Списък на изделия с двойна употреба

f. Литографско оборудване, както следва:

1. Оборудване за изравняващи и експониращи стъпки и повторения (директна стъпка върху пластина) или сканиращо оборудване (скенери) за обработка на пластина с използване на фотооптични и рентгенови методи или притежаващо някоя от изброените по-долу характеристики:

a. Дължина на вълната на светлинния източник, по-къса от 193 nm; или

b. Способно да оформя растер (модел) с размер на „минималната различима единица“ (MRF) от 45 nm или по-малка;

Техническа бележка:

„Минималната различима единица“ (MRF) се пресмята по следната формула:

MRF = (дължина на вълната на експониращ светлинен източник в nm) x (фактор K)

цифрова апертура

2. Оборудване за литографски печат, способно да печата елементи от 45 nm или по-малки;

3. Оборудване, специално проектирано за изработване на маски или обработка на полупроводникови устройства, използващо методи за директен печат и имащо всички изброени по-долу характеристики:

a. Използва отклонен фокусиран електронен лъч, йонен лъч или „лазерен“ лъч; и

b. С която и да е от следните характеристики:

1. Размер на светлинното петно, по-малък от 0,2 μm;

2. Способност да създава растер (модел) с размер на елементите, по-малък от 1 μm; или

3. Точност на наслояване по-добра от ± 0,20 μm (3 сигма);

g. Маски и сита за интегралните схеми, описани в 3A001;

h. Многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, които не са описани в 3B001.g. и притежават някоя от следните характеристики:

1. Изработени върху наслоена „заготовка за подложка“ от стъкло, за което е посочено, че има двулъчепречупване от по-малко от 7 nm/cm; или

2. Проектирани за използване от литографско оборудване с дължина на вълната на светлинния източник по-малко от 245 nm;

Бележка: 3B001.h. не контролира многослойни маски с фазово променен (изместен) слой, проектирани за производство на запаметяващи устройства, които не се контролират от 3A001.

i. Шаблони за литографски печат, проектирани за интегрираните схеми, описани в 3A001.

3B002 Оборудване за изпитване, специално проектирано за тестване на готови или незавършени полупроводникови устройства, както следва, и специално проектирани компоненти и принадлежности за него:

a. За изпитване на S параметрите на транзисторни устройства при честоти над 31,8 GHz;

b. Не се използва;

c. За изпитване на микровълнови интегрални схеми, описани в 3A001.b.2.

3C001 Хетероепитаксиални материали, състоящи се от „подложка“, върху който епитаксиално са напластени много слоеве от някои от изброените по-долу:

a. Силиций (Si);

b. Германий (GЕ);

c. Силициев карбид (SiC); или

d. „III/V съединения“ на галий и индий.

3C002 Съпротивителни материали, както следва, и „подложка“, покрити със следните съпротивителни покрития:

a. Съпротивителни материали, проектирани за полупроводникова литография, както следва:

1. Съпротивителни материали с положителен заряд, приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 245 nm, но равни на или над 15 nm;

2. Съпротивителни материали, приспособени (оптимизирани) за използване при дължини на вълната под 15 nm, но над 1 nm;

b. Всички съпротивителни покрития, проектирани за използване с електронни или йонни лъчи, с чувствителност от 0,01 μсоulomb/mm² или по-добра;

c. Не се използва;

d. Всички съпротивителни покрития, оптимизирани за технологии за повърхностни изображения;

e. Всички съпротивителни покрития, проектирани или оптимизирани за употреба с оборудването за литографски печат, посочено в 3B001.f.2., което използва или термален процес, или процес на фотообработка.

3C003 Органично-неорганични съединения, както следва:

a. Органично-метални съединения на алуминий, галий или индий, с чистота (метална основа), по-висока от 99,999 %;

b. Органично-арсенови, органично-антимонови и органично-фосфорни съединения с чистота (основа от неорганични елементи), по-висока от 99,999 %.

3C004 Хидриди на фосфор, арсен или антимон, с чистота, по-висока от 99,999 %, дори и разредени в инертни газове или водород.

3C005 Силициев карбид (SiC), галиев нитрид (GaN), алуминиев нитрид (AlN) или полупроводникови „подложка“ на алуминиево-галиев нитрид (AlGaN), или слитъци, блокове, или други предварителни форми на тези материали, притежаващи съпротивление по-голямо от 10 000 ohm-cm при 20 °C.

3C006 „Подложка“, посочени в 3C005, с поне един епитаксиален слой от силициев карбид, галиев нитрид, алуминиев нитрид или алуминиево-галиев нитрид.

3D Софтуер

3D001 „Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ или „производство“ на оборудването, описано в 3A001.b.—3A002.g. или 3B.

3D002 „Софтуер“, специално проектиран за „използване“ на оборудване, посочено в 3B001.a.—f. или 3B002 или 3A225.

