Компютрите отвътре и отвън карта на книгата
Дешифратори на редове и колони
Изтегляне 1.97 Mb.
|
- Навигация на страницата:
- УПРАВЛЕНИЕ НА ПАМЕТТА
- ВИДОВЕ DRAM ПАМЕТ
- Капацитет
- Максимална производителност
Дешифратори на редове и колониВ DRAM всяка клетка се открива по адресните и координати, оформени в редове и колони.
Схеми на усилване Чувствителни усилватели (sense amp), включени към всяка колона на матрицата, позволяват при активизиране на съответния ред да се прочете цяла страница едновременно. Именно страницата се явява минималната информационна единица на обмен с ядрото на DRAM.
В съответствие с режима на паметта и дешифратора на колони пропускат данни от или към ядрото на паметта.
Буферира данни с цел синхронизация на процесора с оперативната памет.
Такт на адреса на колоната - сигнал, предназначен за запомняне в микросхемата DRAM адреса на колоната.
Такт на адреса на реда - сигнал, предназначен за запомняне в микросхемата DRAM адреса на реда.
ОПЕРАТИВНА ПАМЕТ СЪЩНОСТ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ ЯДРО НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ УПРАВЛЕНИЕ НА ПАМЕТТА ВИДОВЕ DRAM ПАМЕТ ПАКЕТИРАНЕ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ
Адресът на паметта съдържа сведения за избор на: байт, банка, ред и колона. Той постъпва в един от портовете на контролера на паметта, трансформира се в два адреса — редове и колони, които по адресната шина МA попадат в DRAM с някакъв промеждутък от време.
Контролерът на паметта има два порта:
В съвременните чип сети първият порт се нарича “северен”, а другият “южен”. Предвиден е арбитраж за приоритета на достъп на устройствата до паметта.
При отсъствие на данни в кеша от второ ниво, достъпът до оперативната памет може да се представи по следния начин:
RAS# (Row AddressStrobe) CAS# (Column Address Strobe)
ВИДОВЕ DRAM ПАМЕТ
ОПЕРАТИВНА ПАМЕТ СЪЩНОСТ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ ЯДРО НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ УПРАВЛЕНИЕ НА ПАМЕТТА ВИДОВЕ DRAM ПАМЕТ ПАКЕТИРАНЕ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ
В основата на всеки от познатите DRAM памети стои един и същи вид клетка. По същество клетката се състои от кондензатор, транзистор, и връзки към други клетки. Един чип RAM обикновено съдържа милиони клетки. Производителите нареждат клетките в матрица с еднакъв брой редове и колони. В 4 Мbit DRAM има 2048 реда и толкова колони. Обръщението към клетката става с нейния адрес, който се трансформира в номер на ред и номер на колона. От своя страна номерата на ред и колона се изпращат към матрицата от клетки, мултиплицирани във времето по една и съща шина.
Използва пълния адрес (номер на ред и номер на колона) само първия път. При четене на следващите битове трябва да се сменя само номера наколоната, докато номера на реда остава същия.Така достъпът се ускорява почти три пъти.
Работи по аналогичен с горната памет начин, като се различава само в някои детайли. Припокрива се процеса на задаване на нов адрес и четене на старите данни. Обемът на прочетените данни нараства с около 25%.
Използват тактов сигнал за синхронизиране на входните и изходни сигнали. При тестове показват 50% по-добри резултати от EDO и така осигуряват около 25% по-добра системна производителност. Бързодействието на SDRAM е пряко свързано със тактовата честота на системната шина, като възможните варианти са показани в таблицата по-долу.
SDRAM се произвежда само в 168 извода, 64-разрядни модули DIMM.
Второ поколение памет SDRAM. Осигурява двоен трансфер, тъй като извършва прехвърлянето на данните и при преден и заден фронт на синхронизиращия сигнал. Същевременно се запазва същата тактовата честота, т.е. може да работи със същия процесор.
Тя е разширение на SDRAM стандарта, като позволява да се увеличи броя на банките за памет от 4 на 16.
Тази технология увеличава десетократно скоростта на пренос на данните в сравнение със стандартната SDRAM благодарение на технологията RSL (Rambus Signaling Logic).
Възможности на различните технологии памет
ПАКЕТИРАНЕ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ
ОПЕРАТИВНА ПАМЕТ СЪЩНОСТ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ ЯДРО НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ УПРАВЛЕНИЕ НА ПАМЕТТА ВИДОВЕ DRAM ПАМЕТ ПАКЕТИРАНЕ НА ОПЕРАТИВНАТА ПАМЕТ
DIP Паметта се състои от отделни чипове. Те се инсталират в съответни гнезда. Памет от този тип се използваше в първите компютри. Тя се инсталира по - трудно и предразполага допускането на грешки. За конфигуриране на една памет са необходими 8, а понякога и 9 чипа (с контрол по четност).
Пример - за инсталиране на 1 МВ памет ще са необходими 8 или 9 чипа, всеки с капацитет 1 мегабит. SIMM (SIMM - single in-line memory modules). Малка платка със запоени на нея чипове памет. Използват се за работа с асинхронни памети.
Те са в състояние да прехвърлят 8 бита информация. За да може да прави 32-битова обработка, един 32-битов процесор ще се нуждае от 4 SIMM модула във всяка банка за памет,
Те са в състояние да пренасят 32 бита информация. В този случай процесорът ще има нужда само от един модул за всяка банка за памет.
Модул DIMM има 168 контакта, които са разположени от двете страни на пратката и са разделени с изолатор.
Стандартни се явяват небуферизираните (unbuffered) модули с напрежение на захранване 3,3 V. Небуферизирания модул DIMM може да съдържа микросхеми памет от типа FPM DRAM, EDO DRAM, SDRAM. Модулите имат 64 бит или 72 бит (контрол по четност) организация. Конструкцията на модулите предвижда автоматичното им разпознаване от компютъра. DDR DIMM модули Модул DDR DIMM е разновидност на DIMM модула и има 184 извода. Предназначени са за DDR SDRAM памети и имат най-различни рейтинги за скорост и пропускателна способност. Обикновено работят на 2.5 V. Проектирани са да поддържат двойно тактуване, като данни се предават по всеки фронт на синхросигнала.
Микросхемите Direct RDRAM се комплектоват в модули RIMM, външно подобни на стандартния DIMM модул.
В един модул RIMM могат да се поместят до 16 микросхеми Direct RDRAM, монтирани по осем броя от всяка страна.
Памет на компютъра Служи за съхранение на данни и информация необходима на компютъра за неговата работа. Намира разнообразни приложения в зависимост от мястото в йерархичната структура на компютъра.
Обем информация в байтове, който може да побере паметта. 
Време за достъпВремето за четене или запис от паметта (ns, ms, ms) Максимална производителностБрой прочетени или записани байта за секунда ( МВ/s) Каталог: sites -> default -> files files -> Образец №3 справка-декларация files -> Р е п у б л и к а б ъ л г а р и я files -> Отчет за разкопките на праисторическото селище в района на вуз до Стара Загора. Аор през 1981 г. ХХVІІ нац конф по археология в Михайловград, 1982 files -> Медии и преход възникване и развитие на централните всекидневници в българия след 1989 година files -> Окръжен съд – смолян помагало на съдебния заседател files -> Семинар на тема „Техники за управление на делата" 18 19 юни 2010 г. Хисар, Хотел „Аугуста спа" Приложение files -> Чинция Бруно Елица Ненчева Директор Изпълнителен директор иче софия бкдмп приложения: програма files -> 1. По пътя към паметник „1300 години България Изтегляне 1.97 Mb. Сподели с приятели:
|
