Списък на изделия с двойна употреба

h. Полупроводникови прекъсвачи, диоди или „модули“, имащи всички изброени характеристики:

1. Предназначени за работа при околна температура по-голяма от 488 К (215 °С);

2. Върхово напрежение в изключено състояние, по-голямо от 300 V; и

3. Непрекъснат ток, по-голям от 1А.

Бележка 1: Непрекъснато върхово напрежение в изключено състояние в 3А001.h включва напрежение дрейн към сорс, напрежение колектор към емитер, повтарящо се върхово обратно напрежение и повтарящо се върхово напрежение в изключено състояние.

Бележка 2: 3A001.h. включва:

Полеви транзистори с p-n преход (JFЕT)

Вертикални полеви транзистори с p-n преход (VJFЕT)

Метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (MOSFЕT)

Двойно дифузни метал-оксидни полупроводникови полеви транзистори (DMOSFЕT)

Биполярен транзистор с изолиран гейт (IGBT)

Транзистори с висока мобилност на електроните (НЕMT)

Хетеродвуполюсни транзистори (BJT)

Тиристори и силициево управлявани токоизправители (SCR)

Двуоперационни тиристори - Gate Turn-Off Thyristors (GTO)

Двуоперационни тиристори - Emitter Turn-Off Thyristors (ЕTO)

PiN диоди

Диоди на Шотки

Бележка 3: 3A001.h. не контролира прекъсвачи, диоди или „модули“, съдържащи се в оборудване, предназначено за приложения в гражданския автомобилен и железопътен транспорт или „граждански летателни апарати“.

Техническа бележка:

За целите на 3А001.h. „модули“ съдържат един или повече твърдотелни полупроводникови прекъсвачи или диоди.

3A002 Електронно оборудване с общо предназначение, както следва:

a. Записващо оборудване и осцилоскопи, както следва:

1. Не се използва;

2. Не се използва;

3. Не се използва;

4. Не се използва;

5. Вълнови дигитайзери и записващи устройства за преходни процеси, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

a. Скорост на цифровизация, равна на или повече от 200 милиона шаблона за секунда и разделителна способност 10 бита или по-голяма;

b. „Постоянна пропускателна способност“ 2 Gbit/s или по-голяма; и

c. Задействано подаване на преходни или апериодични сигнали

Технически бележки:

1. За инструментите с паралелна шинна архитектура „постоянна пропускателна способност“ представлява най-високата скорост на думите, умножена по броя битове в една дума.

2. „Постоянната пропускателна способност“ е най-голямата скорост на данните, която инструментът може да подаде към запаметяващото устройство без загуба на информация, като при това се поддържа скоростта на дискретизация и аналогово-цифровото преобразуване.

3. За целите на 3A002.a.5.c. подаването може да бъде задействано от вътрешен или от външен стимул.

6. Цифрови записващи системи за инструментални данни, използващи техника за записване на магнитен диск, притежаващи всички изброени по-долу характеристики, и специално проектирани за тях цифрови записващи устройства:

a. Скорост на записване на цифровизирани инструментални данни, равна на или повече от 100 милиона шаблона за секунда при разделителна способност 8 бита или по-голяма; и

b. „Постоянна пропускателна способност“ 1 Gbit/s или по-голяма;

7. Осцилоскопи за работа в реално време с вертикално напрежение на шум със средна квадратична стойност (rms) по-малко от 2 % от пълната скала при настройка на вертикалната скала, осигуряваща най-ниска стойност на шум за входна ширина на честотната лента при 3 dB от 60 GHz или повече на канал;

b. Не се използва;

c. „Сигнални анализатори“, както следва:

1. „Сигнални анализатори“, имащи 3 dB разделителна способност на честотната лента (RBW), която надвишава 10 MHz във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz;

2. „Сигнални анализатори“ с посочено средно ниво на шума (DANL), по-ниско (по-добро) от -150 dBm/Hz във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;

3. „Сигнални анализатори“ с честота над 90 GHz;

4. „Сигнални анализатори“, имащи всички изброени по-долу характеристики:

a. „Широчина на честотната лента в реално време“ над 170 MHz; и

b. 100 % вероятност за откриване с по-малко от 3 dB съкращение спрямо пълната амплитуда поради празнини или интервали („windowing effects“) за сигналите с продължителност 15 μѕ или по-малко;

Технически бележки:

1. Вероятността от откриване съгласно 3A002.c.4.b. се нарича също вероятност от прихващане или вероятност от улавяне.

2. По смисъла на 3A002.c.4.b. продължителността за постигане на 100 % вероятност от откриване е еквивалентна на минималната продължителност на сигнала, необходима за посоченото ниво на отклонение при измерването.

Бележка: 3A002.c.4. не контролира „сигнални анализатори“, използващи само филтри за широчината на лентата с постоянен процент (също известни като октавни или частични октавни филтри).