3D003 Симулативен „софтуер“„на физическа основа“, специално проектиран за „разработване“ на литографиране, ецване или процеси на отлагане, за пренасяне на шаблоните от маските в специфични топографски форми в проводници, диелектрици или полупроводникови материали.

3D004 „Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ на оборудване, посочено в 3А003.

3D101 „Софтуер“, специално проектиран или модифициран за „употреба“ на оборудване, описано в 3A101.b.

3D225 „Софтуер“, специално проектиран да подобрява или улеснява работата на честотни превключватели или генератори, с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.

3E001 „Технологии“ съгласно Общата бележка за технологиите за „разработване“ или „производство“ на оборудването или материалите, описани в 3A, 3B или 3C;

3E002 „Технологии“ в съответствие с Общата бележка за технологиите, различни от описаните в 3Е001, за „разработване“ или „производство“ на „микропроцесорна микросхема“, „микрокомпютърна микросхема“ или микросхема с микроуправляващо устройство, с аритметично логическо устройство с ширина на достъпа 32 бита или повече, и някоя от следните особености или характеристики:

a. „Векторен процесор“, проектиран да извършва повече от две изчисления едновременно върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици).

Техническа бележка:

„Векторният процесор“ е процесорно устройство с вградени инструкции, който извършва едновременно множество изчисления върху вектори с плаваща запетая (едномерни 32-битови или по-големи матрици), притежаващи поне едно векторно аритметично логическо устройство.

b. Проектирани да извършват повече от четири 64-битови или по-големи изчислителни операции на цикъл; или

c. Проектирани да извършват повече от четири 16-битови операции с умножение и събиране с фиксирана запетая (напр. цифрова обработка на аналогова информация, която е била превърната преди това в цифрова, известна също като цифрова „обработка на сигнала“).

Бележка: 3E002.c. не контролира „технологии“ за мултимедийни разширения.

Бележка 1: 3E002 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на микропроцесорни ядра, притежаващи всички изброени по-долу характеристики:

a. Които използват „технологии“ от 0,130 μm или повече; и

b. Които включват многослойни структури с пет или по-малко метални слоя.

Бележка 2: 3E002 включва „технология“ за цифрови сигнални процесори и цифрови матрични процесори.

3E003 Други технологии за „разработване“ или „производство“ на следното:

a. Вакуумни микроелектронни устройства;

b. Хетероструктурни полупроводникови електронни устройства като транзистори с висока мобилност на електроните (ТВМЕ), хетеробиполярни транзистори (ХБТ), източници на кванти и свръхрешетки;

c. „Свръхпроводящи“ електронни устройства;

d. Подложки от филми от диамант за електронни компоненти;

e. Подложки от силиций върху изолатор (СВИ/SOI) за интегрални схеми, при които изолаторът е силициев диоксид;

f. Подложки от силициев карбид за електронни компоненти;

g. Електронни вакуумни тръби, функциониращи на честоти от 31,8 GHz или повече.

3E101 „Технологии“, съгласно Общата бележка за технологиите, за „разработване“ на оборудването или „софтуера“, посочени в 3A001.a.1. или 2., 3A101, 3A102 или 3D101.

3E102 „Технологии“, съгласно Общата бележка за технологиите, за „разработване“ на „софтуер“, описани в 3D101.

3E201 „Технологии“, съгласно Общата бележа по технологиите, за „употреба“ на оборудването, описано в 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, от 3A225 до 3A234.

3E225 „Технологии“ под формата на ключове или кодове за подобряване или улесняване на работата на честотни превключватели или генератори с цел постигане на съответствие с характеристиките в 3A225.

4A001 Електронни компютри и свързаното с тях оборудване, както следва, и „електронни модули“ и специално проектирани компоненти за тях:

a. Специално проектирани, за да имат която и да е от изброените по-долу характеристики:

1. Класифицирани за работа при температура на околната среда под 228 К (-45 °С) или над 358 К (85 °С); или

Бележка: 4A001.a.1. не контролира компютри, специално проектирани за приложения при гражданските автомобили, железопътните влакове или „гражданските летателни апарати“.

2. Радиационна устойчивост, надвишаваща някои от следните параметри:

a.	Обща доза от		5 × 103 Gy (силиций);
b.	Колебание в мощността на дозата лъчение от		5 × 106 Gy (силиций)/s; или
c.	Колебание при единично събитие		1 × 10-8 грешка/ bit/ден;

b. Не се използва.

