHz и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Върхова мощност на насищане (във ватове), P_sat, по-голяма от 400, разделена на максималната експлоатационна честота (в GHz), повдигната на квадрат [P_sat >400 W*GHz²/f_GHz²];

2. „Относителна широчина на честотната лента“ от 5 % или повече; и

3. Всеки две линии, перпендикулярни една на друга с дължина d (в сm), равна на или по-малка от 15, разделена на най-ниската работна честота в GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ f_GHz];

5. Електронно или магнитно настройваеми лентови филтри, разполагащи с повече от 5 настройващи се резонатора, способни за настройка в рамките на честотна лента 1,5:1 (f_max/f_min) за по-малко от 10 μѕ, и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:

a. Широчина на пропусканата честотна лента от над 0,5 % от централната честота; или

b. Широчина на непропусканата честотна лента от по-малко от 0,5 % от централната честота;

6. Не се използва;

7. Преобразуватели и смесители от някоя от следните категории:

a. Проектирани за разширяване на честотния обхват на „сигнални анализатори“ отвъд ограничението от 90 GHz;

b. Проектирани за разширяване на работния обхват на сигнални генератори, както следва:

1. Отвъд ограничението от 90 GHz;

2. До изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;

c. Проектирани за разширяване на работния обхват на мрежови анализатори, както следва:

1. Отвъд ограничението от 110 GHz;

2. До изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;

3. До изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 90 GHz и до 110 GHz; или

d. Проектирани за разширяване на честотния обхват на микровълнови изпитателни приемници отвъд ограничението от 110 GHz;

8. Микровълнови усилватели на мощност, съдържащи електронни лампи, определени в 3A001.b.1. и имащи всички изброени по-долу характеристики:

a. Работни честоти над 3 GHz;

b. Съотношение между средната изходна мощност и масата над 80 W/kg; и

c. Обем, по-малък от 400 cm³;

Бележка: 3A001.b.8. не контролира оборудване, проектирано или класифицирано за работа в „определена от МСД/ITU“ честотна лента за радиокомуникационни услуги, но не за радиоопределящи.

9. Микровълнови модули (MPM), състоящи се поне от лампа с бягаща вълна, микровълнова „монолитна интегрална схема“ и интегриран електронен изравнител на мощността, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

a. „Време за достигане на пълна експлоатационна мощност“ от изключено положение до пълно работно състояние за по-малко от 10 секунди;

b. Сила на звука, по-малка от максималната изходна мощност във ватове, умножена по 10 cm³/W; и

c. „Моментна широчина на честотната лента“, по-голяма от една октава (f_max > 2f_min) и имащи някоя от изброените по-долу характеристики:

1. За честоти по-малки или равни на 18 GHz, изходна RF мощност, по-голяма от 100 W; или

2. Честота по-голяма от 18 GHz;

Технически бележки:

1. За изчисляване на силата на звука в 3A001.b.9.b., се дава следният пример: за максимална изходна мощност от 20 W силата на звука ще е: 20 W × 10 cm³/W = 200 cm³.

2. „Времето за достигане на пълна експлоатационна мощност“, посочено в 3A001.b.9.a., се отнася за времето от напълно изключено състояние до състояние на пълна експлоатационна мощност, т.е. включва се времето за загряване на микровълновия модул.

10. Осцилатори или комплекти от осцилатори, предвидени да работят с фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, по-малко (по-добро) от -(126 + 20log₁₀F - 20log₁₀f) във всяка точка от диапазона 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;

11. „Електронни комплекти“ с „честотен синтезатор“, имащи „време за превключване на честотата“, както е определено от някое от следните:

a. По-малко от 156 ps;

b. По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 1,6 GHz в обхвата на синтезираната честота над 4,8 GHz и до 10,6 GHz;

c. По-малко от 250 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 10,6 GHz и до 31,8 GHz;

d. По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 31,8 GHz и до 43,5 GHz;

e. По-малко от 1 mѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в обхвата на синтезираната честота над 43,5 GHz и до 56 GHz;

f. По-малко от 1 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в обхвата на синтезираната честота над 56 GHz и до 90 GHz; или

g. По-малко от 1 ms в рамките на синтезирания честотен обсег, надвишаващ 90 GHz.

N.B.: За „сигнални анализатори“, генератори на сигнали, мрежови анализатори и микровълнови изпитателни приемници с общо предназначение вж. съответно 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f.

c. Акустични вълнови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти за тях:

1. Устройства за повърхностни акустични вълни и за плъзгащи се по повърхността (в плитка дълбочина) акустични вълни, имащи някоя от изброените по-долу характеристики:

a. Носеща честота над 6 GHz;

b. Носеща честота над 1 GHz, но под 6 GHz, и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:

1. „Потискане на честотата от страничния лист на диаграмата на излъчване“ над 65 dB;

2. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μѕ, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100;

3. Широчина на честотната лента, по-голяма от 250 MHz; или

4. Дисперсно забавяне над 10 μѕ; или

c. Носеща честота от 1 GHz или по-малка и имащи която и да е от изброените по-долу характеристики:

1. Произведение на максималното закъснение и широчината на честотната лента (времето в μѕ, а широчината на честотната лента в MHz), по-голямо от 100;

2. Дисперсно забавяне над 10 μѕ; или

3. „Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“, надхвърляща 65 dB и ширина на честотната лента над 100 MHz;

Техническа бележка:

„Потискане на честота от страничния лист на диаграмата на излъчване“ е максималната стойност на потискане, посочена в информационния лист.