5. „Сигнални анализатори“ с функция на „задействащ механизъм за наслагване на честоти“ със 100 % вероятност от задействане (улавяне) за сигнали с продължителност 15 μѕ или по-малко;

d. Сигнални генератори, притежаващи някоя от следните характеристики:

1. Предназначени да генерират във всяка точка от честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz импулсни-модулирани сигнали, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

a. „Продължителност на импулса“, по-малко от 25 ns; и

b. Съотношение на включване/изключване (on/off ratio) равно на или по-голямо от 65 dB;

2. Изходна мощност над 100 mW (20 dBm) във всяка точка от честотния диапазон над 43,5 GHz и до 90 GHz;

3. „Време за превключване на честотата“, определено от някоя от следните характеристики:

a. Не се използва;

b. По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния диапазон над 4,8 GHz и до 31,8 GHz;

c. Не се използва.

d. По-малко от 500 μѕ за всяка смяна на честотата над 550 MHz в честотния диапазон над 31,8 GHz и до 37 GHz;

e. По-малко от 100 μѕ за всяка смяна на честотата над 2,2 GHz в честотния диапазон над 37 GHz и до 90 GHz; или

f. Не се използва.

4. Фазово изкривяване на единичната странична честота (SSB), измерено в dBc/Hz, за което е посочено, че отговаря на някоя от изброените по-долу характеристики:

a. По-малко (по-добро) от -(126 + 20log10F - 20log₁₀f) във всяка точка от диапазона 10 Hz < F < 10 kHz, във всяка точка от честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или

b. По-малко (по-добро) от -(206- 20log₁₀f) във всяка точка от диапазона 10 kHz< F≤ 100 kHz, във всяка точка от честотния диапазон над 3,2 GHz и до 90 GHz; или

Техническа бележка:

В 3A002.d.4 F е отклонението от работната честота в Hz и f е работната честота в MHz.

5. Максимална честота над 90 GHz;

e. Мрежови анализатори, имащи някои от изброените по-долу характеристики:

1. Изходна мощност над 31,62 mW (15 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 43,5 GHz и до 90 GHz;

2. Изходна мощност над 1 mW (0 dBm) във всяка точка от диапазона на работната честота над 90 GHz и до 110 GHz;

3. „Способност за измерване на нелинейни вектори“ при честоти над 50 GHz и до 110 GHz; или

Техническа бележка:

„Способност за измерване на нелинейни вектори“ означава способността на даден инструмент да анализира резултатите от изпитванията на изделия в обхвата на широкочестотните сигнали или в диапазона на нелинейно изкривяване.

4. Максимална работна честота над 110 GHz;

f. Микровълнови изпитателни приемници, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Максимална работна честота над 110 GHz; и

2. Способност за едновременно измерване на амплитуда и фаза;

g. Стандарти за атомни честоти, имащи някои от изброените по-долу характеристики:

1. „Предназначени за използване в Космоса“;

2. Не са рубидиеви стандарти и имат дългосрочна стабилност по-малка (по-добра) от 1 × 10^-11/месец; или

3. Не са „предназначени за използване в Космоса“ и притежават всички изброени по-долу характеристики:

a. Представляват рубидиев стандарт;

b. Дългосрочна стабилност (остаряване), по-малка (по-добра) от 1 × 10^-11/месец; и

c. Обща консумация на енергия, по-малка от 1 W.

3A003 Системи за термично управление с охлаждане със спрей, използващи затворен и уплътнен контур с оборудване за събиране и възстановяване на флуида, където диелектрически флуид се разпръсква върху електронните компоненти чрез специално проектирани аерозолни дюзи, които са създадени да поддържат електронните компоненти в тяхната работна температурна област, и специално проектирани компоненти за тях.

3A101 Електронно оборудване, устройства и компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:

a. Аналогово-цифрови преобразуватели, с приложение при „ракети“, проектирани да отговарят на военни изисквания за износоустойчиво оборудване;

b. Ускорители, способни да излъчват електромагнитна радиация, създадена чрез стационарно облъчване с ускорени електрони с 2 МЕV или повече и системи, включващи тези ускорители.

3A102 „Топлинни акумулатори“ разработени или модифицирани за „ракети“.