4A003 „Цифрови компютри“, „електронни модули“ и свързано с тях оборудване, както следва, и специално проектирани компоненти за тях:

Бележка 1: 4A003 включва следните:

„Векторни процесори“;

a. Не се използва;

b. „Цифрови компютри“, имащи „нормализирана пикова производителност“ („АРР/НПП“) над 8,0 претеглени TeraFLOPS (WT);

c. „Електронни модули“, проектирани специално или модифицирани с цел подобряване на производителността чрез обединяване на процесори, така че „АРР/НПП“ на обединената система да превишава границата в 4A003.b.;

d. Не се използва;

e. Оборудване, изпълняващо аналогово-цифрово преобразуване, надхвърлящо ограниченията, посочени в 3A001.а.5.;

f. Не се използва;

g. Оборудване, специално проектирано за обединяване на производителността на „цифровите компютри“ чрез осигуряване на външна връзка, която позволява комуникация на данни с еднопосочна скорост над 2,0 Gbyte/s на връзка.

Бележка: 4A003.g. не контролира оборудване за вътрешна връзка (напр. задни панели, шини), оборудване за пасивна връзка, „контролери за достъп до мрежи“ или „контролери за достъп до комуникационни канали“.

4A004 Компютри, както следва, и специално проектирано за тях оборудване, „електронни модули“ и компоненти за тях:

a. „Систолични матрични компютри“;

b. „Невронни компютри“;

c. „Оптични компютри“.

4A005 Системи, оборудване и компоненти за тях, специално проектирани или модифицирани за генериране, експлоатация или доставяне на, или комуникация със, „софтуер за проникване“.

4A101 Аналогови компютри, „цифрови компютри“ или цифрови диференциални анализатори, различни от тези, описани в 4A001.a.1., които са пригодени за особено тежки условия и проектирани или модифицирани за използване в космически ракети носители, описани в 9A004, или ракети сонди, описани в 9A104.

4A102 „Хибридни компютри“, специално проектирани за моделиране, симулация или интегриране на проекти за космическите ракети носители, описани в 9A004, или ракетите сонди, описани в 9A104.

Няма

Няма

4D001 „Софтуер“, както следва:

a. „Софтуер“, специално проектиран или модифициран за „разработване“ или „производство“ на оборудване или „софтуер“, описани от 4A001 до 4A004, или 4D.

b. „Софтуер“, различен от определения в 4D001.a., специално проектиран или модифициран за „разработване“ или „производство“ на оборудване, както следва:

1. „Цифрови компютри“, имащи „нормализирана пикова производителност“ („АРР/НПП“) над 1,0 претеглени TeraFLOPS (WT);

2. „Електронни модули“ специално проектирани или модифицирани с цел подобряване на производителността чрез обединяване на процесори, така че „APP/НПП“ на обединената система да превишава границата в 4D001.b.1.;

4D002 Не се използва.

4D003 Не се използва.

4D004 „Софтуер“, специално проектиран или модифициран за генериране, експлоатация или доставяне на, или комуникация със, „софтуер за проникване“.

4E Технологии

4E001

b. „Технологии“, различни от тези, определени в 4Е001.а., специално разработени или модифицирани за „разработване“ или „производство“ на оборудване както следва:

1. „Цифрови компютри“, имащи „нормализирана пикова производителност“ („АРР/НПП“) над 1,0 претеглени TeraFLOPS (WT);

2. „Електронни модули“ проектирани специално или модифицирани с цел подобряване на производителността чрез обединяване на процесори, така че „АРР/НПП“ на обединената система да превишава границата в 4Е001.b.1.

c. „Технологии“ за „разработване“ на „софтуер за проникване“.

ТЕХНИЧЕСКА БЕЛЕЖКА ЗА „НОРМАЛИЗИРАНА ПИКОВА ПРОИЗВОДИТЕЛНОСТ“ („АРР/НПП“)

„АРР/НПП“ е нормализираната пикова (върхова) скорост, с която „цифровите компютри“ изпълняват 64-битови или по-големи събирания и умножения с плаваща запетая.

„АРР/НПП“ се изразява в претеглени ТеrаFLOPS (WТ), в единици от 10¹² нормализирани операции с плаваща запетая за секунда.

n		брой на процесорите в „цифровия компютър“
i		номер на процесора (i,…n)
ti		време на цикъла на процесора (ti = 1/Fi)
Fi		честота на процесора
Ri		пиковата стойност на скоростта на изчисленията с плаваща запетая
Wi		нормализиращ множител, зависещ от архитектурата

1. За всеки процесор i се определя пиковото число на 64-битови или по-големи операции с плаваща запетая, FPO_i, изпълнени за цикъл за всеки процесор в „цифровия компютър“.

2. Изчисляване на скоростта с плаваща запетая R за всеки процесор R_i = FPO_i/t_i.

3. Изчисляване на „APP/НПП“ като „APP/НПП“ = W₁ × R₁ + W₂ × R₂ + … + W_n × R_n.

4. За „векторни процесори“ W_i = 0,9. За не-„векторни процесори“ W_i = 0,3.