2. Дълбочинни (по отношение обема) устройства за акустични вълни, които позволяват непосредствена обработка на сигнали при честоти над 6 GHz;

3. Устройства за акустично-оптична „обработка на сигнали“, използващи взаимодействието между акустичните вълни (в дълбочина или на повърхността) и светлинни вълни, които позволяват директна обработка на сигнали или изображения, включително спектрален анализ, корелация или свиване;

Бележка: 3A001.c. не контролира устройства за акустични вълни, които се ограничават до единична честотна лента, високочестотно, нискочестотно или многочестотно (notch) филтриране или резонираща функция.

d. Електронни устройства и схеми, съдържащи компоненти, произведени от „свръхпроводящи“ материали, специално проектирани за работа при температури под „критичната температура“ за поне една от „свръхпроводящите“ съставки и притежаващи някоя от изброените по-долу характеристики:

1. Превключване на тока за цифрови схеми с помощта на „свръхпроводящи“ превключващи елементи, с произведение на закъснението за превключващ елемент (в s) и разсейването на мощност за превключващ елемент (във W), по-малко от 10^-14 J; или

2. Избор на честота при всякакви честоти, използващи резонансни кръгове с Q стойности над 10000;

e. Високоенергийни устройства, както следва:

1. „Елементи“, както следва:

a. „Първични елементи“ с „енергийна плътност“ над 550 Wh/kg при 20 °C;

b. „Вторични елементи“ с „енергийна плътност“ над 300 Wh/kg при 20 °C;

2. Високоенергийни кондензатори, както следва:

a. Кондензатори с честота на презаряд, по-малка от 10 Hz (едноразрядни кондензатори), притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV;

2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 250 J/kg; и

3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 25 kJ;

b. Кондензатори с честота на презаряд 10 Hz или по-голяма (кондензатори, класифицирани като многоразрядни) и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 5 kV;

2. Енергийна плътност, равна на или по-голяма от 50 J/kg;

3. Обща енергия, равна на или по-голяма от 100 J; и

4. Живот, измерен в цикли зареждане/разреждане, равен на или по-голям от 10000;

3. „Свръхпроводящи“ електромагнити и соленоиди, специално проектирани да се зареждат и разреждат изцяло за по-малко от 1 секунда и притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

N.B. ВЖ. СЪЩО 3A201.b.

Бележка: 3A001.e.3. не контролира „свръхпроводящи“ електромагнити или соленоиди, специално проектирани за медицинско оборудване за изображения с магнитен резонанс (ИМР/MRI).

a. Енергия, освободена при разреждане, надминаваща 10 kJ през първата секунда;

b. Вътрешен диаметър на токопроводящите намотки, по-голям от 250 mm; и

c. Номинална магнитна индукция повече от 8 Т или „общата плътност на потока“ в намотката е по-голяма от 300 A/mm²;

4. Соларни клетки, модули от CIC (cell-interconnect-coverglass), соларни панели и соларни матрици, които са „класифицирани като предназначени за използване в Космоса“, с минимална средна ефективност над 20 % при експлоатационна температура от 301 К (28 °C) при симулирано осветяване „AM0“ с излъчване от 1367 вата на квадратен метър (W/m²);

Техническа бележка:

„AM0“ или „Air Mass Zero“ (маса на въздуха нула) се отнася до спектралното излъчване на слънчевата светлина във външната част на земната атмосфера, когато разстоянието между Земята и Слънцето е една астрономическа единица (AU).

f. Кодиращи устройства за абсолютна ъглова позиция с ротативно въвеждане, имащи точност равна на или по-малка (по-добра) от ± 1,0 дъгови секунди;

g. Полупроводникови тиристорни устройства за превключване на импулсни мощности и „тиристорни модули“, използващи управление, основано на електрически, оптичен метод или метод с електронно излъчване, и имащи някоя от следните характеристики:

1. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 30000 A/μѕ, и напрежение в изключено състояние, по-голямо от 1100 V; или

2. Максимална скорост на нарастване на тока (di/dt) в отпушено състояние, по-голяма от 2000 A/μѕ и притежаващи всички изброени по-долу характеристики;

a. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо или равно на 3000 V; и

b. Върхов ток, равен на или по-голям от 3000 А.

Бележка 1: 3A001.g. включва:

Силициево управлявани токоизправители (SCRs)

Електрически управлявани тиристори (ЕTTs)

Тиристори управлявани със светлина (LTTs)

Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs)

Двуоперационни тиристори - Gate Turn-off Thyristors (GTOs)

MOS Controlled Thyristors (MCTs)

Солидтрони

Бележка 2: 3A001.g. не контролира тиристорни устройства и „тиристорни модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“.