3A201 Електронни компоненти, различни от описаните в 3A001, както следва:

a. Кондензатори, имащи едната от следните две групи характеристики:

1.

b. Съхранение на енергия, по-голямо от 10 J;

c. Капацитивно съпротивление, по-голямо от 0,5 μF; и

d. Последователно свързана индуктивност, по-малка от 50 nH; или

2.

a. Напрежение, по-голямо от 750 V;

c. Последователно свързана индуктивност, по-малка от 10 nH;

b. Свръхпроводящи соленоидни електромагнити, имащи всички изброени по-долу характеристики:

1. Способни да създават магнитни полета, по-големи от 2 Т;

2. Съотношение на дължината към вътрешния диаметър, по-голямо от 2;

3. Вътрешен диаметър, по-голям от 300 mm; и

4. Еднородно магнитно поле в рамки, по-добри от 1 % над централните 50 % от вътрешния обем;

Бележка: 3A201.b. не контролира магнити, специално проектирани за и изнасяни „като части от“ медицински системи за изображение с ядрено-магнитен резонанс (ЯМР/NMR). Изразът „като част от“ не означава непременно физическа част в същата пратка; допускат се отделни пратки от различни източници, при условие че съответните експортни документи ясно посочват, че пратките се изпращат „като част от“ системите за изображение.

c. Импулсни генератори с рентгеново излъчване или импулсни електронни ускорители, имащи едното от следните две множества характеристики:

1.

a. Върхова енергия на електроните на ускорителя 500 kЕV или по-голяма, но по-малка от 25 МЕV; и

2.

b. „Върхова мощност“, по-голяма от 50 MW.

3A225 Честотни преобразуватели или генератори, различни от описаните в 0B001.b.13., използваеми като двигатели с променлива или постоянна честота и притежаващи всичките следни характеристики:

a. Многофазен изход, способен да даде мощност от 40 VA или по-голяма;

b. Работещи при честота 600 Hz или повече; и

c. Честотен контрол, по-добър (по-малък) от 0,2 %.

3A226 Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.6., притежаващи и двете изброени по-долу характеристики:

a. Способни непрекъснато да произвеждат за период от 8 часа напрежение 100 V или повече при отдаден ток от 500 A или повече; и

b. Стабилност на тока или напрежението, по-добра от 0,1 % за период от време 8 часа.

3A227 Източници на постоянен ток с висока мощност, различни от описаните в 0B001.j.5., притежаващи и двете изброени по-долу характеристики:

a. Способни непрекъснато да произвеждат за период от 8 часа напрежение 20 kV или повече при отдаден ток от 1 A или повече; и

b. Стабилност на тока или напрежението, по-добра от 0,1 % за период от време 8 часа.

3A228 Превключващи устройства, както следва:

a. Студени катодни тръби, независимо дали са запълнени с газ, действащи подобно на искрова междина, имащи всички изброени по-долу характеристики:

1. Съдържащи три или повече електрода;

2. Предназначени за върхово напрежение на анода 2,5 kV или повече;

3. Пиков ток на анода 100 А или повече; и

4. Време на забавяне на анода 10 μѕ или по-малко;

Бележка: 3A228 включва газови криптонови лампи и вакуумни спритронни лампи.

b. Задействани искрови междини, имащи и двете изброени по-долу характеристики:

1. Време на забавяне на анода 15 μѕ или по-малко; и

2. Пикова сила на тока от 500 А или повече.

c. Модули или комплекти с бързо превключване, различни от описаните в 3A001.g. или 3A001.h., имащи всички изброени по-долу характеристики:

1. Пиково напрежение на анода, по-голямо от 2 kV;

2. Пиков ток на анода 500 А или повече; и

3. Време за включване от 1 μѕ или по-малко.

3A229 Силнотокови импулсни генератори, както следва:

N.B.: ВЖ. СЪЩО МЕРКИ ЗА КОНТРОЛ НА ВОЕННИ СТОКИ.

a. Комплекти за задействане на детонатори (инициатори, възпламенители), включително такива с електронен заряд, с експлозивно или оптично задействане, различни от посочените в 1A007.a., проектирани за управление на различни управляеми детонатори, посочени в 1A007.b.;

b. Модулни електрически импулсни генератори (пулсатори), имащи всички изброени по-долу характеристики:

1. Проектирани за преносима или мобилна употреба или употреба в особено тежки условия;

2. Способни да отдадат енергията си за по-малко от 15 μѕ при товари по-малки от 40 ohms;

3. Имащи отдаден ток, по-голям от 100 А;

4. Никое от измеренията им не надхвърля 30 cm;

5. Тегло по-малко от 30 kg; и

6. Предвидени за употреба в разширен температурен диапазон от 223 K (-50 °C) до 373 K (100 °C) или определени като подходящи за космически приложения.

Бележка: 3A229.b. включва възбудители на ксенонови импулсни лампи.

c. Възпламенителни микроустройства, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Никое от измеренията им не надхвърля 35 mm;

2. Номинално напрежение, равно на или по-голямо от 1 kV; и

3. Капацитивно съпротивление, равно на или по-голямо от 100 nF.

3A230 Високоскоростни импулсни генератори и „импулсни глави“ за тях, притежаващи и двете изброени по-долу характеристики:

a. Напрежение на изхода, по-голямо от 6 V при активен резистивен товар, по-малък от 55 ома, и

b. „Време за преминаване на импулса“ по-малко от 500 ps.

3A231 Неутронни генераторни системи, включително тръби, имащи и двете изброени по-долу характеристики:

a. Проектирани за работа без система за външен вакуум; и

b. Използващи някое от следните:

1. Електростатично ускорение за индуциране на тритий-деутериева ядрена реакция; или

2. Електростатично ускорение за индуциране на деутерий-деутериева ядрена реакция и способност да отдават 3 × 10⁹ неутрона/s или повече.

3A232 Многоточкови системи за иницииране, различни от описаните в 1A007, както следва:

N.B.: ВЖ. СЪЩО МЕРКИ ЗА КОНТРОЛ НА ВОЕННИ СТОКИ.

N.B.: За детонатори вж. 1A007.b.

a. Не се използва;

b. Групи, които използват единични или множествени детонатори, проектирани да инициират почти едновременно експлозия върху повърхност, по-голяма от 5000 mm² след единично сигнално възпламеняване и времетраене на иницииращия импулс, по-малко от 2,5 μѕ.

Бележка: 3A232 не контролира детонатори, използващи само първични експлозиви, като оловен азид.

3A233 Масспектрометри, различни от описаните в 0B002.g., способни да измерват йони с маса от 230 атомни единици или по-голяма и имащи разделителна способност, по-добра от 2 части на 230, както следва, и йонни източници за тях:

a. Индуктивно свързани плазмени масспектрометри (ИСПМС/ICP/MS);

b. Масспектрометри със тлеещ разряд (МССР/GDMS);

c. Масспектрометри с топлинна йонизация (МСТЙ/TIMS);

d. Масспектрометри, бомбардирани с електрони, притежаващи и двете посочени по-долу характеристики:

1. Система с молекулярен входен лъч, която инжектира насочен лъч от аналитни молекули в област на йонния източник, където молекулите биват йонизирани от електронен лъч; и

2. Един или няколко „студени уловители“, които могат да бъдат охлаждани до температура от 193 K (-80 °C);

e. Не се използва;

f. Масспектрометри, снабдени с йонен източник за микрофлуориране, проектиран за актиниди или техни флуориди.

3A234 Лентови системи, осигуряващи ниско индуктивен път за детонатори със следните характеристики:

a. Напрежение, по-голямо от 2 kV; и

b. Индуктивност, по-малка от 20 nH.

3B001 Оборудване за производство на полупроводникови устройства или материали, както следва и специално проектирани компоненти и принадлежности за тях:

a. Оборудване за епитаксиално изграждане, както следва:

1. Оборудване с възможност за производство на слой от материал, различен от силиций с дебелина, равна или по-малка от ± 2,5 % на разстояния от 75 mm или по-дълги;

2. Реактори за нанасяне на металоорганични покрития чрез химическо свързване на пари (МОХУП/MOCVD), проектирани за епитаксиално изграждане на съставни полупроводници от материали, съдържащи два или повече от следните елементи: алуминий, галий, индий, арсен, фосфор, антимон или азот;

3. Оборудване за молекулярно-лъчево епитаксиално наслагване от газови или твърдотелни източници;

b. Оборудване, проектирано за йонно имплантиране и имащо някоя от следните характеристики:

1. Не се използва;

2. Проектирани и оптимизирани да работят при енергия на потока от 20 kЕV или повече и поток на лъчението от 10 mA или повече за имплантиране на водород, деутерий или хелий;

3. Възможност за директен запис;

4. Енергия на потока от 65 kЕV или повече и насочен ток 45 mA или повече за имплантиране на кислород с висока енергия в нагрята „подложка“ от полупроводников материал; или

5. Проектирани и оптимизирани да работят при енергия на потока от 20 kЕV или повече и поток на лъчението от 10 mA или повече за имплантиране на силиций в „подложка“ от полупроводников материал, нагрята до 600 °C или повече;

c. Оборудване за сухо ецване чрез анизотропна плазма, притежаващо всички изброени по-долу характеристики:

1. Проектирано или оптимизирано да произвежда критически размери от 65 nm или по-малко; и

2. Нееднородност вътре в пластината, равна на или по-малка от 10 % 3σ, измерена при изключване на ъглова зона от 2 mm или по-малко;

d. Не се използва;

e. Системи за автоматично многокамерно зареждане за централна обработка на пластини, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

1. Интерфейси за въвеждане и извеждане на пластини, към които са проектирани да се свържат повече от два функционално различни „полупроводникови обработващи прибори“, описани в 3B001.a., 3B001.b. или 3B001.c.; и

2. Проектирани да образуват във вакуумна среда интегрирана система за „последователна обработка на множествена пластина“;